Заряд обратного восстановления тиристора единица измерения мк: Тиристор низкочастотный Т253-1000

Содержание

Тиристор низкочастотный Т253-1000

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Импульсное напряжение в открытом состоянии, IT = 3140 A, Tj = 25 °C  
VTM
 
-
 
-
 
1,75
 
 
В
Пороговое напряжение,
Tj = 125 °C, IT = 1500 - 5000 A
 
V(TO)
 
-
 
-
 
1,02
Динамическое сопротивление, Tj = 125 °C, IT = 1500 - 5000 A  
rT
 
-
 
-
 
0,30
 
мОм
Время задержки включения,
V = 0,5VDRM , IT = 1000 А, IFG = 2 A, tr = 1 мкс, Tj = 25 °C
 
td
 
-
 
-
 
3,0
 
 
 
мкс
Время выключения,
IT = 1000 A, diT/dt = - 5 A/мкс, VR ? 100 В,
VD = 0,67VDRM, (dVD/dt) = 50 В/мкс, Tj = 125 °C
 
tq
 
-
 
250
 
-
Заряд обратного восстановления,
diT/dt = - 5 A/мкс, Tj = 125 °C, IT = 1000 А, VR ? 100 В
 
Qrr
 
-
 
-
 
1500
 
мкКл
Ток удержания,
VD =12 В, Tj = 25 °C
 
IH
 
-
 
-
 
300
 
 
мА
Ток включения,
VD = 12 В, tР = 50 мкс, Tj = 25 °C
 
IL
 
-
 
-
 
700
Отпирающее постоянное напряжение управления, VD = 12 В,
Tj = - 60 °C
Tj = 25 °C Tj = 125 °C
 
 
VGT
 
 
-
 
 
-
 
 
3,5
2,5
2,0
 
 
В
Отпирающий постоянный ток управления, VD = 12 В,
Tj = - 60 °C
Tj = 25 °C Tj = 125 °C
 
 
IGT
 
 
-
 
 
-
 
 
400
200
150
 
 
мА
Неотпирающее постоянное напряжение управления,
VD = 0,67VDRM, Tj = 125 °C
 
VGD
 
0,5
 
-
 
-
 
В
Неотпирающий постоянный ток управления, VD = 0,67VDRM, Tj = 125 °C  
IGD
 
15
 
-
 
-
 
мА
ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Тепловое сопротивление переход – корпус (постоянный ток),
двустороннее охлаждение охлаждение со стороны анода охлаждение со стороны катода
 
 
Rthjc Rthjc-A Rthjc-K
 
 
-
 
 
-
 
 
0,0185
0,0370
0,0370
 
 
 
 
°С/Вт
Тепловое сопротивление корпус - охладитель,
двустороннее охлаждение одностороннее охлаждение
 
Rthch
 
-
 
-
 
0,005
0,010
МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Масса w - 0,55 - кг
Усилие сжатия F 22 - 26 кН
Максимально допустимое постоянное ускорение (в сжатом состоянии)  
а
 
-
 
-
 
100
м/с2
Расстояние по поверхности изолятора от управляющего электрода до анода  
Ds
 
-
 
25,4
 
-
 
 
мм
Кратчайшее расстояние от управляющего электрода до анода  
Da
 
-
 
17
 
-
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Климатическое исполнение по ГОСТ 15150 УХЛ2, Т2

Тиристор быстродействующий (частотно-импульсный) ТБИ361-100

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Импульсное напряжение в открытом состоянии, IT = 314 A, Tj  = 25 °C VTM - - 2,40  
В
Пороговое  напряжение,
Tj  = 125 °C, IT = 150 - 500 A
V(TO) - - 1,45
Динамическое сопротивление, Tj  = 125 °C, IT  = 150 - 500 A rT - - 3,50 мОм
Время задержки включения,
V = 0,5VDRM , Iт = 100 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, Tj  = 25 °C
 
td
 
-
 
-
 
2,0
 
 
 
 
мкс
Время включения,
V = 0,5VDRM , Iт = 100 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, Tj  = 25 °C
 
tgt
 
2,5
 
-
 
3,2
Время выключения,       12,5
IT = 100 A, diT/dt = - 10 A/мкс, VR  ? 100 В, tq - - 16
VD  = 0,67VDRM, (dVD/dt) = 50 В/мкс, Tj = 125 °C       20
Заряд обратного восстановления,
diT/dt = - 10 A/мкс, Tj  = 125 °C, IT = 100 А, VR  ? 100 В
Qrr - - 140
мкКл
Ток удержания,
VD  =12 В, Tj = 25 °C
IH - - 250 мА
Отпирающее постоянное напряжение управления, VD  = 12 В,
Tj = - 60 °C
Tj = 25 °C Tj  = 125 °C
 
 
VGT
 
 
-
 
 
-
 
 
4,5
2,5
 
 
В
      2,0  
Отпирающий постоянный ток управления, VD  = 12 В,
Tj  = - 60 °C
Tj = 25 °C Tj  = 125 °C
 
 
IGT
 
 
-
 
 
-
 
 
500
300
 
 
мА
      200  
Неотпирающее постоянное напряжение управления, VD  = 0,67VDRM, Tj  = 125 °C VGD 0,25 - - В
ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Тепловое сопротивление переход – корпус (постоянный ток) Rthjc - - 0,15  
°С/Вт
Тепловое сопротивление корпус - охладитель Rthch - - 0,05
МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Масса w - 0,24 - кг
Крутящий момент Md 20 - 30 Nm
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Климатическое исполнение по ГОСТ 15150 УХЛ2, Т2
   

ТМЗ - № лота 1203310

№ лота: 1203310 Распечатать лот Подписка на лот

1 - Тиристор

Подробное описание: Тиристор Т500 А. Высокое качество двунаправленный Тиристор для бесконтактных АС переключатель. Тиристоры будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров: управляющий ток отпирания тиристора, ток обратного восстановления тиристора

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
35.0 шт. 400 000 UZS 304 000 UZS 296 000 UZS

2 - Тиристор

Подробное описание: Тиристор КУ-201А - 38 шт, Тиристор КУ-202А - 38 шт. Постоянное напряжение в открытом состоянии при Iо с=10 А, не более, Тк=25°С 1,5 В, Тк=-60°С, Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=10 В, Iу, от=0,2 А, Тк=-60°С, не более 7,0 В, Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=Uзс макс, Тк=Тк макс, не менее 0,2 В, Постоянный ток в закрытом состоянии при Uа с=Uзс макс, Rу=∞, Тк=Тк макс, не более 10 мА, Ток удержания при Uз с=10 В для КУ202, не более 0,2 А, Постоянный обратный ток при Uобр=Uобр макс, Rу=∞, Тк=Тк макс, не более 10 мА, Отпирающий постоянный ток управления при Uз с=10 В, Iо с=10 А, Тк=-60°С, не более 0,2 А, Неотпирающий постоянный ток управления при Uз с=Uас макс, Тк=Тк макс, не менее 2,5 А, Время включения при Uз с=25 В для КУ202А и КУ202Б, Uз с=50 В для остальных типономиналов, Iо с=10 А, Iу,пр, и=0,2 А, Тк=Тк макс, не более 10 мк, Время выключения при Uа с, и=Uзс макс, duз с=/dt=5 В/мкс, Iо с=10 А, Тк=Тк макс, не более 100 мкс.

Тиристоры кремниевые КУ202Н планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемый. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Тиристоры будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
76.0 шт. 45 000 UZS 34 200 UZS 33 300 UZS

3 - Автомат

Подробное описание: Автоматический выключатель А3734 на 630А представляет собой устройство, осуществляющие коммутацию, а также включение и отключение токов в случае возникновения аномально низкого или, наоборот, высокого напряжения, замыканий и перегрузок. Таким образом обеспечивая защиту как самой электроцепи, так и ее конечных потребителей. Автоматы будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
6. 0 шт. 2 000 000 UZS 1 520 000 UZS 1 480 000 UZS

4 - Реле

Подробное описание: Реле РП для ТВУ-630 48В

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
13.0 шт. 280 000 UZS 212 800 UZS 207 200 UZS

5 - Реле

Подробное описание: Реле-220В, РПУ-2. Реле Промежуточное универсальное РПУ-2 предназначено для работы в электрических цепях управления и промышленной автоматики переменного тока напряжением до 380В, частотой 50Гц и постоянного тока напряжением до 220В. Условия эксплуатации: Высота над уровнем моря - до 1000м. Диапазон рабочих температур от -10 до +450С. Окружающая среда взрывобезопасная, не содержащая пыли в количестве, нарушающем работу реле, а также агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию. Реле в процессе эксплуатации допускает колебания напряжения сети от 0,85 до 1,10 от номинального значения. Реле постоянного тока допускают работу выпрямленным током. Пульсация напряжения при этом должна быть не более 8%. Длительно допустимый ток контактов - 6А. РПУ-2-У3Б-31002 - контакты - 2 переключающих. Напряжение катушки - 24В постоянного тока. РПУ-2-У3Б-31400 - контакты - 4 замыкающих. Напряжение катушки - 110В переменного тока. Реле будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
20.0 шт. 250 000 UZS 190 000 UZS 185 000 UZS

6 - Реле

Подробное описание: РЕЛЕ-220В, РП-8. Реле промежуточные двухпозиционные типов РП-11 предназначены для включения в цепи постоянного тока, реле типов в цепи переменного тока частотой 50 или 60Гц в качестве вспомогательного реле в схемах защиты энергосистем. Реле имеют повышенную устойчивость к механическим воздействиям и не изменяют положения контактов при снижении или исчезновении напряжения оперативного тока. Реле будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
5.0 шт. 300 000 UZS 228 000 UZS 222 000 UZS

7 - Реле

Подробное описание: РЕЛЕ-220В, РП-11. Реле промежуточные двухпозиционные типов РП-11 предназначены для включения в цепи постоянного тока, реле типов в цепи переменного тока частотой 50 или 60Гц в качестве вспомогательного реле в схемах защиты энергосистем. Реле имеют повышенную устойчивость к механическим воздействиям и не изменяют положения контактов при снижении или исчезновении напряжения оперативного тока. Реле будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
5. 0 шт. 350 000 UZS 266 000 UZS 259 000 UZS

8 - Реле

Подробное описание: РЕЛЕ РИС-2 ЭМ ИМПУЛЬСНАЯ СИГНАЛИЗАЦИЯ. Реле промежуточные предназначены для включения в цепи постоянного тока, реле типов в цепи переменного тока частотой 50 или 60Гц в качестве вспомогательного реле в схемах защиты энергосистем. Реле имеют повышенную устойчивость к механическим воздействиям и не изменяют положения контактов при снижении или исчезновении напряжения оперативного тока. Реле будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
6.0 шт. 380 000 UZS 288 800 UZS 281 200 UZS

9 - Реле

Подробное описание: РЭВ-813 У3-110В. Реле времени РЭВ-813 применяются в качестве электромагнитных реле времени в цепях постоянного тока. Втягивающие катушки реле изготавливаются на номинальные напряжения: 24, 48, 110 и 220В. Реле поставляются отрегулированными на максимальную выдержку времени, предусмотренную для данного типа реле. Технические характеристики РЭВ-813: Диапазоны выдержек времени, получаемые отключением/закорачиванием катушки, сек ...... 2...3.5/2.2...3.8 Количество цепей 1 Напряжение питания, В (постоянного тока) 24, 48, 110, 220 Диапазон коммутируемых напряжений, В 24...220 Длительно допустимый ток контактов, А 16 Количество контактов с выдержкой времени ...... 1"з"+1"р" Диапазон рабочих температур, °С ...... -45...+40 Реле будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
40.0 шт. 350 000 UZS 266 000 UZS 259 000 UZS

10 - Сигнальное устройство

Подробное описание: ЗВУКОВОЙ СИГНАЛ (ЗВОНОК) 220 В

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
6. 0 шт. 250 000 UZS 190 000 UZS 185 000 UZS

11 - Конденсатор

Подробное описание: Конденсатор 25-50 В, 220-2200 МКФ. Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые с фольговыми обкладками. Конденсаторы будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
60.0 шт. 25 000 UZS 19 000 UZS 18 500 UZS

12 - Транзистор

Подробное описание: Транзисторы КТ, МП (разные) кремниевые сплавно-диффузионные, Транзисторы МП - германиевые, маломощные низкочастотные, универсальные, структуры - p-n-p. Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами. Предназначены для применения в переключающих устройствах и для усиления низкой частоты . Транзисторы будет принимается после испытания через лабораторного стенда для уточнения электрических параметров

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
60.0 шт. 15 300 UZS 11 628 UZS 11 322 UZS

13 - Шины медные для подстанций

Подробное описание: Мед шина 50х5

Количество товара Единица измерения Стартовая цена за единицу Текущая предложенная цена Предложить лучшую цену
8.0 метр 400 000 UZS 304 000 UZS 296 000 UZS


Итого стартовая стоимость Текущая итоговая стоимость Лучшая итоговая стоимость
64 708 000 UZS 49 178 080 UZS 47 883 920 UZS

Особые условия

  • Цена товара включает в себя услугу по доставке.
  • "Исполнитель" должен предоставить технический паспорт на доставляемый товар.
  • Товары должны быть упакованы. Срок годности должен быть указан на упаковке (виды упаковки: количество, тара).
  • Не разрешается внесение изменений и дополнений в предмет договора.
  • "Исполнитель" должен предоставить 1 год дней/месяц(ев)/год гарантии на оборудования/товары. Возражения по товару вносятся в течение 10 дней.
  • Товары должны быть сертифицированы (если товар является обязательным к сертификации).
  • Товары должны иметь гигиенический сертификат (если товар является обязательным к гигиенической сертификации).
  • Товар должен соответствовать всем техническим требованиям и параметрам, указанным в подробном описании.
  • Некачественные товары не принимаются и будут отправлены обратно.
  • Адрес доставки товара: г.Ташкент, Сергелийский р-н, ул.Чаштепа, 21А.
  • Товар должен быть доставлен на специализированном транспорте (если товар является быстропортящимся).
  • "Исполнитель" берет на себя обязательства по бесплатному техническому обслуживанию в течение гарантийного срока.
  • Запрещается доставка товаров с истекшим сроком годности, а также в поврежденной упаковке.
  • Поставляемый товар должен быть новый и не бывший в употреблении, а также в заводской упаковке, с заводской маркировкой и не иметь дефектов.

Информация по лоту

  • Условия поставки:

    Продавец осуществляет доставку

  • Срок поставки (рабочих дней):

    5 день (рабочих дней)

  • Срок оплаты:

    5 рабочих дней

  • Залог:

    18 765 320 UZS

  • Комиссионные:

    71 825. 88 UZS

  • Дата подачи заявки:

    05.08.2019

  • Дата окончания:

    12.08.2019 10:22:05

  • Просмотр:

    2250

Тиристоры низкочастотные таблеточной конструкции Т133-500, T133-630

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное обозна чение Наименование, единица измерения Тип тиристора
Т133-500 Т133-630
Itavm Максимально допустимый сред­ний прямой ток в открытом со­стоянии, А 500 630 Tc = 85 оС
Импульс тока синусоидальный, однополупериодный, длитель­ностью 10 мс, частота 50 Гц
Фактический максимально до­пустимый средний ток в откры­том состоянии, А 600 830 Тс = 85 оС ,Tj = Tjm,
Ut(TO), Tt при Tj = Tjm
Itrms Действующий ток в открытом состоянии , А 785 990 и
о
IT!
00
II
о
н
Itsm Ударный ток в открытом состоя­нии, кА 11,0
10,0
13,2
12,0
Tj = 25 оС
Ur = 0
Tjm = 140 оС
Импульс тока синусоидальный однополупериодный , одиноч­ный длительностью 10 мс IG = Вт при Tj = 25 оС
Utm Импульсное напряжение в откры­том состоянии, В, не более 1,50 1,45 Tj = 25 0С;
IT = 3,14Itavm
Ut(to) Пороговое напряжение в откры - том состоянии, В 1,03 0,95 Tj = 25 0С
0,96 0,85 и
о
о
II
в
н
It Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм 0,30 0,26 Tj = 25 0С
1,1 0,50 и
о
О
II
В
н"
Ih Ток удержания, мА, не более 300 Tj = 25 0С, Ud = 12 В Цепь управления разомкнута
Itav Средний ток в открытом состоя­нии, А Охладитель ОР143-150 по ТУ У. 32.1-30077685-015-2004, Ta = 40 0С
135 170 естественное охлаждение
315 415 принудительное охлаждение, v=6 м/с

Диод. Часть 2. Немного о конструкции и принципах

Часть 1

▌Конструкция
Диод делают из полупроводников. Вообще, изначально, полупроводниковые материалы, такие как кремний или германий ток проводят довольно хреново. У них электроны крепко держатся двумя молекулами сразу и требуется довольно большая энергия чтобы их вырвать.

Если полупроводник нагреть, облучить, подать высокое напряжение, чтобы образовалось мощное поле, которое потащит электроны, то из кристаллической решетки будет вырван электрон и будет он болтаться свободно среди молекул.
А там где он был, образуется дырка. Дырка означает не скомпенсированную электроном связь, положительно заряженную область. Сдернуть электрон из ближайшего атома в соседнюю дырку куда проще, чем просто вырвать его из решетки. При этом дырка будет уже у соседнего атома, ведь электрон то надо откуда то вырвать.


По сути, дырку можно считать положительно заряженной частицей. Потому как под действием поля дырки также мотает по всему кристаллу как и электроны. Хотя они и менее подвижные, т.к. на перемещение дырки надо больше энергии чем на перемещение электрона.

Ну вот, есть у нас такой прикольный материал у которого сопротивление зависит от приложенной к нему энергии. И что дальше?

А самое веселое начинается когда в полупроводник добавляют примеси за счет которых можно либо добавить дырок, либо свободных электронов. Накидав в кристаллическую решетку атомов с тремя или с пятью свободными электронами соответственно.

Получаются проводники p и n типа. В p — есть лишние дырки (positive), а в n — лишние электроны (negative).

Осталось только слепить два таких разнопроводимых кристалла вместе, чтобы получился pn переход. И мы получили диод. Суть в чем:

Когда ток подается вот так:

Т.е. к p-кристаллу мы подаем положительный потенциал, а на n-кристалл отрицательный, то дырки и электроны поведут себя как и подобает приличным электрическим зарядам — отталкиваясь от себе подобных и притягивясь к противоположности.

В p-кристалле электроны неудержимо потянет в плюсовой провод, следовательно дырки ломанутся в центр.
А в n-кристалле электроны из минусового провода, от источника питания, ломанутся к плюсу, тоже в центр. В центре электроны из n-кристалла запрыгнут в дырки p-кристалла и поскачут дальше к минусу (это называется рекомбинация). Т.е. через диод пойдет ток. И чем больше напряжение, тем больше дырок будет сдвигать и больше будет ток. Причем зависимость эта будет не линейная, а скорей параболическая.

Окей. С этим все понятно. Берем и меняем полярность. Что произойдет? А все то же самое, только направление движения зарядов изменится.

В p-кристалле электроны побегут в центр, значит дырки утащит к минусовому проводу, где они и останутся зиять, т.к. в металле проводника пути для них нет.

А в n-кристалле усосет все свободные электроны в источник питания. И тоже останется пустота. А, как я уже говорил, полупроводник в котором нет свободных зарядов, это хреновый проводник. Почти диэлектрик. И вот, собственно, на этом месте диод и перестает проводить ток в обратном направлении.

▌Фотодиод
Но при этом свойства полупроводника в зоне откуда убежали все свободные заряды никуда не деваются. Если полупроводник облучить, то в нем таки возникнут свободные заряды и он будет проводить ток. Так работает, например, фотодиод. Помните его схему включения?

Вот диод стоит себе в обратном направлении, сопротивление у него огромное, намного больше подтягивающего резистора и на ноге при этом возникает положительный потенциал от подтяжки. Но стоит ему засветить, как его тотчас прорывает за счет того, что его кристалл чувствителен к свету и свет из него легко выбивает заряды. Но, на самом деле, у фотодиода характеристика ВАХ еще более интересна:

Если рассмотреть его поквадрантно. То на нулевом освещении (самый верхний график) он ведет себя почти как обычный диод. Чуток травит назад, совсем мало. А прямая проводимость по той же параболе. А вот при увеличении освещения начинается самое интересное. Ну, во первых, у него резко возрастает обратный ток. Чем ярче на него светим, тем сильней. Но самое интересное это квадрант D. Если посмотреть на график, то при прямом напряжении мы имеем… обратный ток.

Т.е. фотодиод является источником энергии. Генерирует обратный ток и до поры до времени сопротивляется внешнему источнику питания. В конце концов, тот конечно его перебарывает и график уходит в квадрант А.

▌Стабилитрон
Или вот, например, стабилитрон. Тоже девайс работает в обратку. Тоже, по сути, вполне себе добропорядочный диод.

Стоит себе не пропускает, ну кроме тех случаев, когда поле (А напряженность поля напрямую зависит от напряжения. Ваш К.О.) оказывается столь сильно, что вырывает из полупроводника заряды сами по себе. И тогда он начинает подтравливать ток. Но только до тех пор, пока напряжение на нем не снизится до некого предельного уровня. Уровень этот и определяет напряжение которое стабилитрон будет стабилизировать. Причем чем больше напряжение, тем больший ток через него будет стравливаться, стараясь это напряжение удержать.

Примерно как клапан ограничения давления на паровом котле. Стоит там пружина с уставкой на давление в 5 очков, и все что выше 5 очков травит наружу.

То есть любой диод может пробивать в обратном направлении, при превышении определенного потенциала. И этот пробой является обратимым. При условии что ток при нем не был настолько большим, чтобы выделить тепло достаточное для уничтожения кристалла. Поэтому на стабилитроне и нужен резистор.

А то слишком большой ток через него потечет и он сдохнет, а так получается своего рода делитель напряжения, в котором нижнее плечо автоматом подстраивается так, чтобы на выходе было напряжение на которое заточен стабилитрон.

▌Емкость диода
Вообще, если рассматривать диод более детально, то у него есть емкость (хотя чего это я, у всего в мире есть емкость, даже у индуктивности 😉 ) и более приближенная к реальности схема диода выглядит так:

Но тут есть один нюанс. У этой емкости две природы. Когда диод пропускает в одну сторону, то у него заряжается диффузионная емкость. Т.е. кристаллы диода насыщается неосновыми зарядами. Что значит неосновными?

А то, что в p-кристалле, где должно быть, по идее, полно дырок (основных зарядов), при протекании тока от души набивается хренова куча электронов, забивает все излишние дырки, да еще сверху насыпает с горкой.

В противовес, в n-кристалле, мало того, что все электроны лишние (основной заряд) усасывает полем, так еще и дополнительно вырывает из решетки, образуя дырки (неосновной заряд).

И когда напряжение резко меняют на обратное, диод то может и закроется мгновенно, но вот из насыщенных неосновными зарядами областей пока утащит все лишние электроны и дырки, которых там не должно быть, пройдет какое то время, а эти самые неосновные заряды при исходе образуют импульс обратного тока. Короткий, конечно, как иголочка.

Но если у вас частота высокая, то эти короткие импульсы вам могут помех натворить, потребление увеличить, пробить что-нибудь не то и так далее. Диффузионная емкость зависит от прямого тока. Чем больше прямой ток, тем больше неосновных зарядов насуёт в кристаллы.

Небольшое плато — это время на то, пока растащит заряды в области pn перехода. Собственно, время закрытия самого перехода. А вот потом уже идет обычный такой разряд конденсатора — это растаскивает неосновные заряды из основного тела полупроводника. И чем это тело больше, тем дольше их будет оттуда растаскивать.

А когда диод включен обратно, то возникает барьерная емкость.

Если внимательно посмотреть на обратно смещенный диод, на что это похоже?

Два проводника, между ними диэлектрик… Правильно, на конденсатор. Ну и хрен что диэлектрик у этого конденсатора это полупроводник. При определенных условиях он же диэлектрик? Диэлектрик. Значит работать будет.

А еще расстояние между проводящими областями зависит от электрического поля. Подали посильней обратное смещение — дырки и электроны вжались в края — диэлектрический слой увеличился, ослабил поле — уменьшился. А от толщины диэлектрика напрямую зависит емкость этого импровизированного конденсатора. Т.е. барьерная емкость зависит от приложенного обратного напряжения.

Ну и обе емкости зависят от конструктива. Раньше, в советской литературе, было даже четкое деление на плоскостный и точечный диод. Т.е. у плоскостного pn переход был в виде двух плоских областей, способных пропустить через себя большой ток, но обладающих большой емкостью. А у точечного диода переход представлял собой подпружиненную иголочку с покрытием, упирающуюся в кристалл полупроводника. Площадь контакта мала, емкость мала, ток тоже мизерный.

Сейчас я такого деления как то не встречаю. Видать в западной классификации диоды по конструктиву не делят.

▌Варикап
Способность диода образовывать барьерную емкость при обратном смещении и послужило идеей для варикапа. Осталось только сделать такой диод, для которого барьерная емкость была бы максимально стабильной, не зависящей от разных там погодных условий и вуаля.

Т.е. даем отрицательное постоянное смещение, а поверх него переменный сигнал, то меняя смещение можно менять емкостное сопротивление этого конденсатора для этого переменного сигнала. Такую емкость зовут барьерной. Т.к. ее величина зависит от ширины потенциального барьера.

А как это применить тут можно многое придумать. Первое что приходит в голову разные электрически управляемые фильтры или колебательные контура. Вроде такого:

▌Шоттки
Отдельно хочу сказать о диоде Шоттки. Диод Шоттки использует не pn переход двух полупроводников. А переход полупроводник-металл. Получается примерно то же самое, но с рядом особенностей, как то:

  • Пониженное падение напряжения. Около 0.2 вольт, в отличии от типичных 0.7 вольт для простого диода.
  • Очень низкое время обратного восстановления. Так как в нем в разы меньше скапливаются неосновные заряды, а значит диффузионная емкость очень мала.

Минусы тоже значительные.

  • Самый главый минус в том, что у них намного ниже обратное напряжение чем у обычных pn диодов.
  • Также есть повышенный обратный ток. Если диод запирается в обратку почти наглухо, то тут ниппель чутка сифонит и чем выше температура, тем больше. Может до единиц, а то и десяток миллиампер (!) доходить. Особенно на мощных диодах с прямыми токами в десятки ампер.
  • А еще их обратный пробой не является обратимым. Пробило значит пробило. В помойку, без вариантов.

Вот как то так. Кратенько и по самым основам. Как раз под окончание сессии у студентов 😉

Тиристор с "мягким" восстановлением

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления. Техническим результатом изобретения является снижение амплитуды тока обратного восстановления и увеличение коэффициента формы тока обратного восстановления тиристора. Сущность изобретения: в известном тиристоре, в высоколегированном анодном эмиттерном слое р+-типа проводимости, расположенном в анодном эмиттерном слое р-типа проводимости со стороны, противоположной широкой базовой области, образованы каналы р-типа проводимости, соединяющие анодную область и омический контакт к высоколегированному анодному эмиттерному слою, имеющие более низкую проводимость, чем высоколегированный анодный эмиттерный слой. 1 табл., 3 ил.

 

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления.

Известный тиристор [Патент №2123322, ФРГ, кл. H 01 L 29/52, опубл. 1971 г.], содержащий узкую и широкую базовые области, в котором для увеличения статического напряжения переключения и повышения устойчивости к быстрому нарастанию анодного напряжения осуществлена шунтировка высоколегированной катодной эмиттерной области, выполненная в виде проводящих каналов того же типа проводимости, что и узкая базовая область, соединяющих узкую базовою область и омические контакты к высоколегированной катодной эмиттерной области.

Недостатком этого тиристора является то, что в нем не удается обеспечить малое значение амплитуды тока обратного восстановления (IRM) и высокое значение коэффициента формы тока обратного восстановления (kF). Это обусловлено тем, что для снижения IRR нужно увеличивать плотность шунтирующих каналов, однако, при этом быстро начинает увеличиваться импульсное значение напряжения в открытом состоянии (UT) и уменьшаться величина kF. Поэтому при приемлемых значениях UT значение IRM остается недостаточно малым, а значение kF недостаточно большим.

Необходимость увеличения kF и уменьшения IRM обусловлена тем, что при этом снижается амплитудное значение величины обратного напряжения (URM), возникающего на индуктивностях цепи при уменьшении величины тока обратного восстановления и прикладывающиеся к тиристору в процессе его восстановления. Это снижает требования к снабберным и защитным цепям в преобразователях, и позволяет отказаться от их использования в случае достаточно низкого значения IRM и высокого значения kF. Использование приборов с такими характеристиками в составе преобразовательных устройств значительно снижает их массогабаритные и стоимостные показатели.

Задачей изобретения является снижение амплитуды тока обратного восстановления и увеличения коэффициента формы тока обратного восстановления тиристоров.

Поставленная задача решается следующим способом. В тиристоре, содержащем широкую базовую область n-типа проводимости, прилежащие к ней с разных сторон, узкую базовую область р-типа проводимости и анодную область р-типа проводимости, содержащую высоколегированную анодный эмиттерный слой p+-типа проводимости, расположенный со стороны, противоположной широкой базовой области, к которому создан омический контакт. При этом в узкой базовой области со стороны, противоположной широкой базовой области, создана высоколегированная катодная эмиттерная область n+-типа проводимости и в ней образованы шунтирующие каналы р-типа проводимости, соединяющие узкую базовую область и омический контакт, созданный к катодной эмиттерной области. Кроме того, в высоколегированном анодном эмиттерном слое образованы каналы р-типа проводимости, соединяющие анодную область и омический контакт к высоколегированному анодному эмиттерному слою, имеющие более низкую проводимость, чем высоколегированный анодный эмиттерный слой.

Поперечный разрез предлагаемого тиристора изображен на фиг.1, где

1 - широкая базовая область - n-типа проводимости;

2 - узкая базовая область - р-типа проводимости;

3 - анодная область - р-типа проводимости;

4 - высоколегированный анодный эмиттерный слой - p+-типа проводимости;

5 - высоколегированная катодная эмиттерная область - n+-типа проводимости;

6 - шунтирующие каналы - р-типа проводимости;

7 - омический контакт к высоколегированной катодной эмиттерной области;

8 - омический контакт к высоколегированной анодному эмиттерному слою;

9 - каналы - р-типа проводимости;

10 - анодный р-n переход;

11 - коллекторный р-n переход;

12 - катодный эмиттерный р-n переход;

Предлагаемый тиристор работает следующим образом.

Когда к тиристору приложено прямое напряжение: положительный потенциал к омическому контакту к высоколегированному анодному эмиттерному слою (8), а отрицательный к омическому контакту к высоколегированной катодной эмиттерной области (7), и он находится в открытом состоянии, через него протекает ток. У предлагаемого тиристора, в отличии от известного тиристора [Патент ФРГ №2123322], часть высоколегированного анодного эмиттерного слоя (4) занята каналами (9), которые имеют более низкую проводимость чем слой (4) и из которых не осуществляется инжекция неравновесных носителей заряда. Поэтому коэффициент инжекции анодного р-n перехода (10) у него будет ниже, чем у известного тиристора. В результате этого величина концентрации неравновесных носителей заряда в окрестности этого р-n перехода, при одинаковой плотности анодного тока, у предложенного тиристора будет ниже, чем у аналога. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда в тиристорах, находящихся в открытом состоянии, представлено на фиг.2. Распределение получено расчетным путем для тиристора с геометрическими и электрофизическими параметрами, соответствующими значениям, указанным в примере конкретного исполнения, где А - предлагаемый тиристор; В - аналог. Вследствие этого для сохранения у предлагаемого тиристора значений UT, равных аналогу, он должен иметь большее значение времени жизни неравновесных носителей заряда τр в базовых областях, чем у аналога. Поэтому величина концентрации неравновесных носителей заряда в окрестности коллекторного р-n перехода у него будет выше, чем у аналога (фиг.2).

При перемене полярности анодного напряжения на тиристоре через него будет протекать обратный ток. При этом вначале будет выводиться избыточный заряд неравновесных носителей заряда, накопленный в окрестности анодного р-n перехода. Так как у предлагаемого тиристора величина концентрации неравновесных носителей заряда и, следовательно, заряд, накопленный в окрестности восстанавливающегося при этом анодного р-n перехода меньше, чем у аналога, то и величина заряда (QS) и времени запаздывания (tS), и, следовательно, величина амплитуды тока обратного восстановления (IRM) у него будет меньше чем у аналога.

После того как концентрации свободных носителей заряда у анодного р-n перехода достигнут равновесных значений, в его окрестности начнет формироваться область объемного заряда. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда в тиристоре в этот момент времени представлено на фиг.3, где А - предлагаемый тиристор; В - аналог. Сопротивление тиристора при этом резко возрастет, и величина обратного тока начнет уменьшаться. Так как у предлагаемого тиристора концентрация неравновесных носителей заряда в окрестности коллекторного р-n перехода выше, чем у аналога, то и величина остаточного заряда Qf и времени спада обратного тока tf у него будут больше. Коэффициентом формы тока обратного восстановления (kF) называется отношение tf/ts. Поэтому исходя из выше изложенного величина kF у предлагаемого тиристора будет выше, чем у аналога.

Пример конкретного исполнения.

Была изготовлена партия тиристоров с диаметром выпрямительного элемента 56 мм. Для изготовления был использован кремний n типа проводимости марки КОФ60-100. Узкая базовая область и анодная область формировались путем одновременной диффузии бора и алюминия и имели р тип проводимости. Высоколегированная катодная эмиттерная область формировалась путем диффузии фосфора. Толщина широкой базовой области составляла 350 мкм, ширина узкой базовой области 82 мкм, ширина анодной области составляла 105 мкм, высоколегированной катодной эмиттерной области 23 мкм. Шунтирующие каналы в высоколегированный катодной эмиттерной области имели форму цилиндра диаметром 300 мкм. Они были расположены на вершинах равносторонних треугольников на расстоянии 1500 мкм друг от друга и равномерно распределены по площади этой области.

В соответствии с предлагаемым решением на первой половине партии (А) в высоколегированном анодном эмиттерном слое были созданы каналы с более низкой проводимостью. Каналы имели форму цилиндра диаметром 200 мкм. Они были расположены на вершинах равносторонних треугольников на расстоянии 600 мкм друг от друга и равномерно распределены по площади этой области. Величина поверхностной концентрации легирующей примеси (бора) в высоколегированном анодном эмиттерном слое составляла 5×1019 см-3, а в каналах 8×1016 см-3. Толщина высоколегированного анодного слоя составляла 40 мкм.

На второй половине партии, как у аналога, высоколегированный анодный эмиттерный слой был сплошным, с такими же электрофизическими параметрами, как и на первой половине.

После изготовления обеих частей партии, на них в соответствии с [Пат. 2110113, Россия, МКИ 6 Н 01 L 21/263. Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью / Е.М.Гейфман, Д.Д.Канев, О.П.Ксенофонтов. - (Россия). - №96119133; Заявл. 25.09.96; Опубл. 27.04.98, Бюл. №12. - 4 л.] было проведено регулирование величины заряда обратного восстановления (Qrr) методом электронного облучения.

Основные параметры тиристоров предлагаемой конструкции (А) и известной конструкции (В) приведены в таблице.

Основные параметры
№ п/пТип конструкцииUDRM, URRM, BUT, ВQrr, мкКлIRM, АkFτр, мкс
1А24002,16051101,518
2В24002,18101500,89,8

Из полученных данных следует, что использование изобретения позволяет на 30% снизить величину IRM и увеличить величину kF почти в 2 раза при сохранении таких же значений величины импульсного напряжения в открытом состоянии (UT) и импульсного повторяющего обратного напряжения (URRM) и импульсного повторяющегося напряжения в закрытом состоянии (UDRM). Следовательно, оно может быть использовано при разработке и производстве мощных полупроводниковых приборов.

Тиристор, содержащий широкую базовую область n-типа проводимости, прилежащие к ней с разных сторон узкую базовую область р-типа проводимости и анодную область р-типа проводимости, содержащую высоколегированный анодный эмиттерный слой р+-типа проводимости, расположенный со стороны, противоположной широкой базовой области, к которому создан омический контакт, при этом в узкой базовой области со стороны, противоположной широкой базовой области, создана высоколегированная катодная эмиттерная область n+-типа проводимости и в ней образованы шунтирующие каналы р-типа проводимости, соединяющие узкую базовую область и омический контакт, созданный к высоколегированной катодной эмиттерной области, отличающийся тем, что в высоколегированном анодном эмиттерном слое образованы каналы р-типа проводимости, соединяющие анодную область и омический контакт, к высоколегированному анодному эмиттерному слою, имеющие более низкую проводимость, чем высоколегированный анодный эмиттерный слой.

2У221А (ТИЧ ), 2У221Б {ТИЧ ), 2У221В (ТИЧ Jr КУ221А, КУ221Б, КУ221В, КУ221Г, КУ221Д

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3. 5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 www.fotorele.net e:mail [email protected] ТИРИСТОРЫ

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г. минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail [email protected] Техническая информация

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

П605, П605А, П606, П606А

П605, П605А, П606, П606А Германиевые конверсионные высокочастотные p-n-p транзисторы. Предназначены для работы в высокочастотных и быстродействующих импульсных схемах. Выпускаются в металлическом герметичном

Подробнее

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)

2Т89А, 2Т89Б, 2Т89В, 2Т89А2, 2Т89Б2, 2Т89В2, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г, КТ89АМ, КТ89БМ, КТ89ВМ, КТ89ГМ, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные.

Подробнее

2 Т 83 и А -Г) 2Т831 (В-1. Г-1)

2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, 2Т831В-1, 2Т831Г-1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры л-р-л усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт.

ООО «Элемент-Преобразователь»

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС

ТРИАКИ ТС6-60, ТС6-00, ТС7-50, ТС7-30 Триаки предназначены для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре в цепях переменного тока частотой до 500 Гц. Конструкция триаков штыревая

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

ООО компания "Электроника и связь" тел. (473) ,

2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, К7818Г1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г. минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail [email protected] МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

Д808, Д808А, Д809, Д809А, Д810, Д810А, Д811, Д811А, Д813

, А,, А,, А,, А, Стабилитроны кремниевые сплавные малой мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 7...14 В в диапазоне токов стабилизации 3...33 ма. Выпускаются в металлостеклянном герметизированном

Подробнее

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные высоковольтные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах широкополосных и высоковольтных

Подробнее

П401, П402, П403, П403А

,,, А Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах коротких и ультракоротких волн, а также

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ Фототиристор, содержащий полупроводниковый элемент ТО3-5, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно - распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

2Т935Б Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2

2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

2Т935Б1 Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 в металлокерамическом корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры,

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А

, П303, П303А, П304, П306, П306А Транзисторы большой мощности низкочастотные кремниевые p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах, работающих при повышенной температуре

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

2Т825(А-В), КТ825(2-Е)

2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, 2Т825А-5, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих

Подробнее

2Д906(А -В). КД906(А-Е)

2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е Диодные матрицы» состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для применения в качестве выпрямительного

Подробнее

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р маломощные. Предназначены для работы в режимах усиления и генерирования в диапазоне от длинных до ультракоротких волна

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email [email protected] tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

2Т9118А, 2Т9118Б, 2Т9118В

, 2Т9118Б, 2Т9118В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторнью. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты

Подробнее

2ПЗСЗ(А-И), КП303(А~и;

П303А, П303Б, П303В, П303Г, П303Д, П303Е, П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КП303Г, КП303д, КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р-/? перехода

Подробнее

2Т8621Б-Г), КТ86ЯБ-Г)

2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, КТ862Б, КТ862В, КТ862Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных

Подробнее

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË

ÄÈÎÄÛ Ä6580, Ä6500, ÄË6580, ÄË6500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä65, ÄË65 âûïóñêàþò íà òîêè 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 400 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Äèîäû

Подробнее

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ"

01.01.01 модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДИОДНЫЕ, ТИРИСТОРНЫЕ И ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ МОДУЛИ М1, М1.1, М1., М, М, М4, М4.1, М4., М4. 000 г. Орел, Наугорское шоссе, тел. (486) 44-0-44,

Подробнее

Электрические параметры

2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г, КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом /7-типа генераторные. Предназначены для применения

Подробнее

П29, П29А, П30, П31, П31А, П32

П29, П29А, П30, П31, П31А, П32 Германиевые сплавные транзисторы малой мощности, среднечастотные, проводимость p-n-p. Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре в переключающих и импульсных

Подробнее

2 Т С 6 Ш Я КГС613(А-Г)

2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п переключающих высокочастотных

Подробнее

(PDF) Исследование тока обратного восстановления мощного тиристора в импульсном источнике питания

Electronics 2020,9, 1292 16 из 17

Финансирование: Исследование не получало внешнего финансирования.

Конфликт интересов: Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Ссылки

1.

Cho, C.H .; Парк, S.H .; Choi, Y .; Ким, Б. Производство нанопорошков методом проволочного взрыва в жидких средах.

Прибой. Пальто. Technol. 2007, 201, 4847–4849.[CrossRef]

2.

Inoue, H .; Лисицын, И.В .; Akiyama, H .; Нисидзава, И. Бурение твердых горных пород импульсным способом. IEEE Electr.

Insul. Mag. 2000,16, 19–25. [CrossRef]

3.

Jin, Y .; Lee, H .; Kim, J .; Обод, G .; Kim, J .; Lee, Y .; Мун, Х. Характеристики импульсной системы питания 2,4 МДж для применения электротермино-химической пушки

. IEEE Trans. Magn. 2003, 39, 235–238.

4.

Jack, S.B .; Майкл, Ф.С.; Томас, Э.Дж. Анализ конденсаторной системы импульсного питания для управления электромагнитными пушками дальнего действия

.IEEE Trans. Magn. 2003, 39, 486–490.

5.

Li, J .; Li, S.Z .; Liu, P.Z .; Gui, Y.C. Проектирование и испытания электромагнитной пусковой установки мощностью 10 МДж. IEEE Trans.

Plasma Sci. 2011,4, 1187–1191.

6.

Dai, L .; Wang, Y .; Zhang, Q .; Li, W .; Лу, В. Влияние последовательного разряда на компоненты в PPS

мощностью 600 кДж, используемом для электромагнитной пусковой системы. IEEE Trans. Plasma Sci. 2013,41, 1300–1306. [CrossRef]

7.

Guo, X .; Дай, Л.; Zhang, Q .; Lin, F .; Хуанг, Q .; Чжао Т. Влияние электрических параметров импульсного источника питания

на систему электромагнитного рельсотрона. IEEE Trans. Plasma Sci. 2015,43, 3260–3267. [CrossRef]

8.

Liu, J.B .; Бу, Л.П .; Цинь, X.X. Исследование обратной зарядки конденсатора накопленной энергии в системе импульсного источника питания

. Прил. Мех. Матер. 2014,556, 2008–2012 гг. [CrossRef]

9.

Liu, Y .; Lin, F .; Dai, L .; Zhang, Q .; Lee, L .; Han, Y .; Лу У. Разработка компактной системы импульсного питания 450 кДж

для электромагнитной пусковой установки. IEEE Trans. Plasma Sci.

2011

, 39, 304–309.

[CrossRef]

10.

Jin, Y.S .; Kim, Y.B .; Kim, J .; Чо, С .; Lim, S.W .; Ли, Б .; Ку, И. Изготовление и испытание импульсной энергосистемы мощностью 600 кДж

. IEEE Trans. Plasma Sci. 2013, 41, 2671–2674. [CrossRef]

11.

Kim, J .; Choi, Y .; Chu, J .; Сун, Г. Анализ высоких перенапряжений, возникающих в параллельно подключенных батареях конденсаторов.

IEEE Trans. Magn. 2003, 39, 422–426.

12.

Han, Y .; Lin, F .; Dai, L .; Li, H .; Wang, L .; Bo, L .; Пэн Б. Исследование применений TVS и тиристоров в системе импульсного питания

, используемой для ЭМГ. IEEE Trans. Dielectr. Электр. Insul. 2009, 16, 979–984.

13.

Li, W .; Tang, W .; Он, H .; Rao, J .; Чжан, Ю. Импульсный переключатель мощности с центром на SCR для системы запуска.

В материалах Международной конференции по электрическим машинам и системам, Пекин, Китай,

20–23 августа 2011 г.

14.

Li, Z.X .; Yang, C.X .; Ли, Б. Исследования по применению тиристоров в импульсных источниках питания. Power Electron.

2010,44, 87–90.

15.

Spahn, E .; Buderer, G .; Brommer, V .; Sterzelmeier, K .; Веллеман А. Новел Многокристальный тиристор на 13,5 кВ с

и усовершенствованным DI / DT для различных применений импульсной энергии. В материалах конференции IEEE International Pulsed

Power Conference, Монтерей, Калифорния, США, 13–17 июня 2005 г.

16.

Li, Z.X .; Zhang, Y.Z .; Ni, Y.J .; Ли, Б. Анализ влияния отключаемых характеристик тиристора на рельсотрон

. Acta Armamentarii 2016, 37, 1599–1605. [CrossRef]

17.

Dai, L .; Tian, ​​S.Y .; Jin, C.L .; Ян, Й .; Lei, Y.Q .; Линь, Ф. Характеристики обратного восстановления импульсной мощности тиристора

. Часть лазера высокой мощности. Балки 2016,28, 1–5.

18.

Zhang, Y.Z .; Li, Z.X .; Tian, ​​H . ; Li, H.Y .; Ли, Б. Применение импульсного источника питания с переключателем RSD в электромагнитном пуске

.Acta Armamentarii 2017, 38, 658–663.

19.

Li, Z.X .; Li, B.M .; Линь, К. Исследование защиты высоковольтных диодных стеков в импульсных источниках питания.

Power Electron. 2009, 43, 47–49.

20.

Li, Z.C .; Jin, C.L .; Dai, L .; Chen, C .; Ju, L .; Линь, Ф. Пробой и защита полупроводникового прибора в сети формирования импульсов с последовательным возбуждением

. Acta Armamentarii 2017,38, 2349–2353.

21.

Wen, Y.L .; Дай, Л.; Zhu, Q .; Wang, S.J .; Линь, Ф. Эффективность распределенного хранения энергии Электромагнитный

Рейлган. Часть лазера высокой мощности. Балки 2020,32, 1–5.

% PDF-1.3 % 91 0 объект > эндобдж xref 91 112 0000000016 00000 н. 0000002606 00000 н. 0000002768 00000 н. 0000002909 00000 н. 0000003748 00000 н. 0000003981 00000 н. 0000004045 00000 н. 0000004163 00000 п. 0000004294 00000 н. 0000004449 00000 н. 0000004620 00000 н. 0000004750 00000 н. 0000004871 00000 н. 0000004937 00000 н. 0000005072 00000 н. 0000005137 00000 н. 0000005272 00000 н. 0000005336 00000 н. 0000005471 00000 п. 0000005536 00000 н. 0000005671 00000 п. 0000005735 00000 н. 0000005870 00000 н. 0000005935 00000 н. 0000006070 00000 п. 0000006134 00000 п. 0000006266 00000 н. 0000006331 00000 п. 0000006465 00000 н. 0000006529 00000 н. 0000006662 00000 н. 0000006727 00000 н. 0000006855 00000 н. 0000006919 00000 п. 0000007061 00000 н. 0000007126 00000 н. 0000007264 00000 н. 0000007328 00000 н. 0000007468 00000 н. 0000007533 00000 н. 0000007665 00000 н. 0000007729 00000 н. 0000007868 00000 н. 0000007933 00000 п. 0000008075 00000 н. 0000008139 00000 н. 0000008270 00000 п. 0000008335 00000 н. 0000008399 00000 н. 0000008570 00000 н. 0000008687 00000 н. 0000008746 00000 н. 0000008878 00000 н. gAGg -wGԎ; + " 4c>! $ ] M: + Le

Комплексный анализ характеристик SiC Power Device :: Science Publishing Group

Комплексный анализ характеристик SiC Power Device

Shi Mingming 1 ​​, Lu Wenwei 2 , Ge Le 2

1 ​​ Исследовательский институт электроэнергетики Цзянсу, Нанкин, Китай

2 Нанкинский технологический институт, Нанкин, Китай

Адрес электронной почты:

(Ши Минмин) (Лу Вэньвэй) (Ге Ле)

Чтобы процитировать эту статью:

Ши Минмин, Лу Вэньвэй, Ге Ле.Комплексный анализ характеристик SiC Power Device. Журнал электротехники и электроники. Vol. 4, No. 2, 2016, pp. 18-23. doi: 10.11648 / j.jeee.20160402.13

Поступила: 17 марта 2016 г .; Принята в печать: 31 марта 2016 г .; Опубликовано: 7 апреля 2016 г.

Аннотация: Анализируя состояние исследований и тенденции развития силовых устройств на основе SiC (карбид кремния), в данной статье описываются последние результаты исследований характеристик переключения и характеристик потерь мощности силовых устройств на основе SiC.В этой статье с подробным анализом характеристик переключения диода с барьером Шоттки (SBD) и MOSFET подчеркиваются различия между ними и соответствующими силовыми устройствами. Сравнительное исследование характеристик потерь мощности MPS и клапанных потерь тиристора из карбида кремния для сверхвысокого напряжения, а также различий в потерях мощности импульсных источников питания между SiC MOSFET и Si MOSFET обеспечивает научную основу для оптимального выбора и применения SiC. силовое устройство.

Ключевые слова: SiC, силовое устройство, характеристики переключения, характеристики потерь мощности

1. Введение

Силовые электронные устройства являются жизненно важной основой силовых электронных устройств. Характеристики устройств имеют решающее значение для технических показателей и производительности устройства [1]. В настоящее время выдающиеся преимущества материалов SiC побуждают исследователей исследовать и разрабатывать силовые электронные устройства на основе SiC с высокими характеристиками, активно продвигая процесс их коммерциализации, чтобы получить более широкий спектр преимуществ и возможностей применения. В области высокочастотных, высокотемпературных и мощных электронных устройств преимущества и широкое применение силовых электронных устройств Силовые электронные устройства на основе SiC обладают несравнимым потенциалом с полупроводниковыми приборами на основе Si [2].

Коммерциализация силовых устройств на основе SiC в значительной степени способствовала изучению прикладных технологий силовых устройств на основе SiC, особенно в областях авиакосмической промышленности, электромобилей, разведки, систем энергоснабжения и производства новой энергии, оценки преимуществ силового устройства на основе SiC на системном уровне исследователями, привода схемотехника, многотрубная технология и расширение преобразователей мощности для достижения высоких температур и многие другие технические проблемы исследованы и изучены.

В настоящее время успешно коммерциализированы SiC SBD, SiC JFET и SiC MOSFET. Из-за различных характеристик полупроводниковых материалов существуют некоторые различия в электрических характеристиках силовых устройств на основе SiC и силовых устройств на основе Si [2-6]. Чтобы обеспечить правильное использование силовых устройств SiC и полностью раскрыть их преимущества, которые на основе преобразовательной системы силовых устройств SiC могут получить лучшую производительность, нам необходим тщательный анализ и изучение характеристик переключения, характеристик потерь и параметров SiC. силовое устройство, особенно по коммутационным характеристикам и характеристикам потерь [5-7].

В связи с быстрым развитием материалов из карбида кремния силовые полупроводниковые устройства на основе SiC широко используются в области импульсных источников питания, являясь потенциальной альтернативой полупроводниковым устройствам на основе Si. Для лучшего применения силовых устройств SiC в данной статье исследуются характеристики переключения SiC SBD и MOSFET, характеристики потерь мощности MPS, клапанные потери тиристора из карбида кремния для сверхвысокого напряжения и различия в потерях мощности импульсных источников питания. между SiC MOSFET и Si MOSFET.

2. Анализ характеристик переключения SiC SBD

Характеристики переключения силового диода включают характеристики прямого восстановления и характеристики обратного восстановления. Следующий анализ относится соответственно к SiC и SBD [8].

2.1. Характеристики прямого восстановления

Формирование выброса напряжения силового диода в основном связано с двумя факторами: эффектом модуляции проводимости и эффектом внутренней паразитной индуктивности. Из-за отсутствия эффекта модуляции проводимости SBD SiC может подвергаться воздействию только паразитной индуктивности, а нулевое прямое восстанавливающееся напряжение SBD SiC может быть в основном достигнуто за счет улучшения процесса.

2.2. Характеристики обратного восстановления

Характеристики обратного восстановления силового диода - важный показатель выбора диода, на который в основном влияет эффект модуляции проводимости и эффект паразитной емкости. Si-диод с быстрым восстановлением имеет эффект модуляции проводимости, с длительным временем обратного восстановления и большим выбросом тока обратного восстановления. Это может вызвать большие скачки напряжения на паразитной индуктивности в линии, что может увеличить напряжение напряжения силового устройства.SBD SiC не имеет эффекта модуляции проводимости, и на обратное восстановление в основном влияет паразитная емкость в цепи. В результате всплеск обратного тока небольшой, скорость переключения высокая, а потери переключения также малы.

3. Анализ коммутационных характеристик SiC MOSEFT

3.1. Характеристики переключения

Характеристики переключения SiC MOSFET в основном связаны с нелинейной паразитной емкостью полюсов. В таблице 1 приведены аналогичный уровень мощности (1200 В / 10 А) SiC MOSFET и входная емкость Ciss, выходная емкость Coss и емкость Миллера Crss емкость Si MOSFET [9, 10].Эти параметры паразитной емкости оказывают очевидное влияние на переходный процесс переключения силового полевого МОП-транзистора.

Таблица 1. Сравнение паразитной емкости полевых МОП-транзисторов.

902 902 IX218 902 902
Типы устройств Ciss (pF) Coss (pF) Crss (pF)
CMF10120D (SiC) 928 63 63 3400 280 105

Из таблицы 1, значения паразитной емкости всех полюсов MOSFET SiC намного меньше, чем у Si MOSFET при аналогичных уровнях мощности.Основываясь на процессе переключения MOSFET, чем меньше значение паразитной емкости, тем выше может быть скорость переключения MOSFET, что может сократить время процесса переключения. Чтобы уменьшить переходную область тока утечки и напряжения стока-истока в процессе переключения, то есть это может уменьшить потери переключения MOSFET.

3.2. Управляющие характеристики

Производительность схемы управления сеткой играет ключевую роль в процессе переключения полевого МОП-транзистора.При применении SiC MOSFET с быстрым переключением особенно необходимо серьезно рассмотреть существующие проблемы в схеме управления [8].

С точки зрения уменьшения сопротивления проводимости полезно установить более высокое управляющее напряжение SiC MOSFET. Но для процесса быстрого переключения SiC MOSFET скорость изменения тока стока велика, а скорость изменения напряжения истока стока велика, благодаря паразитной индуктивности и емкости Миллера в цепи он подключен к сети и подключен к электроду истока через сеточный резистор, в конечном итоге образуя петлю.Оба конца сопротивления сети вызовут серьезный скачок напряжения. Из-за возможного явления пробоя сети в процессе переключения SiC MOSFET значение положительного управляющего напряжения должно быть ограничено.

В процессе отключения из-за более низкого открытого напряжения SiC MOSFET скачок напряжения сети может привести к нарушению проводимости. Поэтому нам нужно установить отрицательное напряжение смещения, чтобы повысить помехоустойчивость сети. Самый прямой способ управления связью - уменьшить паразитный параметр в цепи и разумно выбрать управляющее сопротивление внешней сети.

4. Анализ характеристик потерь мощности карбида кремния MPS

Диод MPS представляет собой интегрированное диодное устройство, формирующее чистый PN переход в дрейфовой области диода Шоттки. Конструкция сетевой структуры, показанная на рисунке 1, не допускает взаимосвязи области обеднения PN-перехода в положительной и нулевой ситуации. Когда он работает положительно, когда ток течет через несколько проводящих каналов под барьером Шоттки, устройство является проводящим. Когда он работает отрицательно, PN-переход и барьер Шоттки смещены в обратном направлении, в результате чего область обеднения, образованная PN-переходом, простирается до области канала.Как только обратное напряжение смещения превысит определенное значение, истощающий слой барьера Шоттки будет перекрываться [11].

Рисунок 1. Структура диода MPS.

Когда слой истощения проходит, он образует потенциальный барьер в области канала. Чтобы увеличить обратное напряжение смещения от обедненного слоя в направлении подложки N +, он может поддерживать этот барьер и экранировать барьер Шоттки от напряжения смещения, подавляя эффект уменьшения барьера Шоттки и устраняя ток утечки.Как только устанавливается условие проникновения, другие параметры остаются постоянными в дополнение к небольшому увеличению внешнего тока утечки, вызванного областью пространственного заряда.

Потребляемая мощность устройства определяется ВАХ. Для устройств с 4 H-SiC MPS потребляемая мощность состоит из трех частей: первая - это потребляемая мощность при прямой проводимости, определяемая падением прямого напряжения, током прямой проводимости и рабочим циклом; второй - потребляемая мощность при обратной блокировке в зависимости от напряжения обратного смещения, тока утечки и рабочего цикла; третий - потребление энергии в процессе переключения, из-за высокой скорости переключения диода MPS, статическая потребляемая мощность является основной частью.

4.1. Потребляемая мощность при прямой проводимости

Предполагая, что ток прямой проводимости равен, время проводимости равно, общее рабочее время равно. Потребляемую мощность можно рассчитать по следующей формуле:

(1)

где - прямое падение напряжения на барьере Шоттки и дрейфовой области.

4.2. Потребляемая мощность при обратном блокировании

Предполагая, что приложенное напряжение смещения при обратном блокировании составляет В R , время проводимости равно, общее рабочее время равно.Потребляемая мощность при обратной блокировке P DR определяется по следующей формуле:

(2)

Комбинируя потребляемую мощность при прямой проводимости и обратной блокировке MPS, мы можем сделать вывод об общей потребляемой мощности P D :

(3)

4.3. Как температура влияет на энергопотребление

Когда температура устройства повышается, высота барьера Шоттки, скорость ионизации примеси дрейфовой области, подвижность электронов, коэффициент диффузии, срок службы и собственная концентрация носителей и т. Д., Эти факторы изменяются [12], что также приводят к энергопотреблению МПС.Поскольку SiC имеет «замороженный» эффект, который не полностью ионизируется при комнатной температуре, а скорость ионизации изменяется с изменением температуры, мы должны учитывать влияние температуры на энергопотребление при расчете зависимости между температурой и потребляемой мощностью.

В интервале температур 300 ~ 900 К собственный носитель материала SiC сильно изменяется с температурой. Хотя коэффициент диффузии и время жизни электронов меняются с температурой, изменение собственной концентрации носителей является основным фактором, влияющим на энергопотребление во время обратной блокировки.

5. Анализ характеристик потерь в клапане тиристора из карбида кремния постоянного тока сверхвысокого напряжения

5.1. Модель схемы

Система передачи постоянного тока сверхвысокого напряжения на основе тиристорного клапана представляет собой сложную систему, состоящую из множества электрических компонентов. Ситуация усложняется, если рассматривать систему обмена для связи преобразовательного трансформатора. Модель схемы упрощена без ущерба для принципа эквивалентности в этой статье. Мы используем идеальный источник напряжения для сети переменного тока.Принимая во внимание необходимость схемы коммутации, трансформатор преобразователя принимает идеальную модель трансформатора с последовательной индуктивностью рассеяния трансформатора и учитывает существующую паразитную емкость конца выводного провода трансформатора. Модель схемы однополюсного преобразователя показана на рисунке 2 [13-16].

Рисунок 2. Рабочий контур клапана преобразователя.

L μ - индуктивность утечки преобразовательного трансформатора; C t - паразитная емкость со стороны переменного тока; C ZV - емкость вывода клапана; R dcv - уравнительный резистор постоянного тока, эквивалентный вентилю; R дв - демпфирующее сопротивление клапана; C дв - демпфирующая способность клапана; R мВ - эквивалентное сопротивление вентильного реактора; L мВ - эквивалентная индуктивность вентильного реактора; R CuV - сопротивление катушки постоянного тока вентильного реактора; L 0V - индуктивность луча; C 0v - эквивалентная емкость вентильного реактора; C y - паразитная емкость со стороны постоянного тока; R a - клапанный разрядник.

5.2. Электрические параметры клапана преобразователя

Тиристор клапана преобразователя постоянного тока содержит в этой статье две конструктивные схемы: 1) использовать обычные коммерческие кремниевые устройства, то есть тиристор Zhuzhou KPE5000-72; 2) Тиристор из карбида кремния KPD5000-400 рассчитывается по характеристикам материала из карбида кремния, и сравниваются основные параметры, как показано в таблице 2 [17].

Таблица 2. Сравнение основных параметров тиристора кремния и тиристора из карбида кремния.

Из-за увеличения сопротивления напряжения одиночного тиристора из карбида кремния уменьшается большое количество тиристоров. Расчет каждого отдельного клапана (давление 200 кВ) серийный номер тиристора SIC равен 12, но серийный номер кремниевого тиристора равен 67.

Когда клапан преобразователя близок к 90 градусам, и когда ток нагрузки является максимальным значением Клапан подачи кремния и клапан потока карбида кремния, рабочие параметры приведены в таблице 3.При использовании тиристорного клапана из карбида кремния, когда клапан близок к 90 градусам, мы предполагаем, что влияние реактора насыщения не изменилось. Когда ток клапана достигает нуля, di / dt остается постоянным. В соответствии с соотношением зарядов обратного восстановления между тиристором из карбида кремния и тиристором кремния, комбинируя характеристическую кривую заряда обратного восстановления, мы можем вычислить пиковое значение тока обратного восстановления IRM = 130 А, а заряд обратного восстановления составляет Qn = 760 мкКл.

Таблица 3. Параметры цепи кремниевого клапана и клапана из карбида кремния.

5.3. Метод расчета потерь вентильного блока преобразователя

Теория схем указывает, что мгновенная потребляемая мощность элемента схемы равна произведению напряжения и тока на обоих концах элемента (P = UI), и если элемент схемы является элементом сопротивления, потребляемая мощность элемента сопротивления преобразуется в джоулевое тепло. В рабочем цикле T средние потери резистивного элемента составляют:

(4)

При исследовании основных компонентов электрической модели коммутационного клапана электрическая модель тиристора в различных рабочих условиях представляет собой серию сопротивления, напряжения или источника напряжения и резистора; R м представляет потери в активной зоне насыщаемого реактора, R Cu представляет насыщенную обмотку реактора.Потери каждого компонента можно рассчитать в соответствии с формулой (4), если определены напряжение и ток на концах этих резисторов.

5.4. Потери клапана преобразователя и температура перехода тиристора в различных рабочих условиях

Рассчитанные по потерям компонентов клапана преобразователя, компоненты коммутации неизбежно приводят к потерям во время работы. Потери, связанные с тиристором (потеря состояния, потеря открытия, потеря выключения и потеря состояния выключения), увеличивают температуру перехода тиристора.Блокирующая способность тиристора тесно связана с температурой перехода тиристора. Если температура перехода тиристора превышает номинальную температуру перехода, тиристор может потерять способность к блокировке, что приведет к потере нормальной работы клапана преобразователя [18]. Для обеспечения температуры перехода тиристора выходной клапан преобразователя постоянного тока снабжен системой водяного охлаждения.

5.5. Экономические преимущества тиристора из карбида кремния

Можно видеть, что тиристор SiC может уменьшить потери клапана преобразователя постоянного тока в различных рабочих условиях.Эта экономия может быть предоставлена ​​пользователю, принося двойную выгоду - энергосбережение, защиту окружающей среды и экономическую прибыль. Взяв в качестве примера обменную коммутацию постоянного тока ± 800 кВ, 5 кА, мы оценили прямые экономические выгоды от использования одного клапана из карбида кремния вместо одного клапана из кремния. Предположим, что клапан преобразователя постоянного тока находится в номинальных условиях эксплуатации 365 дней в году [17]. Потеря мощности одного клапана из карбида кремния составляет 136 кВт, поэтому при использовании одного клапана из карбида кремния годовая потребляемая мощность составляет 397 МВт, а годовая потребляемая мощность одного клапана составляет 726 МВт.В проекте постоянного тока, если использование тиристорного клапана SiC может сэкономить 397 МВт · ч в год, согласно обычным жильцам плата за электроэнергию 0,5 юаня / кВт · ч для расчета, годовая экономия на потерях электроэнергии может напрямую принести прибыль в размере 17,5 миллионов юаней.

6. Сравнительный анализ потерь мощности SiC MOSFET и Si MOSFET в импульсных источниках питания

6.1. Анализ потерь мощности импульсного источника питания

Потери мощности MOSFET в импульсном источнике питания в основном связаны с потерями проводимости и коммутационными потерями [19].Конкретный анализ представлен следующим образом:

6.1.1. Потери проводимости

Потери проводимости MOSFET P Q в импульсном источнике питания определяются сопротивлением проводимости R Q (on) , расчет потерь проводимости P Q показан в формуле (5):

(5)

где - значение тока, протекающего через переключающую трубку. При условии сохранения того же самого, PQ пропорционален сопротивлению проводимости R Q (on) .Размер R Q (на) изменяется с температурой перехода T полевого МОП-транзистора, Конкретное соотношение. где - постоянная, Si - 2,42, а SiC - 1,3 [20]. При высокой температуре перехода 135 ° C сопротивление SiC MOSFET увеличивается только на 20%, в то время как Si MOSFET увеличивается на 240%. Следовательно, устройство SiC MOSFET подходит для работы в высокотемпературной среде, и по сравнению с устройством SiC MOSFET требуется только меньший радиатор.

6.1.2. Коммутационные потери

Коммутационные потери возникают из-за времени переключения полевого МОП-транзистора. В процессе связи и прерывания полевого МОП-транзистора из-за одновременной работы эффективного напряжения и тока стек переключателей полевого МОП-транзистора имеет долгое время, чтобы вызвать потерю полевого МОП-транзистора. Расчет потерь переключения P SW показан по формуле (6):

(6)

Потери переключения P SW MOSFET В основном включают потери открытия и потери при отключении.Размер P SW связан не только с напряжением стока истока переключающей трубки и током стока, но также связан со временем открытия t на переключающей трубки и временем выключения t с . чем меньше емкость MOSFET Миллера между сеткой и стоком, тем выше скорость переключения MOSFET, тем меньше потери переключения [21].

При одинаковом напряжении на шине питания U S и одинаковой выходной мощности потери переключения обратного импульсного источника питания в основном являются потерями при выключении.Из-за того, что в процессе размыкания напряжение стока-истока уменьшается до близкого к 0 от напряжения на шине питания U S , ток стока медленно растет. Следовательно, относительные потери при выключении и открытии очень малы, почти несущественны.

6.2. Сравнительный тест характеристик переключения SiC MOSFET и Si MOSFET

6.2.1. Скорость переключения SiC MOSFET и Si MOSFET

Скорость переключения SiC MOSFET и Si MOSFET сравнивается с тестом соответственно, который показывает изменение напряжения источника сетки SiC MOSFET и Si MOSFET в процессе переключения.Эксперимент показывает, что SiC MOSFET намного быстрее, чем Si MOSFET. Следовательно, потери при выключении SiC MOSFET будут значительно меньше, чем потери при выключении Si MOSFET.

6.2.2. Сравнительный тест потери мощности полевого МОП-транзистора

Потери на открытие, потери при выключении, потери проводимости и общие потери SiC MOSFET и Si MOSFET в период переключения рассчитываются с помощью программного обеспечения для расчета тестов, поставляемого с осциллографом изолирующего канала TPS2024. Поскольку скорость переключения SiC MOFET значительно выше, чем Si MOSFET, существует значительная разница в потерях при выключении.Потери при выключении Si MOSFET составляют 6,26 Вт, а потери при выключении SiC MOSFET - 61,0 Вт. Из-за ограничений в напряжении управления микросхемой ШИМ в тесте напряжение управления сеткой MOSFET составляет 12 В, сопротивление проводимости SiC MOSFET примерно в 3 раза больше, чем при напряжении сетки 20 В. Таким образом, нет очевидных преимуществ SiC MOSFET в отношении потерь проводимости, оба они составляют 2,59 Вт. Из-за потерь при переключении обратного импульсного источника питания в основном это потери при выключении, а потери при открытии очень малы, потери при открытии двух устройств в тесте равны 0.

Если напряжение возбуждения сетки SiC MOSFET достигает 20 В, сопротивление проводимости будет уменьшено до 1/4 при напряжении сети 12 В.

6.3. Сравнительный тест эффективности импульсного источника питания

По сравнению с высокой скоростью переключения Si MOSFET и SiC MOSFET, потери мощности в импульсном источнике питания с обратным ходом могут значительно снизиться. Чтобы проверить эффект потери мощности SiC MOSFET в импульсном источнике питания, мы протестируем входную мощность импульсного источника питания SiC MOSFET и Si MOSFET соответственно [22].

Он показывает, что входная мощность импульсного источника питания SiC MOSFET составляет 1,28 кВт, а входная мощность импульсного источника питания Si MOSFET (эффективная) составляет 1,33 кВт с разницей в 0,05 кВт. Это часть того, что потери Si MOSFET выше, чем у SiC MOSFET, и составляют 3,8% от общей входной мощности. Это указывает на то, что даже если мы напрямую будем использовать SiC MOSFET вместо Si MOSFET, это также повысит эффективность почти на 4%, а если напряжение сетевого привода достигнет 20 В, повышение эффективности будет более очевидным.

7. Заключение

В данной статье мы исследуем характеристики и параметры SiC SBD и SiC MOSFET. Основное содержание представлено следующим образом:

1) Описать состояние исследований применения силовых устройств на основе SiC и указать на проблемы применения силовых устройств на основе SiC.

2) Изучить характеристики переключения SiC SBD и SiC MOSFET, а также сравнить и проанализировать характеристики переключения силового устройства SiC и силового устройства Si.

На основе анализа характеристик потерь мощности карбид кремниевых MPS, клапанных потерь высоковольтного тиристора из карбида кремния постоянного тока и потерь мощности Si MOSFET и SiC MOSFET в импульсном источнике питания. Можно сделать вывод, что устройство из карбида кремния имеет следующие преимущества:

1) Мы можем получить наилучшие характеристики потерь мощности, выбрав соответствующие параметры конструкции. Следовательно, применение MPS предназначено для высокотемпературных систем с высокой мощностью.

2) При использовании тиристоров из карбида кремния вместо кремниевых тиристоров из-за того же угла срабатывания триггера общие потери мощности значительно снижаются.Это может значительно снизить требования к охлаждающему оборудованию, получить больше преимуществ для нормальной работы в системе постоянного тока с точки зрения эксплуатации и может сэкономить большое количество электроэнергии в год, принося экономические выгоды, которые нельзя игнорировать.

3) SiC MOSFET - это устройство переключения высокого напряжения с отличными характеристиками. Он не только обладает хорошей блокирующей способностью и низким напряжением включения, но также имеет чрезвычайно высокую скорость переключения, которая может использоваться для поля преобразователя мощности с переключением высокого напряжения и высокой частоты.

Ссылки

  1. Цянь Чжаомин, Шэн Куанг. Развитие и перспективы мощных полупроводниковых устройств [J]. Преобразовательная технология и электрическая тяга, 2010, (1): 1-9.
  2. Чэнь Чжимин, Ли Шоучжи. Широкозонные полупроводниковые силовые электронные устройства и их применения [M]. Пекин: China Machine Press, 2009.
  3. Агарвал А. К. Обзор силовых устройств на основе SiC [A]. ICPCES 2010 [C]. 2010, 1-4.
  4. Агарвал А., Калланан Р., Дас М. и др.Усовершенствованные устройства HF SiC MOS [A]. Силовая электроника и приложения, 13-я Европейская конференция 2009 г. [C]. 2009. 1,8-10.
  5. Jiang Dung, Burgos R, Wang Fei, et al. Температурно-зависимая характеристика устройств SiC: оценка производительности и расчет потерь [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2012, 27 (2): 1013-1024.
  6. Глейзер Дж. С., Насадоски Дж. Дж., Лоси П. А. и др. Прямое сравнение силовых транзисторов из кремния и карбида кремния в высокочастотных устройствах с жесткой коммутацией [A].APEC2011 [C]. 2011. 1049-1056.
  7. Alatise O, Parker-Allotey N.A, Mawby P. Динамические характеристики SiC-диодов с барьером Шоттки с паразитными индуктивностями в широком диапазоне температур [A]. PEMD2012 [C]. 2012, 1-6.
  8. Чжао Бинь, Цинь Хайхун, Ма Сею и др. Исследование коммутационных характеристик силовых устройств на основе SiC [J]. Передовые технологии электротехники и энергетики, 2014, 33 (3): 18-22.
  9. http://www.cree.com/.
  10. http: // www.ixys.com/.
  11. Ню Синьцзюнь, Чжан Юймин, Чжан Иньмэнь и др. Анализ характеристик рассеивания мощности МПС на основе SiC [J]. ИССЛЕДОВАНИЯ И ПРОГРЕСС SSE, 2003, 23 (2): 193-198.
  12. Чжан Юмин, Исследование материалов и устройств из карбида кремния, докторская диссертация, Сианьский университет Цзяо Тонг, 1998. 4.
  13. IEC61803-1999, Определение потерь мощности в высоковольтном преобразователе постоянного тока [S].
  14. Cepek M. Измерение потерь в высоковольтных тиристорных вентилях [J].IEEE Trans on Power Delivery, 1994, 9 (3): 1222-1236.
  15. Kimbark E W. Передача постоянного тока: Vol.I [M]. Нью-Йорк: John & Sons, Inc, 1971: 21-25.
  16. Ульманн Э. Передача энергии постоянным током [M]. Гейдельберг, Нью-Йорк: Springer-Verlag Berlin, 1995: 37-41.
  17. Jin Rui, Lei Linxu, Wen Jialiang и др. Обсуждение потери мощности клапанов преобразователя HVDC, использующих тиристоры из карбида кремния [J]. Технология энергосистем, 2011, 35 (3): 8-13.
  18. Вен Цзялян, Чжа Кунпэн, Гао Чонг и др.Исследование и разработка комплексных эксплуатационных испытаний тиристорных клапанов сверхвысокого напряжения постоянного тока [J]. Технология энергосистем, 2010, 34 (8): 1-5.
  19. Sha Zhanyou, Wang Yanpeng, Ma Hongtao и др. Оптимальная конструкция импульсного источника питания [M]. Пекин: China Electric Power Press, 2009: 260-261.
  20. Хоссейни Агдам М. Г., Тирингер Т. Сравнение силовых полупроводниковых устройств на основе SiC и Si, которые будут использоваться в преобразователе постоянного тока 2,5 кВт [C]. Международная конференция по силовой электронике и приводным системам, PEDS, 2009: 1035-1040.
  21. Натабхат Панконг, Цуёси Фунаки, Такаши Хикихара. Характеристика зависимости входной емкости SiC MOSFET от напряжения затвора [J]. IEICE Electronics Express, 2010, 7 (7): 480-486.
  22. Цао Хункуй, Чэнь Чжибо, Мэн Линан. Сравнительный анализ потерь мощности SiC MOSFET в импульсных источниках питания [J]. Журнал Технологического университета Ляонин (издание по естествознанию), 2014 г., 34 (2): 82-85.

FD500JV-90DA datasheet - Soft Recovery Diode For High Power, High Frequency,

1N4749A : стабилитрон 24 В, 1 Вт.Время распределения мощности выше C Температура хранения Диапазон рабочей температуры перехода Термическое сопротивление Переход к выводу Термическое сопротивление Переходная температура Температура вывода (1/16 дюйма от корпуса в течение 10 секунд) Импульсная мощность ** * Эти номинальные значения являются предельными значениями, превышение которых может ухудшить работоспособность диода. ** Единовременно.

2PA733 : Дополнительный N / P FET. 2PA733; Транзистор общего назначения PNP. Низкий ток (макс. 100 мА) Низкое напряжение (макс. 50 В).ПРИМЕНЕНИЕ Коммутация и усиление общего назначения. Транзистор ПНП ТО-92 (СОТ54) пластиковый корпус. Дополнение NPN: 2PC945. КОНТАКТНЫЙ ПИН 2 3 базовый коллектор-излучатель ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с Системой абсолютных максимальных номинальных значений (IEC 134). СИМВОЛ VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM Ptot Tstg Tj Tamb Примечание.

GSQ10A04B : Устройство = SBD ;; Пиковое обратное напряжение (В) = 40 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 10 ;; Условия (cace или температура окружающей среды) = Tc = 119 ;; Импульсный прямой ток (A) = 180 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150 ;; Температура хранения (C) = от -40 до 150 ;; Пиковое прямое напряжение (В) = 0.59 ;; Пиковый прямой ток (A) = 10 ;; Пик обратный.

IRLR / U3103 : HexFET (r) силовой MOSFET: 30 В, 55a. Привод логического уровня l Сверхнизкое сопротивление на поверхности l Монтаж на поверхности (IRLR3103) l Прямой вывод (IRLU3103) l Передовые технологические процессы l Быстрое переключение l Полностью лавинные HEXFET-транзисторы пятого поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения минимально возможного на -сопротивление на площадь кремния. Это преимущество в совокупности.

SMAJ4728thruSMAJ4764 : стабилитрон 2 Вт 3.От 3 до 100 В. Для поверхностного монтажа (плоская рабочая поверхность для точного размещения) Диапазон напряжения от 3,3 до 100 В Высокий номинальный импульсный ток Доступны более высокие напряжения Электрически эквивалентны зарегистрированным JEDEC 1N4728A - 1N4764A Доступны на ленте и на катушке. Корпус аналогичен JEDEC DO-214AC (см. Примечание к размеру «A»). Клеммы можно паять согласно MIL-STD-750.

STB5NA80 : Высокое напряжение. Старый ТОВАР: не подходит под дизайн-в. ТИПИЧНЫЙ RDS (вкл.) = 1,8 ПРОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ЛАВИНЫ 100% ИСПЫТАННЫЕ В ЛАВИНАХ ДАННЫЕ ПО ПОВТОРНОЙ ЛАВИНЕ ПРИ 100 ° C НИЗКИЙ ЗАРЯД ЗАРЯДА ОЧЕНЬ ВЫСОКИЙ ТОК ПРИЛОЖЕНИЕ ОРИЕНТИРОВАННАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ НА БЛОК-ОТВЕРСТИЕ В БЛОКЕ I2 "(ПАРАМЕТР I2PAK) -МОНТАЖ D2PACK (TO-263) СИЛОВОЙ ПАКЕТ В ТРУБКЕ (БЕЗ СУФФИКСА) ИЛИ В ЛЕНТЕ И БАРАБАНЕ (СУФФИКС "T4").

NTTFS4932N : силовой полевой МОП-транзистор 30 В, 79 А, 4 МОм, одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор U8FL, одиночный N-канал, 30 В, 93 А, корпус u8FL.

D1204UKG4 : ДИАПАЗОН УВЧ, Si, N-КАНАЛ, ВЧ МОЩНОСТЬ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы: Улучшение; V (BR) DSS: 40 вольт; Тип упаковки: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, КЕРАМИЧЕСКИЙ, DT, 6-КОНТАКТНЫЙ; Количество блоков в ИС: 1.

MPT20 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 3 Вт, 1; 5%, 50; 100 ppm, 0,05 Ом - 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Отверстие, ТО-220; Рабочее напряжение постоянного тока: 350 вольт; Рабочая температура: от -55 до 150 C (от -67 до 302 F).

RB480KS-TP : 0,1 А, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-5; Количество диодов: 1; IF: 100 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

SIL630-1R2 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1,2 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Литой / экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1.2 мкН; Номинальный постоянный ток: 3500 миллиампер.

STRh23N20SY1 : 13 А, 200 В, 0,22 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 200 вольт; rDS (вкл.): 0,2200 Ом; Тип упаковки: С ГЕРМЕТИЧЕСКИМ УПЛОТНЕНИЕМ, SMD-0.5, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

T-717 : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

125WL : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 2000 В, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -30 до 85 C (от -22 до 185 F).

1N5551D3A : 3 А, 440 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Конфигурация: Одиночный; Упаковка: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, КЕРАМИЧЕСКАЯ, DLCC3, ВАРИАНТ A, 2 КОНТАКТА; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; IF: 3000 мА; trr: 2 нс; VRRM: 440 вольт.

2N2972 : 30 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-71. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-71, 8 ПИН.

63MXC10000MEFCSN35X45 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 63 В, 10000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 10000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 63 вольта; Ток утечки: 2381 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F).

7446924003 : 2 ЭЛЕМЕНТ, 3300 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 2; Тип вывода: Радиальный, ПРОВОДНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: универсальное; Диапазон индуктивности: 3300 мкГн; Номинальный постоянный ток: 4000 миллиампер; Рабочая температура: от -25 до 125 C (от -13 до 257 F).

% PDF-1.3 % 63 0 объект > эндобдж xref 63 95 0000000016 00000 н. 0000002265 00000 н. 0000002522 00000 н. 0000002662 00000 н. 0000003369 00000 н. 0000003602 00000 н. 0000003666 00000 н. 0000003786 00000 н. 0000003918 00000 н. 0000004070 00000 н. 0000004258 00000 п. 0000004387 00000 п. 0000004504 00000 н. 0000004573 00000 н. 0000004754 00000 н. 0000004818 00000 н. 0000004996 00000 н. 0000005059 00000 н. 0000005237 00000 п. 0000005301 00000 п. 0000005475 00000 н. 0000005538 00000 п. 0000005719 00000 н. 0000005783 00000 н. 0000005959 00000 н. 0000006022 00000 н. 0000006200 00000 н. 0000006264 00000 н. 0000006437 00000 н. 0000006500 00000 н. 0000006638 00000 н. 0000006702 00000 н. 0000006831 00000 н. 0000006894 00000 н. 0000007029 00000 н. 0000007093 00000 н. 0000007217 00000 н. 0000007280 00000 н. 0000007419 00000 п. 0000007484 00000 н. 0000007626 00000 н. 0000007690 00000 н. 0000007821 00000 н. 0000007886 00000 н. 0000007950 00000 н. 0000008071 00000 н. 0000008189 00000 н. 0000008310 00000 н. 0000008492 00000 п. 0000008615 00000 н. 0000008745 00000 н. 0000008878 00000 н. 0000009029 00000 н. 0000009174 00000 н. 0000009302 00000 н. 0000009430 00000 н. 0000009569 00000 н. 0000009600 00000 н. 0000009792 00000 н. 0000009981 00000 н. 0000010158 00000 п. 0000010367 00000 п. 0000010583 00000 п. 0000010792 00000 п. 0000011504 00000 п. 0000012128 00000 п. 0000012169 00000 п. 0000012477 00000 п. 0000012499 00000 п. 0000013529 00000 п. 0000013551 00000 п. 0000014205 00000 п. 0000014227 00000 п. 0000014998 00000 н. 0000015020 00000 н. 0000015799 00000 п. 0000015821 00000 п. 0000016593 00000 п. 0000016868 00000 п. 0000017292 00000 п. 0000017704 00000 п. 0000019418 00000 п. 0000019694 00000 п. 0000019716 00000 п. 0000020520 00000 п. 0000020542 00000 п. 0000021265 00000 п. 0000021287 00000 п. 0000022118 00000 п. 0000044595 00000 п. 0000044735 00000 п. 0000047168 00000 п. 0000071360 00000 п. 0000002727 00000 н. 0000003347 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 64 0 объект > -2> -2> ] >> / JT 61 0 R / AcroForm 66 0 R >> эндобдж 65 0 объект c`n8r6j \ nPЇ_o.O! N, ީ pQ & * d̫) / P -60 >> эндобдж 66 0 объект > эндобдж 156 0 объект > транслировать ! N`fa) KʮVLr * " I [pY% T П; G) JC y RR! Cí $) [pe = uR; fBc1 QoqTOeԡO} 2 $ l ߥ! BNNjM7) [ ɢWHr՜ x rF

Microsoft Word - Disc_Coverpage.doc

% PDF-1.6 % 7 0 объект > эндобдж 4 0 объект > поток Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows) PScript5.dll Версия 5.2.22009-02-18T09: 23: 27 + 01: 002009-02-18T09: 21: 37 + 01: 002009-02-18T09: 23: 27 + 01: 00application / pdf

  • Microsoft Word - Disc_Coverpage.doc
  • BhaleraoP
  • uuid: 517923ae-4166-45b1-a569-f552ae853a2buuid: 35850663-1d1b-466e-9602-4d2f58d52505 конечный поток эндобдж 956 0 объект > / Кодировка >>>>> эндобдж 3 0 obj > эндобдж 551 0 объект > эндобдж 929 0 объект > эндобдж 827 0 объект > эндобдж 679 0 объект > эндобдж 550 0 объект > эндобдж 390 0 объект > эндобдж 296 0 объект > эндобдж 230 0 объект > эндобдж 176 0 объект > эндобдж 124 0 объект > эндобдж 64 0 объект > / Тип / Страница >> эндобдж 54 0 объект > / Тип / Страница >> эндобдж 44 0 объект > / Тип / Страница >> эндобдж 34 0 объект > / Тип / Страница >> эндобдж 19 0 объект > / Тип / Страница >> эндобдж 33 0 объект > поток х͙ ێ) хх (D rzMʅ # kme0Vf8 # xagf_ $ ٷ h [ݽݽ Uv / n) kuѪny VtQowWӣ & ژ h 磌}.3 / 1O Zp}> ?; C> g + eB ֕ 1: 0] aaѯEgXjy / 8tN kH "% C

    404 | Vincotech

    • английский
    • Китайский
    • Товары Поиск продуктов
      • Все продукты
      • По топологии
      • По жилью
      • По заявке

      Модули питания

      • Выпрямитель (+ Тормоз)
      • Сверхбыстрый выпрямитель
      • Шесть пакетов
      • Sixpack + выпрямитель
      • Sevenpack
      • PIM (CIB)
      • PIM + PFC (CIP)
      • IPM (CIB)
      • IPM (CIP / PIM + PFC)
      • Полумост
      • H-мост
      • Однофазный инвертор
      • H6.5
      • Бустер
      • Трехуровневый бустер FC
      • Бустер симметричный
      • Бак-Бустер Симметричный
      • PFC (однофазные приложения)
      • PFC (трехфазные приложения)
      • Трехуровневый NPC (I-Тип)
      • Трехуровневый MNPC (T-Type)
      • Трехуровневый ANPC

      Резисторы

      • Тормозные резисторы
      • Пусковые резисторы

      Реле

      • Твердотельные реле (SSR)
    • Поддержка и документы
      • Техническая библиотека
      • Размеры корпуса / инструкции по обращению
      • Оценочная плата / эталонный дизайн
      • Программное обеспечение для моделирования
      • Продукты для конкретных приложений
      • Сертификаты
      • Запросить образец
      • Каталог товаров
      • Название продукта
      • Глоссарий Винкотек
      • Перекрестная ссылка
      • Ссылка на термистор
    • Технологии и инновации
      • Материал подложки - AlN
      • Материал подложки - Si₃N₄
      • Спеченный Die Attach
      • Предварительно нанесенный материал с фазовым переходом
      • Предварительно нанесенная термопаста
      • Шаблон TIM
      • Защита материала термоинтерфейса - ProCap
      • Технология прессовой посадки
      • Инструменты для запрессовки
      • Передовые полупроводниковые технологии
    • Компания
      • Профиль
      • Миссия
      • История
      • Качество
      • Лидерство
      • Устойчивость
      • Социальная ответственность
      • Контакт
    • Новости
      • Новости о продуктах
      • Новости компании
      • Выставки
      • Подписка на рассылку новостей
      • Видео
      • Вебинары
    • Карьера
      • Работа в Винкотек
      • Отзывы
      • Открытые позиции
      • Контакт
    Закрыть меню
    1. Дом

    Страница не найдена.

    Вернуться домой.

    • Контакт
    • Запросить отзыв
    • Запросить образец

    Оставайтесь на связи

    • Твиттер
    • LinkedIn
    • Facebook
    • YouTube
    • Син
    • Сина Weibo
    • BAIDU Pedia
    • WeChat
    • Новостная рассылка
    • Условия и положения
    • Политика конфиденциальности
    • Отказ от ответственности
    • авторское право
    • Отпечаток
    • Карта сайта
    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *