Тиристорный ключ: Тиристорные ключи на постоянном напряжении. Что такое тиристор. Принцип работы и правила пользования

Содержание

Тиристорный ключ — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Тиристорный ключ

Cтраница 1


Тиристорный ключ Г / С, так же как и тиристорный регулятор напряжения ТРИ, при анализе работы двигателя в электроприводе можно считать практически безынерционным.  [2]

Тиристорные ключи используются для управления бесконтактным реверсивным пускателем.  [3]

Тиристорный ключ состоит из двух встречно включенных тиристоров. В зависимости от рабочего напряжения ключа используется последовательное соединение нескольких относительно низковольтных тиристоров в каждом плече.  [4]

Тиристорный ключ ТК изображен на схеме в виде переключателя с последовательно включенным диодом.  [6]

Такие тиристорные ключи являются основой однофазных и трехфазных коммутирующих устройств.

На рис. 23 — 14 в качестве примера изображена схема реверсивного пускателя для асинхронных двигателей. Трансформаторы тока ТТ1 и ТТ2 подают сигнал перегрузки в блок защиты БЗ, который, воздействуя на базу транзистора Т21, снимает питание реле К1 и К2 и тем самым приводит к отключению пускателя.  [8]

Сопротивление тиристорного ключа в открытом состоянии определяется остаточным напряжением [ / ОСт, измеренным при протекании максимального прямого тока / прмакс, который задается исходя из максимально допустимой мощности рассеивания на тиристоре Рмакс.  [9]

Работа тиристорного ключа аналогична работе синхронного прерывателя, включенного между источником питания и нагрузкой. Фазовый угол в момент включения тиристора, называемый углом регулирования а, определяет выходное напряжение.  [10]

Схема тиристорного ключа, приведенная на рис. 10.2, б, может работать в режиме триггера.  [11]

К тиристорным ключам с коммутацией тока нагрузки в цепь управления относятся GCT-приборы и индукционные тиристоры.  [12]

Управление тиристорными ключами осуществляется импульсами с высокой частотой, создаваемыми блокинг-генераторами, которые возбуждаются в зависимости от сигнала регулятора.  [13]

Микросхемы представляют собой тиристорный ключ.  [14]

На работу тиристорного ключа, а следовательно, и всех тиристорных импульсных схем определяющее влияние оказывают переходные процессы включения и выключения в четырехслойной р-п-р-п структуре.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Управление тиристорными ключами на первичной стороне вольторегулирующих трансформаторов Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Устройства аналоговой и цифровой электроники

УДК 621.314 DOI: 10.14529/power150410

УПРАВЛЕНИЕ ТИРИСТОРНЫМИ КЛЮЧАМИ НА ПЕРВИЧНОЙ СТОРОНЕ ВОЛЬТОРЕГУЛИРУЮЩИХ ТРАНСФОРМАТОРОВ

Е.Л. Файда, А.П. Сивкова

Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск

Статья посвящена анализу работы тиристорных ключей на первичной стороне вольтодобавочных и вольтовычетающих трансформаторов. Показана взаимосвязь углов выключения тиристорных ключей и начальной магнитной индукции на момент их включения. Даны рекомендации по выбору углов включения тиристорных ключей, обеспечивающих работу трансформаторов без выбросов тока намагничивания. Предложена схема компенсации тока холостого хода вольтодобавочного трансформатора, позволяющая управлять тиристорными ключами с фиксированным углом включения при изменении тока нагрузки почти от холостого хода до номинального значения. Отмечено отличие в управлении тиристор-ными ключами вольтодобавочного и вольтовычетающего трансформаторов. Приведены диаграммы токов, напряжений и магнитной индукции, иллюстрирующие работу вольтовычетающего трансформатора. Результаты работы могут представлять интерес для специалистов в области силовой электроники и полупроводниковой преобразовательной техники.

Ключевые слова: вольторегулирующий трансформатор, тиристорный ключ, ток намагничивания, магнитная индукция.

1. Общие положения и допущения

В мощных стабилизаторах переменного напряжения регулирование чаще всего осуществляется путем переключения первичных обмоток кас-кадно соединенных вольторегулирующих (вольтодобавочных и вольтовычетающих) трансформаторов [1]. В работе [2] подробно рассмотрены особенности включения тиристорного ключа на первичной стороне трансформатора без выбросов тока намагничивания. Необходимость отдельного рассмотрения условий включения тиристорных ключей на первичной стороне вольторегулирую-щего трансформатора (далее по тексту трансформатор) обусловлена наличием электрической связи между обмотками и необходимостью замыкания выводов первичной обмотки при ее отключении.

При анализе электромагнитных процессов отключения тиристорного ключа, последовательно соединенного с первичной обмоткой трансформатора, приняты следующие допущения:

а) не учитываются активные сопротивления и индуктивности рассеяния обмоток трансформатора и вихревые токи в магнитопроводе;

б) тиристорный ключ считается идеальным;

в) выключение тиристоров происходит при нулевых значениях тока через них;

г) трансформатор является воздушным с коэффициентом связи катушек равным единице. коммутируется тиристорными ключами К1 и К2. Каждый ключ содержит пару встречно-параллельно соединенных тиристоров УТ1, УТ2 и УТ 3, УТ4.

Когда тиристорный ключ К1 включен, а тири-сторный ключ К2 отключен, первичная обмотка w1 зашунтирована, и э.д.с. вторичной обмотки W2 трансформатора ТУ близка к нулю. Напряжение на нагрузке ин практически равно напряжению на входе и. Включение тиристора УТ3 приводит к запиранию тиристора УТ1, а включение тиристора УТ4 вызывает запирание тиристора УТ2. Когда тиристорный ключ К1 отключен, а тиристорный ключ К2 включен, э.д.с. вторичной обмотки трансформатора добавляется к напряжению на входе и. Углом включения а тиристорного ключа К2 можно управлять. После снятия управляющих импульсов тиристорный ключ К2 отключается при угле отключения в в момент нулевого значения тока ¿1 первичной обмотки трансформатора. Значения углов а и в отсчитываются от момента перехода через ноль напряжения и. Тиристорный ключ К2 является ведущим, а тиристорный ключ К1 ведомым. Моменты включения и отключения ти-ристорного ключа К1 совпадают с моментами от-

Устройства аналоговой и цифровой электроники

Рис.1. Электрическая схема вольтодобавочного трансформатора, коммутируемого тиристорными ключами

ключения и включения тиристорного ключа К2 соответственно.

Зная значение магнитной индукции Вр в момент отключения тиристорного ключа К2 и изменение магнитной индукции ДВ за время его отключенного состояния, можно определить значение начальной магнитной индукции Ба в момент включения тиристорного ключа К2:

Ba= Bp-AB.

(1)

Для определения угла р запишем систему уравнений для вольтодобавочного трансформатора, работающего при включенном тиристорном ключе К2 на активно-индуктивную нагрузку с параметрами Ян и Lн (подключение конденсатора С параллельно нагрузке пока не учитывается):

г di. ;

‘ = I e

1св 1тсве

tg Фн

— свободная составляющая тока

первичной обмотки трансформатора с амплитудой 11тсв, где Х1 = юLl и Хн = — индуктивные сопротивления первичной обмотки трансформатора и на-

грузки; n = —

1

w + w

— коэффициент трансформации

‘2

вольтодобавочного трансформатора; m = arctg —

R

угол сдвига между фазами тока и напряжения нагрузки.

Оценим влияние каждой составляющей тока i1 на угол в и значение магнитной индукции Bр .

Значением /1св на момент отключения тиристорного ключа К2 можно пренебречь, если продолжительность его включенного состояния удовлетворяет условию

ю* / tg фн > 3. (4)

Из выражения (4) следует, что свободная составляющая /1св с момента включения тиристорного ключа К2 затухает за один период сети, если cos фн > 0,45. Несложно показать, что ток первичной обмотки трансформатора до и после коммутации тиристорного ключа К2 отличается лишь на составляющую тока холостого хода трансформатора. Следовательно, амплитуда свободной составляющей тока первичной обмотки не будет превосходить амплитуду тока холостого хода трансформатора: 1т1св < Um /Х1. Учитывая малую амплитуду и быстрое затухание свободной составляющей, влиянием ее на угол в можно пренебречь. В дальнейшем анализ выполнен без учета свободной составляющей.

Bulletin of the South Ural State University. Ser. Power Engineering.

2015, vol. 15, no. 4, pp. 69-73

Файда Е.Л., Сивкова А.П.

Управление тиристорными ключами на первичной стороне вольторегулирующих трансформаторов

При холостом ходе вольтодобавочного трансформатора

h — In — ‘

Um

X

sinI rot

(5)

Так как i0(rat) = 0 при rat = п / 2, то при снятии управляющих импульсов тиристорный ключ К2 будет отключаться с углом ß = п / 2. При этом значение индукции Bß будет равно нулю, что следует из закона изменения магнитной индукции в установившемся режиме [3]:

B — — Bm cos rot, (6)

где Bm — максимальная индукция.

При токовых нагрузках трансформатора, близких к номинальному значению, влияние составляющей тока i0 на момент отключения тири-сторного ключа К2 незначительно, и ток первичной обмотки может быть определен по выражению

h2 — in —

1 — n n2 z„

Um Sin (rot -Фн ) .

(7)

Ток ¿1н(ю/) = 0 при ю/ = фн, то есть моменты отключения тиристорного ключа К2 будут определяться параметрами нагрузки: в = фн. Учитывая закон изменения магнитной индукции (6),

Bß — -Bm C0S Фн .

(8)

В зависимости от cos фн значение магнитной индукции Bp может находиться в двух диапазонах.

Если обозначить через kn = Br / Вт коэффициент прямоугольности петли гистерезиса, где Br — остаточная магнитная индукция, то при cos фн > кп магнитная индукция Bp при токовых нагрузках, близких к номинальной будет находиться в диапазоне

\Bm\> |£р|> \БГ\. (9)

Если параллельно нагрузке включить конденсатор С (см. рис. 1), компенсирующий в полном токе i1 составляющую тока i0, то при cos фн > кп значение индукции Вр будет находиться в диапазоне (9) независимо от величины токовой нагрузки: почти от холостого хода до номинального значения. Емкость конденсатора определяется из равенства модулей выражений (5) и (7) при 2н=1/ юС

C —-

2 г П 1„

(1 — n)ro Uп

(10)

где Im0 = Um /Х\ — амплитуда эквивалентного синусоидального тока холостого хода трансформатора.

При коэффициенте мощности

cos фн < кп (11)

значения магнитной индукции Вр находится в диапазоне

|БГ| > |Бр|> 0. (12)

В общем случае при токовых нагрузках между режимами холостого хода и номинальным магнитная индукция Вр, обобщая выражения (9) и (12), может принимать значения в диапазоне

0 < |Бр|< |Bm|. зависит от тока. Установившееся значение магнитной индукции достигается через несколько периодов напряжения сети [2].

При cos фн > кп после отключения тиристорно-го ключа К2 начинается спад тока намагничивания. Вынужденная составляющая тока намагничивания в соответствии с допущением «а» равна нулю. Остаточная магнитная индукция после спада тока намагничивания до нуля будет равна Вг до момента включения тиристорного ключа К2. Значение начальной магнитной индукции

Ва = Вг . (14)

При cos фн < кп можно считать АВ = 0 и Ва = Вр . (15)

Переходный процесс практически заканчивается за один период напряжения сети по частному циклу кривой намагничивания, где дифференциальная магнитная проницаемость весьма мала [2].

Данные результаты полностью согласуются с выводами, полученными в [2] при включении ти-ристорного ключа на первичной стороне трансформатора.

В наиболее общем случае для обеспечения включения без выбросов тока намагничивания необходимо устанавливать соответствующий угол включения а тиристорного ключа К2 в зависимости от начальной индукции Ва на момент его включения.

В частном случае при наличие компенсирующего конденсатора и cos фн > кп угол включения a может быть фиксированным: cos а = кп. Значения коэффициента кп в электротехнических сталях, применяемых для изготовления магнитопроводов, могут доходить до 0,5.

Устройства аналоговой и цифровой электроники

3. Управление тиристорными ключами вольтовычетающего трансформатора

В отличие от вольтодобавочного трансформатора, обмотки которого включены согласно, в вольтовычетающем трансформаторе обмотки включены встречно. Это обуславливает изменение направления тока i1 первичной обмотки. На рис. 1 одноименный вывод и направление тока первичной обмотки i1 указаны в скобках. В вольтовычетающем трансформаторе тиристорный ключ К1 является ведущим, а тиристорный ключ К2 — ведомым. Моментами включения тиристорного ключа К1 можно управлять, а моменты отключения тиристорного ключа К1 осуществляются в моменты нулевых значений тока через него. В момент включения тиристора УТ1 запирается тиристор УТ3, а в момент включения тиристора УТ2 запирается тиристор УТ4.

Когда тиристорный ключ К1 включен, а следовательно, тиристорный ключ К2 отключен, то полный ток первичной обмотки может быть приведен к

выражению (3), полученному для вольтодобавочно-

Щ

го трансформатора, при /0 = 0 и п =—— :

форматора, угол у можно определить из равенства вольт-секундных интегралов

arceos kn

1 — n

n 2 ZH

Um SÍ* (©t-Фн ) ¿Ice — *Фн .(©t) = 0 при ©t = фн. Угол отключения тиристорного ключа К1 при снятии управляющих импульсов будет равен фн. Момент отключения тиристорного ключа К1 совпадает с моментом включения тиристорного ключа К2, следовательно угол а = фн.

При cos фн < кп, начальная магнитная индукция Ва = Вр. Чтобы не было бросков тока намагничивания, включать тиристорный ключ К1 необходимо с углом в = а = фн.

При cos фн > кп согласно выражению (14) начальная магнитная индукция Ва = Вг (рис. 3). Следовательно, чтобы не было бросков тока намагничивания, включать тиристорный ключ К1 необходимо с углом а = arccos кп, при котором индукция равна Вг. Но так как тиристорный ключ К1 отключается с углом фн, то включение тиристорного ключа К2 будет с углом а = фн, при котором индукция равна Bm cos фн. Тиристорный ключ К2 будет

включаться раньше (фн < arccos кп), чем необходимо для избежания бросков тока намагничивания.-Y

Из выражения (17), угол отключения Y = arccos(1 + kn — cos фн).

(17)

Рис. 3. Диаграммы токов, напряжений и магнитной индукции, иллюстрирующие работу вольтовычетающего трансформатора при параметрах нагрузки cos фн > кп

Заключение

Для обеспечения коммутации вольторегули-рующих трансформаторов без выбросов тока намагничивания, необходимо угол включения ведущего тиристорного ключа выбирать с учетом начальной магнитной индукции на момент включения. Величина начальной магнитной индукции зависит от значения магнитной индукции в момент отключения ведущего тиристорного ключа, а также от продолжительности его отключенного состояния. В вольто-вычетающих трансформаторах при коэффициенте

Bulletin of the South Ural State University. Ser. Power Engineering.

2015, vol. 15, no. 4, pp. 69-73

w, — w

2

Файда Е.Л., Сивкова А.П.

Управление тиристорными ключами на первичной стороне вольторегулирующих трансформаторов

мощности нагрузки больше коэффициента прямо-угольности петли гистерезиса магнитопровода необходимо дополнительное включение ведущего тири-сторного ключа в ближайший момент достижения магнитной индукции значения, которое было в предшествующий момент его отключения.

Литература

1. Файда, Е.Л. Трансформаторные стабилизаторы переменного напряжения с регулировани-

ем на первичной стороне / Е.Л. Файда, А.П. Сивкова // Вестник ЮУрГУ. Серия «Энергетика». -2014. — № 3. — С. 41-45.

2. Гельман, М.В. Тиристорные регуляторы переменного напряжения /М.В. Гельман, С.П. Лохов. — М.: Энергия, 1975. — 104 с.

3. Электротехника: учеб. пособие: в 3 кн. / под ред. П.А. Бутырина, Р.Х. Гафиятуллина, А.Л. Шестакова. — М.; Челябинск: Изд-во ЮУрГУ, 2004. — Кн. 2. — 711 с.

Файда Евгений Леонидович, канд. техн. наук, доцент кафедры «Теоретические основы электротехники», Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск; [email protected]

Сивкова Анна Прокопьевна, ассистент кафедры «Электропривод и автоматизация промышленных установок», Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск; [email protected]

Поступила в редакцию 28 апреля 2015 г.

DOI: 10.14529/power150410

CONTROL OF THYRISTOR KEYS ON PRIMARY PARTY TRANSFORMER WITH VOLTAGE ADJUSTMENT

E.L. Fayda, [email protected],

A.P. Sivkova, [email protected]

South Ural State University, Chelyabinsk, Russian Federation

Article is devoted to the analysis of work of thyristor keys on primary party of adding voltage and reducing voltage transformers. The interrelation of corners of switching off of thyristor key and an initial magnetic induction at the moment of their inclusion is shown. Recommendations about a choice of corners of inclusion of the thyristor key which are ensuring functioning of transformers without emissions of a current of magnetisation are made. Charts of currents, voltage and the magnetic induction, illustrating operation of the reducing the voltage transformer are provided. Results of work can be of interest for experts in the field of power electronics and semi-conductor converting equipment.

Keywords: the transformer with voltage adjustment, thyristor key, magnetisation current, magnetic induction.

References

1. Fayda E.L., Sivkova A.P. [Transformer AC Voltage Stabilizer to the Regulation on the Primary Side]. Bulletin of the South Ural State University. Ser. Power Engineering, 2014, vol. 3, no. 3, pp. 41-45. (in Russ.)

2. Gel’man M.V., Lokhov S.P. Tiristornye regulyatory peremennogo napryazheniya [Thyristor AC Voltag]. Moscow, Energiya Publ., 1975. 104 p.

3. Butyrin P.A., Gafiyatullin R.Kh., Shestakov A.L. (Eds.) Elektrotekhnika [Electrical Engineering]. Chelyabinsk, South Ural State University Publ., 2004, Vol. 2. 711 p.

Received 28 April 2015

ОБРАЗЕЦ ЦИТИРОВАНИЯ

Файда, Е.Л. Управление тиристорными ключами на первичной стороне вольторегулирующих трансформаторов / Е.Л. Файда, А.П. Сивкова // Вестник ЮУрГУ. Серия «Энергетика». — 2015. — Т. 15, № 4. -С. 69-73. DOI: 10.14529/power150410

FOR CITATION

Fayda E.L., Sivkova A.P. Control of Thyristor Keys on Primary Party Transformer with Voltage Adjustment. Bulletin of the South Ural State University. Ser. Power Engineering, 2015, vol. 15, no. 4, pp. 69-73. (in Russ.) DOI: 10.14529/power150410

Транзисторный ключ ⋆ diodov.net

С развитием электронной импульсной техники транзисторный ключ в том или ином виде применяются практически в любом электронном устройстве. Более того, преимущественно количество микросхем состоят из десятков, сотен и миллионов транзисторных ключей. А в цифровой технике вообще не обходятся без них. В обще современный мир электроники не мыслим без рассмотренного в данной статье устройства.

Здесь мы научимся выполнять расчет транзисторного ключа на биполярном транзисторе (БТ). Одно из распространённых их применений – согласование микроконтроллера с относительно мощной нагрузкой: мощными светодиодами, семисегментными индикаторами, шаговыми двигателями и т.п.

Основная задача любого транзисторного ключа состоит в коммутации мощной нагрузки по команде маломощного сигнала.

Электронные ключи глубоко проникли и укоренились в области автоматики, вытеснив механические электромагнитные реле. В отличие от электромагнитного реле транзисторный ключ лишен подвижных механических элементов, что значительно увеличивает ресурс, быстродействие и надежность устройства. Скорость включения и отключения, то есть частота работы несравнимо выше с реле.

Однако и электромагнитные реле обладают полезными свойствами. Падение напряжения на замкнутых контактах реле значительно меньше, чем на полупроводниковых элементах, находящихся в открытом состоянии. Кроме того реле имеет гальваническую развязку высоковольтных цепей с низковольтными.

Как работает транзисторный ключ

В данной статье мы рассмотрим, как работает транзисторный ключ на биполярном транзисторе. Такие полупроводниковые элементы производятся двух типов – n-p-n и p-n-p структуры, которые различаются типом применяемого полупроводника (в p-полупроводнике преобладают положительные заряды – «дырки»; в n-полупроводнике – отрицательные заряды – электроны).

Выводы БТ называются база, коллектор и эмиттер, которые имеет графическое обозначение на чертежах электрических схем, как показано на рисунке.

С целью понимания принципа работы и отдельных процессов, протекающих в биполярных транзисторах, их изображают в виде двух последовательно и встречно соединенных диодов.

Наиболее распространенная схема БТ, работающего в ключевом режиме, приведена ниже.

Чтобы открыть транзисторный ключ нужно подвести потенциалы определенного знака к обеим pn-переходам. Переход коллектор-база должен быть смещен в обратном направлении, а переход база-эмиттер – в прямом. Для этого электроды источника питания UКЭ подсоединяют к выводам базы и коллектора через нагрузочный резистор RК. Обратите внимание, положительный потенциал UКЭ посредством RК подается на коллектор, а отрицательный потенциал – на эмиттер. Для полупроводника p-n-p структуры полярность подключения источника питания UКЭ изменяется на противоположную.

Резистор в цепи коллектора RК служит нагрузкой, которая одновременно защищает биполярный транзистор от короткого замыкания.

Команда на открытие БТ подается управляющим напряжением UБЭ, которое подается на выводы базы и эмиттера через токоограничивающий резистор RБ. Величина UБЭ должна быть не меньше 0,6 В, иначе эмиттерный переход полностью не откроется, что вызовет дополнительные потери энергии в полупроводниковом элементе.

Чтобы не спутать полярность подключения напряжения питания UКЭ и управляющего сигнала UБЭ БТ разной полупроводниковой структуры, обратите внимание на направление эмиттерной стрелки. Стрелка обращена в сторону протекания электрического тока. Ориентируясь на направление стрелки достаточно просто расположить правильным образом источники напряжения.

Входная статическая характеристика

Биполярный транзистор может работать в двух принципиально разных режимах – в режиме усилителя и в режиме ключа. Работа БТ в усилительном режиме уже подробно рассмотрена с примерами расчетов в нескольких статьях. Очень рекомендую ознакомиться с ними. Ключевой режим работы БТ рассматривается в данной статье.

Как и электрический ключ, транзисторный ключ может (и должен) находится только в одном из двух состояний – включенном (открытом) и выключенном (закрытом), что отображено на участках нагрузочной прямой, расположенной на входной статической характеристике биполярного транзистора. На участке 3-4 БТ закрыт, а на его выводах потенциалы UКЭ. Коллекторный ток IК близок к нулю. При этом ток в цепи базы IК также отсутствует, собственно по этой причине БТ и закрыт. Область на входной статической характеристике, отвечающая закрытому состоянию называется областью отсечки.

Второе состояние – БТ полностью открыт, что показано на участке 1-2. Как видно из характеристики, ток IКимеет некое значение, которое зависит от величин UКЭ и RК. В цепи база-эмиттер также протекает ток IБ, величина которого достаточна для полного открытия биполярного транзистора.

Падение напряжения на pn-переходе коллектор-эмиттер в зависимости от серии транзистора и его мощности находится в пределах от сотых до десятых вольта. Такая рабочая область БТ, в которой он полностью открыт, называется областью насыщения.

В третьей области полупроводниковый ключ занимает среднее положение между открыто-закрыто, то есть он приоткрыт или призакрыт. Такая область, используется для транзистора, работающего усилителем, называется активной областью.

Расчет транзисторного ключа

Расчет транзисторного ключа на биполярном транзисторе выполним на примере подключения светодиода к источнику питания 9 В, то есть к кроне. В качестве управляющего сигнала подойдет обычная батарейка 1,5 В. Для примера, возьмем БТ n-p-n структуры серии 2222A. Хотя подойдет любой другой, например 2N2222, PN2222, BC547 или советский МП111Б и т.п.

Рассматриваемую схему транзисторного ключа довольно просто собрать на макетной плате и произвести соответствующие измерения с помощью мультиметра, тем самым оценить точность наших расчетов.

Далее все расчеты сводятся к определению сопротивлений резистора коллектора RК и базы RБ. Хотя более логично, особенно при подключении мощной нагрузки, сначала подобрать транзистор по току и напряжению, а затем рассчитывать параметры резисторов. Однако в нашем и большинстве других случаев ток нагрузки относительно не большей и U источника питания невысокое, поэтому подходит практически любой маломощный БТ.

Все исходные данные сведены в таблицу.

Порядок расчета

Расчет начнем с определения сопротивления резистора RК, который предназначен для ограничения величины тока IК, протекающего через светодиод VD. RК находится по закону Ома:

Величина IК равна IVD = 0,01 А. Найдем падение напряжения на резисторе:

Значение UКЭ нам известно, оно равно 9 В, ΔUVD также известно и равно 2 В. А падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер для большинства современных маломощных БТ составляет до 0,1 В. Поэтому примем с запасом ΔUКЭ = 0,1 В. Теперь подставим все значения в выше представленную формулу:

Находим сопротивление RК:

Ближайший стандартный номинал резистора 680 Ом и 750 Ом. Выбираем резистор большего номинала RК = 750 Ом. При этом ток, протекающий через светодиод IVD в цепи коллектора, несколько снизится. Пересчитаем его величину:

Теперь осталось определить сопротивление резистора в цепи базы RБ:

Формула содержит сразу две неизвестны – ΔURб и IБ. Найдем сначала падение напряжения на резисторе ΔURб:

UБЭ нам известно – 1,5 В. А падение напряжения на переходе база-эмиттер в среднем принимают 0,6 В, отсюда:

Для определения тока базы IБ необходимо знать IК, который мы ранее пересчитали (IК = 0,0092 А), и коэффициент усиления биполярного транзистора по току, обозначаемы буквой β (бэта). Коэффициент β всегда приводится в справочниках или даташитах, но гораздо удобнее и точнее определить его с помощью мультиметра. Используемый нами 2222A имеет β = 231 единицу.

Из таблицы стандартных номиналов резисторов выбираем ближайший меньший номинал (для гарантированного открытия БТ) 22 кОм.

Для более точного выбора параметров вместо постоянных резисторов в цепи включают переменные резисторы, включенные по схеме, приведенной ниже.

Таким образом, мы выполнили расчет транзисторного ключа, то есть определили RК и RБ по заданным исходным данным. Более полный расчет включает определение мощности рассеивания указанных резисторов, но ввиду незначительной нагрузки в нашем примере, подойдут резисторы с минимальной мощность рассеивания.

Еще статьи по данной теме

ключевых моментов, позволяющих отличить двоих

Тиристор против транзистора — это полупроводниковое устройство, которое можно найти в нескольких операциях переключения. Кроме того, они оба имеют непревзойденные преимущества.

Полупроводник ON

Источник: https://www.google.com/imgres?imgurl

Однако, хотя они и различаются по нескольким характеристикам, все они подходят для конкретных приложений управления мощностью.

В этой статье мы обсудим существенные различия между тиристором и транзистором.

Что такое тиристор?

Тиристор или кремниевый управляемый выпрямитель (SCR) представляет собой трехполюсное устройство. Это затвор (управляющая клемма), катод (отрицательная клемма) и анод (положительная клемма).

Символ тиристора

Источник: https://en.wikipedia.org/wiki/File:Thyristor_circuit_symbol.svg

 Кроме того, он имеет четыре полупроводниковых слоя и работает как выпрямитель.Также это может быть выключатель в электрических цепях и блоки питания в цифровых схемах. Мы также рассматриваем его как тесно связанную пару транзисторов.

(тиристоры).

Тиристор и транзистор — что такое транзистор?

Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое переключает или усиливает сигналы в электрических цепях. Он имеет три вывода (база, коллектор и эмиттер) и три полупроводниковых слоя, состоящих из P-типа и N-типа. Из-за типов слоев у нас есть множество транзисторов, например.г., транзисторы NPN и транзисторы PNP (транзисторы с биполярным переходом).

(транзисторы)

Ключевые различия между тиристором и транзистором
  • Высокое напряжение и номинальный ток

Тиристор имеет особую конструкцию, которая позволяет ему работать при более высоких номинальных токах и напряжениях, чем транзисторы.

  • Допустимая мощность 

Тиристоры могут выдерживать очень большую мощность, поскольку они проводят ток при высоком напряжении.Из-за этого использование тиристоров в приложениях большой мощности предпочтительнее.

И наоборот, транзисторы работают при низком напряжении и токе. Поэтому они не могут работать с большой мощностью и подходят для маломощных приложений.

  • Слои полупроводникового материала

Транзистор имеет три полупроводниковых слоя из материалов N-типа и P-типа.

Тиристор имеет четыре слоя, в которых полупроводниковый материал N-типа и P-типа имеет переменное соединение (PNPN).

Переменный переход P-N 

Источник: https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_controller_rectifier

Состав

И транзистор, и тиристор имеют уникальную конструкцию со специфическими компонентами. Вы можете получить транзистор, соединив три полупроводниковых слоя. Затем тиристор имеет четыре полупроводниковых слоя из материалов N-типа и P-типа, расположенных попеременно.

Количество соединений

Транзисторы имеют два перехода, тогда как тиристоры имеют три перехода.

Тиристор против транзистора – Общая стоимость системы

Как правило, транзисторы в электронных схемах снижают стоимость системы, в то время как тиристоры увеличивают стоимость системы, поэтому они дороги.

Режим работы

Тиристор использует мгновенный импульс затвора для фиксации устройства в состоянии проводимости.

Для режима работы транзистора вы приложите импульс к базовой клемме, чтобы начать проводимость.После этого у вас будет стабильная подача базового сигнала для поддержания проводимости.

Использование усилителя

Вы можете использовать транзисторы в качестве усилителей или переключателей, но тиристор работает только как переключатель, а не как усилитель.

Тиристор и транзистор – Внутренние потери мощности

И тиристоры, и транзисторы испытывают внутренние потери мощности. Однако тиристор имеет относительно меньшие потери, чем транзисторы, что делает их более эффективными.

Размер цепи

Схемы, изготовленные из двух устройств, различаются по размеру, а тиристоры более громоздки по сравнению с меньшими транзисторами. Таким образом, конструкция транзисторной схемы обычно меньше и компактнее, чем тиристорная.

Стоимость схемы

Схема на тиристоре дороже схемы на транзисторе, и это потому, что тиристор сравнительно громоздкий.

Требование схемы коммутации

Тиристору нужна коммутационная схема, которая помогает отключить его по команде, тогда как транзистору она не нужна.

Тиристор и транзистор – Время включения и выключения Транзисторы

имеют высокую скорость переключения, что означает, что вы можете быстро включать и выключать их, когда это необходимо. Следовательно, вы можете использовать их в высокочастотных приложениях.

Напротив, тиристоры имеют низкую скорость переключения и могут применяться только в низкочастотных приложениях.

Пригодность

Вы часто будете применять транзисторы в высокочастотных и маломощных приложениях, тогда как тиристоры лучше всего подходят для низкочастотных и мощных приложений.

(электродвигатель большой мощности)

Техническое обслуживание прямого тока

Для транзисторной схемы вам потребуется непрерывный вход для поддержания прямого тока.

И наоборот, вы используете импульс в тиристорах, чтобы поддерживать протекание прямого тока, пока он не упадет ниже порогового значения. Кроме того, вам не понадобится входной ток.

Тиристор против транзистора – Процедура срабатывания

Вы должны постоянно подавать регулярный импульс тока на транзистор, чтобы обеспечить эффективную проводимость.

Тиристору потребуется только один запускающий импульс в начале, чтобы запустить и поддерживать проводимость.

Громоздкость

Тиристорная схема более громоздка, чем транзисторная.

Номинальная мощность Транзисторы

имеют низкую номинальную мощность (Ватт), в то время как тиристоры могут работать при высокой мощности, доходящей до кВт (киловатт).

Сравнение тиристора и транзистора – емкость импульсного тока

Транзисторная схема может выдерживать низкую скорость изменения тока и, следовательно, не имеет характеристики бросков тока.

Однако тиристор может выдерживать высокие скорости изменения тока. Из-за этого он демонстрирует характеристику емкости импульсного тока.

Заключение

Из нашего обсуждения выше мы теперь можем легко отличить транзистор от тиристора. Например, транзистор представляет собой трехслойное устройство. Но тиристор — это четырехслойное устройство, и между ними есть существенная разница.

Итак, каждый из них имеет набор преимуществ в зависимости от ваших потребностей.Но пока мы видим, что тиристоры имеют преимущество по эффективности и надежности над транзисторами.

В общем, ждем ваших запросов и разъяснений в любое время. Просто свяжитесь с нами и получите ответы.

Что такое клавиша блокировки прокрутки?

Обновлено: 13.03.2021 автором Computer Hope

Иногда сокращенно обозначаемая как ScLk , ScrLk или Slk , клавиша Scroll Lock находится на клавиатуре компьютера, часто рядом с клавишей паузы.Клавиша Scroll Lock изначально предназначалась для использования вместе с клавишами со стрелками для прокрутки содержимого текстового поля. Он также использовался для остановки прокрутки текста или остановки работы программы. На рисунке показано, как может выглядеть клавиша Scroll Lock со светодиодом на клавиатуре. Сегодня ключ используется нечасто.

Клавиша Scroll Lock помечена как одна из упомянутых ранее аббревиатур и расположена рядом с другими клавишами управления на клавиатуре. Ниже приведен обзор клавиатуры компьютера с клавишей Scroll Lock, выделенной синим цветом.

Примечание

На компьютерных клавиатурах Apple клавиша Scroll Lock может отсутствовать, вместо нее может быть функциональная клавиша F14.

Где находится клавиша Scroll Lock на клавиатуре ноутбука?

Клавиша Scroll Lock на ноутбуке часто является второстепенной функцией другой клавиши, расположенной рядом с клавишей Backspace. Если ноутбук использует две клавиши как одну клавишу, вы должны нажать клавишу Fn со второй клавишей, которую вы хотите использовать. На ноутбуке функции Scr Lk, Pause и Break обычно являются частью другой клавиши и выделены синим цветом.

Чтобы использовать эти клавиши, нажмите клавишу Fn и клавишу с синим текстом, который вы хотите использовать. На изображении в примере Scroll Lock является частью клавиши Num Lk, поэтому вам нужно будет нажать клавишу Fn и клавишу Num Lock , чтобы выполнить функцию Scroll Lock.

Примечание

В ноутбуках нет стандартного расположения клавиши Scroll Lock. Ваш ноутбук может иметь не такую ​​конфигурацию, как показано на картинке.

Примечание

Небольшие и компактные ноутбуки могут не иметь клавиши Scroll Lock.В Chromebook также нет клавиши Scroll Lock.

Пример использования Scroll Lock

Microsoft Excel — хороший пример программы, которая до сих пор использует этот ключ. Если Scroll Lock включен, нажатие любой клавиши со стрелкой приводит к перемещению экрана в этом направлении, но выбранная ячейка не изменится.

Компьютерные акронимы, Клавиши управления, Термины клавиатуры, Прокрутка, Клавиши переключения

Артроскопическая SCR Key Biscayne, Coral Gables

Что такое артроскопическая верхняя капсульная реконструкция (SCR)?

Superior Capsular Reconstruction — это хирургическая процедура для устранения массивных необратимых разрывов вращательной манжеты плеча.Операция заключается в реконструкции верхней капсулы плечевого сустава с использованием аутотрансплантата (ткань того же человека) или аллотрансплантата (ткань донора).

Анатомия

Верхняя часть капсульной выстилки плечевого сустава — верхняя капсула. Вращательная манжета представляет собой группу из 4 мышц плечевого сустава, включая надостную, подостную, малую круглую и подлопаточную. Эти мышцы берут начало в лопатке и прикрепляются к головке плечевой кости через сухожилия.Вращательная манжета образует манжету вокруг головки плечевой кости и суставной впадины, обеспечивая стабильность плечевого сустава и обеспечивая широкий диапазон движений.

Показания к артроскопической SCR

Артроскопическая SCR показана при массивных необратимых разрывах верхней вращательной манжеты плеча. Реконструкция верхней капсулы поможет восстановить стабильность плеча и свести к минимуму дисфункцию.

Что произойдет, если не лечить массивные разрывы вращательной манжеты плеча?

Массивный разрыв вращательной манжеты плеча характеризуется болью, повышенной слабостью и нарушением трудоспособности.Невылеченные разрывы верхней вращательной манжеты плеча могут вызвать частичный вывих плечевой кости, импинджмент тканей, образование костных шпор и остеоартрит.

Подготовка к SCR

Ваш врач просмотрит вашу историю болезни и проведет медицинский осмотр, чтобы оценить боль, подвижность и силу. Рентгенологическое исследование может быть выполнено для выявления сопутствующих повреждений или дефектов костей. МРТ или КТ могут быть назначены для визуализации повреждения вращательной манжеты плеча.
Перед процедурой поговорите со своим врачом о лекарствах, которые вы принимаете.Сообщите своему врачу, если у вас аллергия на какие-либо лекарства или анестезию. Будьте готовы остаться на ночь в больнице и договоритесь, чтобы кто-нибудь отвез вас домой на следующий день.

Артроскопическая процедура SCR

Хирургическое вмешательство проводится посредством артроскопии. Артроскоп представляет собой небольшой волоконно-оптический инструмент, состоящий из объектива, источника света и видеокамеры. Камера проецирует изображения внутренней части сустава на большой монитор, что позволяет хирургу искать любые повреждения, оценивать тип травмы и устранять ее.

Хирургическая процедура включает следующие этапы:

  • Вы будете лежать на боку.
  • Вам могут сделать общую анестезию и регионарную анестезию.
  • Ваш хирург делает отметки на коже для разрезов.
  • На коже возле плечевого сустава делается небольшой разрез.
  • Вставлены артроскопические порты.
  • Выполнен частичный ремонт вращательной манжеты плеча.
  • Кости плечевого сустава подготовлены к установке трансплантата.
  • Установлены шовные анкеры.
  • Трансплантат пропущен и закреплен швами.
  • Нити шовного материала дополнительно фиксируются боковыми фиксаторами (техника двухрядного шва).
  • Ваш хирург уверяет, что трансплантат прикреплен к головке плечевой кости.
  • Выполняется окончательная оценка плеча, и разрез закрывается.

Восстановление после операции

При необходимости врач выпишет обезболивающие.Ваше плечо поддерживается перевязью в течение примерно 6 недель. Ваш физиотерапевт научит вас конкретным физическим упражнениям, которые помогут вам быстрее восстановиться.

Риски и осложнения

Как и при любой операции, существуют риски и осложнения. Те, которые связаны с реконструкцией верхней капсулы, могут включать:

  • Осложнения анестезии
  • Инфекция
  • Повреждение нерва
  • Жесткость
  • Повторный разрыв сухожилия

Мировой рынок тиристоров 2016-2020 | Отчеты об исследованиях рынка — анализ отрасли, размер и тенденции

В этом исследовании рынка представлен всесторонний анализ основных факторов, влияющих на рост рынка.Он также обеспечивает подробную сегментацию мирового рынка тиристоров по применению (промышленная электроника, бытовая электроника, средства связи и автомобильная электроника) и по географии (Америка, APAC и EMEA). Основными поставщиками, проанализированными в этом исследовании рынка, являются ABB, Infineon Technologies, Mitsubishi Electric и ON Semiconductor.

Обзор мирового рынка тиристоров

Мировой рынок тиристоров будет неуклонно расти со среднегодовым темпом роста более 7% в течение прогнозируемого периода, и перспективы его роста будут подкреплены растущей сетью связи по всему миру.Поскольку тиристор является твердотельным полупроводниковым устройством, спрос на него в течение прогнозируемого периода будет определяться такими факторами, как растущий спрос на энергетическую инфраструктуру во многих странах с развитой экономикой и увеличение инвестиций в приложения промышленной электроники, такие как домашняя автоматизация, медицинская электроника, контрольно-измерительные приборы. и измерение, производство и распределение энергии, а также военная и гражданская аэрокосмическая промышленность. Продажа тиристоров также зависит от продажи автомобилей. Таким образом, любое увеличение спроса на автомобили в течение прогнозируемого периода также увеличит перспективы роста этого рынка.

Аналитик по исследованию рынка Technavio оценил выдающиеся факторы, такие как недавний рост мирового рынка интеллектуальных сетей, которые будут стимулировать перспективы роста на этом рынке до конца расчетного периода. Умные сети оказывают значительное влияние на потребности в энергии, особенно в отношении распределения электроэнергии. Поскольку они позволяют интегрировать распределенные энергетические ресурсы, такие как мощность из возобновляемых источников энергии, они составляют неотъемлемую часть устойчивой, совместной, децентрализованной, безопасной и надежной энергетической системы будущего.Тиристоры используются в интеллектуальных сетях, поскольку они обеспечивают высокое качество электроэнергии, а также полезны для эффективной передачи и распределения электроэнергии на большие расстояния.

Сегментация рынка тиристоров на основе приложений

  • Промышленная электроника
  • Бытовая электроника
  • Связь
  • Автомобильная электроника

сегмент рынка в течение прогнозируемого периода.Электронные устройства в промышленном секторе имеют мощность от средней до высокой, в которой источник переменного тока необходимо преобразовать в постоянный для более безопасной передачи. Благодаря высокомощному управлению, быстрому переключению питания переменного тока и способности действовать как ломовая цепь для защиты от перенапряжения для источников питания, тиристоры используются в промышленном электронном оборудовании, таком как заводские переключатели управления, устройства открывания гаражных ворот и т.д. предохранители от перенапряжений. К 2020 году этот сегмент рынка превысит 1 600 миллионов долларов США.

Географическая сегментация рынка тиристоров

В 2015 году на этом рынке доминировал регион APAC, на долю которого приходилось более 42% общей доли рынка. В Азиатско-Тихоокеанском регионе такие факторы, как рост инвестиций в энергетические приложения, будут способствовать росту этого рынка до конца прогнозируемого периода. Кроме того, высокий спрос на энергоэффективные потребительские товары, в которых в качестве переключающих устройств используются тиристоры, также будет способствовать росту этого рынка в Азиатско-Тихоокеанском регионе.

Конкурентная среда и основные поставщики

Конкуренция на мировом рынке тиристоров обусловлена ​​тем, что этот продукт распространяется на различные потребительские сегменты с электронными возможностями.Рынок также фрагментирован из-за наличия большого количества мелких и региональных игроков. На этом рынке поставщики, способные применять стратегии роста, такие как интеграция более оптимизированных технологий, получат конкурентное преимущество перед своими конкурентами.

Основные поставщики на рынке: —

  • ABB
  • Infineon Technologies
  • Mitsubishi Electric
  • ON Semiconductor

Другими известными поставщиками, проанализированными в данном исследовании рынка, являются Fairchild Semiconductor, STMicrobashielectronic, Hitachi, Semikron .

Основные вопросы, на которые даны ответы в отчете, включают

  • Какими будут объем рынка и темпы роста в 2020 году?
  • . Какие ключевые факторы влияют на мировой рынок тиристоров?
  • Какие ключевые тенденции рынка влияют на рост мирового рынка тиристоров?
  • Каковы проблемы роста рынка?
  • Кто являются ключевыми поставщиками на мировом рынке тиристоров?
  • С какими рыночными возможностями и угрозами сталкиваются продавцы на мировом рынке тиристоров?
  • Тенденции, влияющие на доли рынка в Северной и Южной Америке, Азиатско-Тихоокеанском регионе и регионе EMEA.
  • Каковы основные результаты анализа пяти сил мирового рынка тиристоров?

Technavio также предлагает настройку отчетов на основе конкретных требований клиента.

Связанные отчеты

Рынок силовых транзисторов и тиристоров Влияние COVID-19, бизнес-задачи, инвестиционные возможности, спрос, ключевые производители и прогноз исследования до 2029 г. Отчет

Пуна, Махараштра, 18 мая 2020 г. (Wired Release) Prudour Pvt.Ltd: Взрыв COVID-19 сейчас путешествует по миру, в этом отчете рассматривается влияние вируса на ведущие растущие компании в секторе силовых транзисторов и тиристорных устройств. В этом исследовательском отчете Infineon, ON Semiconductor, STMicroElectronics, Toshiba, Vishay, Fuji Electric, Renesas Electronics, ROHM Semiconductor, Sanken, Nexperia, Mitsubishi Electric, Microsemi, Semikron, IXYS, ABB классифицируются как ключевые поставщики на рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств. а также представляет всестороннее исследование влияния Covid19 на рынок по типу (силовые МОП-транзисторы, IGBT, биполярные силовые транзисторы, тиристоры), применению (автомобилестроение и транспорт, промышленность и энергетика, потребительские товары, вычислительная техника и связь, другие) и по географии (Америка, Азиатско-Тихоокеанский регион). и EMEA).

Ключевые показатели роста рынка, в том числе рост рынка в годовом исчислении, цепочка создания стоимости, анализ цепочки поставок и совокупный годовой темп роста (CAGR), интерпретируются в исследовании Market.us всесторонне. Эта быстро меняющаяся рыночная информация может помочь читателям понять перспективы количественного роста рынка силовых транзисторов и тиристоров в течение прогнозируемого периода.

, чтобы получить краткосрочное и долгосрочное влияние COVID-19 на рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств | Получите образец отчета, пожалуйста, посетите: https://market.us/report/power-transistors-and-thyristors-devices-market/request-sample/

**Примечание: итоговый отчет будет обновлен с учетом влияния COVID-19 на этот конкретный рынок. Используйте только корпоративный адрес электронной почты, чтобы получить более высокий приоритет*

Структура анализа влияния COVID-19 на рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств

период с 2020 по 2029 год.В отчете также рассматриваются ключевые факторы, препятствия, возможности и тенденции, влияющие на расширение мирового рынка Силовые транзисторы и тиристорные устройства. Он представляет собой долгосрочную картину мирового рынка силовых транзисторов и тиристорных устройств, чтобы помочь компаниям, ищущим возможности для инвестиций на мировом рынке.

В отчете представлен исчерпывающий обзор международного отчета о рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств, который дает углубленную оценку на глобальном и региональном уровнях.Рынок включает в себя краткое изложение, введение и оценку, которые разъясняют основные тенденции, влияющие на расширение рынка. Эта глава также проливает свет на влияние, которое динамика может оказать на рост рынка в долгосрочной перспективе. В отчете также приводятся цифры, относящиеся к CAGR, с исторической и прогнозной точки зрения. Обзор мирового рынка силовых транзисторов и тиристорных устройств следует за кратким изложением и дает читателям отчета четкую картину охвата рынка.

Конкурентная среда и основные поставщики

Рынок силовых транзисторов и тиристоров распадается и характеризуется высокой конкуренцией из-за присутствия крупных игроков и региональных игроков. Однако на рынке доминируют четыре основных игрока. Все доминирующие игроки работают лучше друг друга по одному или двум параметрам, и, таким образом, конкуренция на рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств усиливается.

Ведущие производители, включенные в отчеты являются:

Infineon
ON Semiconductor
STMicroelectronics
Toshiba
Vishay
Fuji Electric
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
Sanken
Nexperia
Mitsubishi Electric
Microsemi
Semikron
IXYS
ABB

Сегментация по типу и анализу рынка силовых транзисторов и тиристоров

PowerMOSFET
IGBT
Биполярные силовые транзисторы
Тиристоры

Сегментация по географии и анализ рынка велосипедных двигателей

Южная Америка Силовые транзисторы и тиристорные устройства Рынок охватывает Колумбию, Аргентину и Аргентину Бразилия.

Рынок силовых транзисторов и тиристоров Северной Америки охватывает США, Мексику и Канаду.

Европейский рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств Охватывает Германию, Францию, Великобританию, Италию и Россию.

Ближний Восток и Африка Рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств Охватывает ОАЭ, Нигерию, Южную Африку, Саудовскую Аравию и Египет.

Азиатско-Тихоокеанский рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств Охватывает Китай, Японию, Юго-Восточную Азию, Индию и Корею.

Основные цели отчета о рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств:

1. Тщательно изучить и исследовать глобальный статус силовых транзисторов и тиристорных устройств и прогноз на будущее, объем производства и анализ экосистемы, доходы, потребление, исторические данные и прогноз.

2. Представить основных производителей силовых транзисторов и тиристорных устройств, SWOT-анализ и планы развития на ближайшие несколько лет.

3. Проанализировать потенциал и преимущества рынка глобального и ключевых регионов, возможности и вызовы, ограничения и риски.

4. Стратегический анализ каждого субрынка с точки зрения индивидуальной тенденции роста и их вклада в рынок Силовые транзисторы и тиристорные устройства.

5. Для анализа конкурентных разработок, таких как расширения, соглашения, запуск новых продуктов и приобретения на рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств.

Годы, рассматриваемые в этом исследовании для оценки размера рынка силовых транзисторов и тиристорных устройств

Год истории: с 2012 по 2017 год Рынок.США компания по исследованию рынка, основанная на следующих процедурах или методах, используемых для выявления, выбора, обработки и анализа информации о рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств. Опытные специалисты-исследователи и команда консультантов разработали исчерпывающую методологию исследования. Для каждого рынка оцениваются различные параметры, такие как макроэкономические факторы, микроэкономические факторы, технологии и инновации, цепочка создания стоимости и динамика рынка.

Извлечение и анализ данных

Извлечение и анализ данных полностью основано на двух основных факторах, таких как синтез данных (сопоставление данных, оценка ключевых показателей и анализ полученных выводов) и проверка данных (триангуляция с моделями данных, сопоставление с собственными базы данных и согласование с отраслевыми экспертами).Данные извлекаются на обширном уровне из различных соответствующих источников и репозиториев отчетов. Используются некоторые вторичные источники, такие как ICIS, Hoovers, Trade Magazines, Associations, Reuters и другие.

Глобальное прогнозирование рынка

Глобальное прогнозирование рынка использовало подход к моделированию, такой как статистические методы и прогнозирование. Оба метода используются для оценки и прогнозирования рыночных данных. Каждый региональный рынок оценивается отдельно.

Есть вопросы? Не стесняйтесь спрашивать здесь.Мы направим вас на правильный путь: https://market.us/report/power-transistors-and-thyristors-devices-market/#inquiry

Ответы на ключевые вопросы в Market.us Отчет о рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств

1. Какие регионы ухода будут по-прежнему оставаться наиболее прибыльными региональными рынками для игроков рынка силовых транзисторов и тиристорных устройств?

2. Какое обстоятельство приведет к изменению спроса на силовые транзисторы и тиристорные устройства в течение периода оценки?

3.Как изменятся тенденции из-за влияния COVID-19 на рынок силовых транзисторов и тиристорных устройств?

4. Каким образом участники рынка могут использовать небольшие возможности на рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств в развитых регионах?

5. Каковы основные выигрышные стратегии заинтересованных сторон на рынке силовых транзисторов и тиристорных устройств для повышения своей позиции в этой среде?

Содержание:

1. Объем отчета

1.1 Рыночное введение

1,2 Цели исследования

1,3 года. Считается

1,4 рынка. Методология исследования

1,5 Источник данных

1,6 Экономические показатели

1,7 Валюта. Рассмотренная

2. Резюме

2.1. Ополчение мирового рынка

. 2.1.1 Глобальное потребление Силовые транзисторы и тиристоры

2.1.2 Силовые транзисторы и тиристоры Потребление CAGR по регионам

2.2 Силовые транзисторы и тиристорные устройстваСегмент по типу

2.3 Потребление силовых транзисторов и тиристоров по типам

2.4 Силовые транзисторы и тиристоры Сегмент по применению

2.5 Силовые транзисторы и тиристоры Потребление по применению

3. Мировое потребление Силовые транзисторы и тиристоры по компаниям

4. Силовые транзисторы Тиристорные устройства по географическому сегментированию

4.1 Рост потребления силовых транзисторов и тиристорных устройств в Северной и Южной Америке

4.2 Рост потребления силовых транзисторов и тиристорных устройств в странах Азиатско-Тихоокеанского региона

4.3 Рост потребления силовых транзисторов и тиристорных устройств в Европе

4.4 Рост потребления силовых транзисторов и тиристорных устройств на Ближнем Востоке и в Африке

В отрасли щелкните ссылку здесь: https://market.us/report/power-transistors-and-thyristors-devices-market

Зачем обращаться к Market.us Research?

Рынок.US специализируется на углубленных исследованиях и анализе рынка и доказала свою состоятельность в качестве консалтинговой и специализированной компании по исследованию рынка, помимо того, что она является очень востребованной фирмой, предоставляющей синдицированные отчеты об исследованиях рынка. Market.US обеспечивает настройку в соответствии с любыми конкретными или уникальными требованиями и составляет отчеты по запросу. Мы выходим за границы, чтобы поднять аналитику, анализ, исследования и взгляды на новые высоты и расширить горизонты. Мы предлагаем тактическую и стратегическую поддержку, которая позволяет нашим уважаемым клиентам принимать взвешенные деловые решения, намечать планы на будущее и добиваться успеха каждый раз.Помимо анализа и сценариев, мы предоставляем информацию и данные на глобальном, региональном и страновом уровне, чтобы гарантировать, что ничто не останется скрытым на любом целевом рынке. Наша команда проверенных и испытанных людей продолжает разрушать барьеры в области маркетинговых исследований, поскольку мы продвигаемся вперед с новым и постоянно расширяющимся фокусом на развивающиеся рынки.

Свяжитесь с нами:

Г-н Бенни Джонсон

Market.us (при поддержке Prudour Pvt. Ltd.)

Отправить по электронной почте: [email protected]

Адрес: 420 Lexington Avenue, Suite 300 New York City, NY 10170, United States

Тел.: +1 718 618 4351

Веб-сайт: https://market.us

Фазосдвигающие устройства с тиристорным управлением | СпрингерЛинк

  • Справочник по проектированию электрических сетей / Под ред. Файбисовича Д.Л. М.: ЭНАС, 2009.

    Google ученый

  • Гринштейн Б.И., Тимошенко А.Л., Толстов Ю.Г. Способ анализа гармонических составляющих в фазосдвигающем устройстве на основе тиристорных преобразователей // Анализ функционирования и управления режимами сложных электроэнергетических систем. сб. научных трудов (Способ анализа режимов работы и регулирования сложных энергетических систем. Сборник научных трудов), Москва: Энергетический институт им. Г.М. Кржижановский, 1989.

    Google ученый

  • Гринштейн Б.И., Толстов Ю.Г. Фазовое регулирование вектора сетевого напряжения с помощью вентильного фазосдвигающего устройства // Электричество . . 2.

    Google ученый

  • Стельмаков В.Н., Жмуров В.П., Тарасов А.Н., Гринштейн Б.И., Тузлукова Е.В. Фазопереключающее устройство с тиристорным управлением. 8.

    Google ученый

  • Джоди Вербумен, Оптимизация систем передачи с использованием фазосдвигающих трансформаторов , Zutphen: Wohrmann Print Service, 2008.

    Google ученый

  • Жмуров В.П., Стельмаков В.Н., Тарасов А.Н., Казеннова И.И. Патент РФ 2450420, Бюлл. Изобрет. , 2012, вып. 13.

    Google ученый

  • Жмуров В.П., Стельмаков В.Н., Тарасов А.Н., Гринштейн Б.И. Патент РФ 106060, Бюлл. Изобрет. , 2011, вып. 8.

    Google ученый

  • Жмуров В.П., Стельмаков В.Н., Тарасов А.Н. Патент РФ 110558, Бюлл. Изобрет. , 2011, вып. 329.

    Google ученый

  • Жмуров В.П., Стельмаков В.Н., Тарасов А.Н. Способ применения фазосдвигающего устройства с тиристорным управлением при больших углах сдвига фаз // Изв. Росс. акад. наук. Энергия. , 2010, вып. 5.

    Google ученый

  • Доля рынка быстродействующих тиристоров в 2022 г. Стратегии по ускорению роста, развития, производителей, размера отрасли, тенденций – политическая говядина

    Быстрый тиристор Рынок обобщает последние тенденции, выгодные возможности расширения бизнеса для компаний, производителей, поставщиков и дистрибьюторов быстрых тиристоров.В отчете представлены ключевые бизнес-стратегии и принципы, которые внедряют ведущие игроки мира. Отчет разработан с целью повышения осведомленности о лидерах отрасли Fast Thyristor и других аспектах рынка, влияющих на рост рынка, о цепочке поставок, рыночных рисках, проблемах, а также о том, как продукты производятся и распространяются компаниями через различные сети.

    Размер мирового рынка Быстродействующих тиристоров прогнозируется на уровне 3% в год в течение 2022-2027 гг.

    Глобальная стратегия развития рынка быстрых тиристоров до и после COVID-19 по анализу корпоративной стратегии, ландшафту, типу, применению и 20 ведущим странам охватывает и анализирует потенциал мировой отрасли быстрых тиристоров, предоставляя статистическую информацию о динамике рынка, факторах роста. , основные проблемы, анализ PEST и стратегия выхода на рынок Анализ, возможности и прогнозы. Самым важным моментом отчета является предоставление компаниям отрасли стратегического анализа воздействия COVID-19.В то же время в этом отчете проанализирован рынок ведущих 20 стран и представлен рыночный потенциал этих стран.

    Эксклюзивное предложение: фиксированная скидка 30% в течение ограниченного времени

    Бесплатный образец отчета + все соответствующие графики и диаграммы @

    https://www.marketintelligencedata.com/reports/2742304/global-fast-thyristor-market-research-report-2022/inquiry?Mode=Rukaiyya

    Ведущие игроки Быстродействующий тиристор Рынок в том числе:

    Vishay, Littelfuse, AS Energi, IXYS Corporation, Poseico Power Electronics, Jiangsu Runau Electronics Manufacturing Co., Ltd, SAILING TECH, Tianjin Rosen Technology Co., Ltd, PANHAO

    Рынок быстродействующих тиристоров: сегментация

    По типам

    По приложениям

    Спросите о скидке:

    https://www.marketintelligencedata.com/reports/2742304/global-fast-thyristor-market-research-report-2022/discount?Mode=Rukaiyya

    РЕГИОНАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ

    • Северная Америка (США, Канада, Мексика)
    • Европа (Германия, Франция, Великобритания, Россия, Италия)
    • Азиатско-Тихоокеанский регион (Китай, Япония, Южная Корея, Индия, Юго-Восточная Азия)
    • Южная Америка (Бразилия, Аргентина, Колумбия и др.))
    • Ближний Восток и Африка (Саудовский полуостров, ОАЭ), Египет, Нигерия и Южная Корея)

    Стратегические точки, описанные в рыночном каталоге быстродействующих тиристоров :

    • Введение, движущая сила рынка Цели исследования продукта и объем исследования Глобальный рынок быстродействующих тиристоров (2022-2027).
    • Эксклюзивное резюме – Основные данные о мировом рынке быстродействующих тиристоров.
    • Меняющееся влияние на динамику рынка – глобальные партийные поставки движущие факторы, тенденции, проблемы и возможности; анализ после COVID.
    • Введение Факторы глобального рынка быстрых тиристоров после анализа воздействия COVID, пять сил Портера, цепочка поставок/стоимости, анализ PESTEL, рыночная энтропия, анализ патентов/торговых марок.
    • Показать 2022-2027 по типу, конечному пользователю и региону/стране.
    • Оцените ведущих мировых производителей быстродействующих тиристоров, включая их конкурентную среду, анализ коллег, матрицу BCG и профиль компании.
    • Оцените сегменты рынка, страны/регионы и производителей/компаний, долю доходов и объем продаж этих компаний/компаний в этих различных регионах основных стран/регионов (2022-2027 гг.).

    … Продолжение следует

    Ознакомьтесь с полным отчетом с подробным оглавлением здесь @ 

    https://www.marketintelligencedata.com/reports/2742304/global-fast-thyristor-market-research-report-2022?Mode=Rukaiyya

    Содержание Рынок быстродействующих тиристоров

    Глава 1: Обзор рынка быстродействующих тиристоров, драйверы, ограничения и возможности, обзор сегментации

    Глава 2: Рыночная конкуренция производителей

    Глава 3: Производство по регионам

    Глава 4: Потребление по регионам

    Глава 5: Производство по типам, выручке и доле рынка по видам

    Глава 6: Потребление по приложениям, доля рынка (%) и темпы роста по приложениям

    Глава 7: идентификация и всесторонний анализ производителей

    Глава 8: анализ затрат, анализ персонала, региональные производственные расходы.

    Глава 9: Промышленная цепь, подход к поиску поставщиков и последующие потребители

    Глава 10: анализ стратегии продвижения, дистрибьюторы/торговцы

    Глава 11: Анализ факторов рыночных результатов

    Глава 12: Прогнозы рынка

    Глава 13: Результаты маркетингового исследования Fast Thyristor и выводы, Приложение, методология и информационное обеспечение.

    Продолжай в том же духе…

    Наконец, исследователи предоставили данные точного анализа Global Fast Thyristor.Кроме того, он измеряет длинные модели и платформы, поддерживающие рост рынка. Отчет об анализе дополнительно оценивает степень борьбы. Рынок был всесторонне изучен с использованием SWOT-анализа и сканирования Портера 5. Это дополнительно помогает в управлении рисками и трудностями компании. Кроме того, он включает значительный анализ методов продаж

    .

    Мы свяжемся с вами в течение 24 часов и поможем найти нужные вам отчеты об исследованиях и дополнительные настройки .

    Благодарим за проявленный интерес к публикации исследования рынка быстродействующих тиристоров; вы также можете получить версию отчета по отдельным главам или региону / стране, например, по Германии, Франции, Китаю, Латинской Америке, странам Персидского залива, Северной Америке, Европе или Азии.

    О НАС:

    Данные рыночной аналитики являются глобальным лидером в исследовательской отрасли, предлагая клиентам контекстные и основанные на данных исследовательские услуги. Организация поддерживает клиентов в создании бизнес-планов и достижении долгосрочного успеха на соответствующих рынках.Отрасль предоставляет консультационные услуги, исследования данных Market Intelligence и индивидуальные исследовательские отчеты.

    Свяжитесь с нами:

    Ирфан Тамболи (руководитель отдела продаж) – ИНФОРМАЦИЯ О РЫНКЕ

    Телефон: +1 (704) 266-3234 | +91-750-707-8687

    Электронная почта: [электронная почта защищена]

     

     

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.