Щс расшифровка в электрике: Сборка щитов ЩР, ЩС, ЩО, ЩК (распределительный щит, силовой щит, щит освещения)

Содержание

Маслоотделитель BC-OS-h2-35 Becool

Маслоотделитель BC-OS-h2-35 Becool

Временно не продается

Артикул074154
id товара11826
СтранаТурция
Минимальный заказ1 шт
В наличии на складах0 шт

Общее описание

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Технические
характеристикиЧертежи
и схемыДополнительная
информацияКомплектующие
 Модельный
ряд

Характеристика

ПроизводительBecool
ТипОтделители масла
ВидВертикальный
Патрубок вход, мм35
Патрубок выход, мм35
Штуцер масловозврата3/8"
Диаметр140 мм
Высота460 мм
Объем 5,4 л
Допустимая рабочая температура-20 - 130 °C

Чертежи

Габаритные размеры и чертеж маслоотделителя BC-OS- h2-35

Дополнительная информация

Техническая информация маслоотделители Becool серии BC-OS-h2 (0. 42Mb)

Расшифровка маркировки маслоотделителей Becool серии BC-OS-H

Полезные ссылки

Сайт производителя Becool

Вам также может понадобиться

Припой серебряный L-Ag40, 1 кг
  • Артикул: AG 105
  • Страна: Германия
  • В наличии: 1 кг

Медно-цинково-оловянные твердые припои Felder L-Ag 40Sn для твердой пайки с содержанием серебра 40%, имеющий прекрасные реологические свойства. Его можно использовать для спаивания любых сталей, меди и сплавов на основе меди. Формула сплава: 40Ag; 30Cu; 28Zn; 2Sn

Припой серебряный 15%, по пруткам
  • Артикул: 33402050
  • Страна: Германия
  • В наличии: нет

Медно-фосфорные твердые припои Felder специально разработаны для пайки меди, латуни, бронзы, стали и комбинаций этих металлов. Формула сплава: 15Ag;80,3Cu;4,7P.

Временно не продается

Припой серебряный 30% флюсованный, по пруткам
  • Страна: Германия
  • В наличии: нет

Медно-фосфорные твердые припои Felder специально разработаны для пайки меди, латуни, бронзы и комбинаций этих металлов. Формула сплава: 30Ag;28Cu;21Zn;21Cd.

Временно не продается

Припой серебряный L-Ag30, 1 кг
  • Артикул: AG 107
  • Страна: Германия
  • В наличии: нет

Медно-цинково-оловянные твердые припои Felder L-Ag 30Sn для твердой пайки с содержанием серебра 30%, имеющий прекрасные реологические свойства. Его можно использовать для спаивания любых сталей, меди и сплавов на основе меди. Формула сплава: 30Ag; 28Cu; 21Zn; 21Sn

Временно не продается

Припой серебряный Ternalloy 40S F, 1 кг
  • Артикул: Ternalloy 40
  • Страна: Италия
  • В наличии: нет

Твердые флюсованные медно - фосфорные припои Ternalloy Silverfos имеют низкую температуру плавления, высокую смачиваемость и текучесть. Припой не кипит, не искрит, флюсовоя оболочка не коптит. Специальный состав оболочки повышает ее стойкость к механическим повреждениям и повышенной влажности, предотвращая ее преждевременное осыпание. Специально разработаны для пайки меди, никеля и никелиевых сплавов и практически любой стали. Формула сплава: 35Ag; 32Cu; 32Zn.

Временно не продается

Модельный ряд

Маслоотделитель BC-OS-12 Becool
  • Артикул: 0741941
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-16 Becool
  • Артикул: 0741951
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-22 Becool
  • Артикул: 0741961
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-28 Becool
  • Артикул: 0741971
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением.

Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-355 Becool
  • Артикул: 0741981
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-356 Becool
  • Артикул: 0741481
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-42 Becool
  • Артикул: 0741491
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку.Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-54 Becool
  • Артикул: 0741501
  • Страна: Китай
  • В наличии: много

Маслоотделители серии BC-OS полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители от BC-OS-12 до BC-OS-54 имеют омедненные патрубки (вход/выход) под пайку. Выходной патрубок для присоединения масляной линии 3/8 SAE.

Маслоотделитель BC-OS-HS-220 Becool
  • Артикул: 074163
  • Страна: Турция
  • В наличии: 8 шт

Маслоотделители серии BC-OS-HS торговой марки Becool применяются в холодильных системах с винтовыми компрессорами, одновременно служат как маслоотделители и как емкость с маслом. Присоединение к трубопроводу через фланцы при помощи пайки. Рабочее давление до 33 бар, допустимая рабочая температура от -10 до +120 °C. Все маслоотделители BC-OS-HS 220...1180 комплектуются: вентиль для заправки маслом, реле уровня масла, термостат масла, тэн ы подогрева масла (в зависимости от модели от 1 до 3 шт.)

Маслоотделитель BC-OS-HS-440 Becool
  • Артикул: 074164
  • Страна: Турция
  • В наличии: 1 шт

Маслоотделители серии BC-OS-HS торговой марки Becool применяются в холодильных системах с винтовыми компрессорами, одновременно служат как маслоотделители и как емкость с маслом. Присоединение к трубопроводу через фланцы при помощи пайки. Рабочее давление до 33 бар, допустимая рабочая температура от -10 до +120 °C. Все маслоотделители BC-OS-HS 220...1180 комплектуются: вентиль для заправки маслом, реле уровня масла, термостат масла, тэн подогрева масла (в зависимости от модели от 1 до 3 шт.)

Маслоотделитель BC-OS-HS-840 Becool
  • Артикул: 074165
  • Страна: Турция
  • В наличии: нет

Маслоотделители серии BC-OS-HS торговой марки Becool применяются в холодильных системах с винтовыми компрессарами, одновременно служат как маслоотделители и как емкость с маслом. Присоединение к трубопроводу через фланцы при помощи пайки. Рабочее давление до 33 бар, допустимая рабочая температура от -10 до +120 °C. Все маслоотделители BC-OS-HS 220...1180 комплектуются: вентиль для заправки маслом, реле уровня масла, термостат масла, тэн ы подогрева масла (в зависимости от модели от 1 до 3 шт.)

Временно не продается

Маслоотделитель BC-OS-HS-1180 Becool
  • Артикул: 074166
  • Страна: Турция
  • В наличии: 1 шт

Маслоотделители серии BC-OS-HS торговой марки Becool применяются в холодильных системах с винтовыми компрессарами, одновременно служат как маслоотделители и как емкость с маслом. Присоединение к трубопроводу через фланцы при помощи пайки. Рабочее давление до 33 бар, допустимая рабочая температура от -10 до +120 °C. Все маслоотделители BC-OS-HS 220...1180 комплектуются: вентиль для заправки маслом, реле уровня масла, термостат масла, тэн ы подогрева масла (в зависимости от модели от 1 до 3 шт.)

Маслоотделитель BC-OS-h2-42 Becool
  • Артикул: 074155
  • Страна: Турция
  • В наличии: нет

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Временно не продается

Маслоотделитель BC-OS-h2-54 Becool
  • Артикул: 074156
  • Страна: Турция
  • В наличии: нет

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Временно не продается

Маслоотделитель BC-OS-h4-42 Becool
  • Артикул: 074157
  • Страна: Турция
  • В наличии: 1 шт

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Маслоотделитель BC-OS-h4-54 Becool
  • Артикул: 074158
  • Страна: Турция
  • В наличии: 5 шт

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Маслоотделитель BC-OS-h5-64 Becool
  • Артикул: 074159
  • Страна: Турция
  • В наличии: 7 шт

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Маслоотделитель BC-OS-H5-79 Becool
  • Артикул: 074160
  • Страна: Турция
  • В наличии: нет

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Временно не продается

Маслоотделитель BC-OS-h2-35 Becool
  • Артикул: 074154
  • Страна: Турция
  • В наличии: нет

Маслоотделители циклонного типа серии BC-OS-H от Becool, полностью соответствуют техническим условиям и стандартам, предъявляемым к сосудам, работающим под давлением. Маслоотделители серии BC-OS-H оснащены надежным поплавковым механизмом из нержавеющей стали и постоянным магнитом для удержания микроскопических металлических включений. Маслоотделители циклонного типа имеют высокую степень отделения масла до 99%, рекомендуется применять с поршневыми и спиральными компрессорами, не рекомендуется применять циклонные маслоотделители с с винтовыми и ротационными (пластинчатыми компрессорами). Маслоотделители серии BC-OS-H имеют патрубки под пайку. Штуцер под выход масла 3/8" SAE, порт под предохранительный клапан 1/2" NPT, кроме моделей BC-OS-h2-**. Максимальное рабочее давление 3,3 МПа.

Временно не продается

В какой должности лучше стартовать? Матрос (OS), кадет или практикант (trainee)?

26/04/13

Привет ... хорошие видео вы делаете..очень познавательные.. хотел бы попросить новое видео либо если вас не затруднит мне лично ответить по поводу того - идти ли мне в море в должности кадета (сами понимаете что крюинги делают на кадетах деньги) и как я ваше видео смотрел если быть точнее на должность практиканта ... либо идти лучше матросом os на судно и там уже получать опыт на мосту ( я имею рабочий диплом штурмана) и поэтому интересует этот вопрос, у меня была практика во время учебы, но навыки по именно штурманской работе я получил маленькие..и соответственно вопрос в плане того кем лучше идти ...практикантом и осваиваться на мостике за 500$ либо пойти os и соответсвенно посещать мостик и получать вдвое больше ?!

Отвечает Burn Media:

Здравствуйте!
Однозначно идти OS если есть такая возможность. Во-первых, если вас рассматривают действительно на должность именно практиканта (а не кадета), то никакого опыта на мосту вы все равно не получите. Возможно, вас туда за весь контракт пустят пару раз и то, в виде экскурсии.
Второе, OS - это уже реальный опыт работы в море и начало морской карьеры, а контракт практикантом котируется не больше, чем практика в пару месяцев за время обучения в институте.
У кадета и практиканта ЗП одинаковая, что многих вводит в заблуждение. При этом кадет, как я рассказывал в видео, готовиться следующие контракты делать штурманом, а практикант следующий контракт пойдет матросом.
Но, не исключено, что в крюинге, через который вы устраиваетесь, вам не дадут сразу пойти ОSом, даже если будут свободные места. Сейчас практически все начинающие моряки первый контракт делают именно в должности практиканта. Но если есть возможность пойти OS - обязательно так и поступайте. Вы в этом случае вообще ничего не теряете.
P.S. Матрос 2 класса на мостике также не работает (за редким исключением), так что и в этом случае штурманского опыта вы не наберетесь.

Щит распределительный силовой. ЩР, ШР, ЩРС, ЩС


Щит распределительный (ЩР, ЩС, ПР)

Щит распределительный (ЩР, ЩС, ПР) – это устройство, которое предназначается для дальнейшего распределения электрической энергии. Также распределительные щиты предназначаются для защиты электроустановок переменного тока с напряжением до 600 Вольт и частотой в 50 Гц при перегрузках и коротких замыканиях.

Распределительный щиток

С его помощью у вас в дальнейшем также появится возможность обеспечить оперативное включение или отключение электрических потребителей. Щиты распределительные активно могут применяться не только для частных строений, но и для промышленных предприятий. Чтобы ознакомиться с конструктивными особенностями и совершить приобретение распределительного щита, вам потребуется перейти на сайт http://www.lsin.ru/products/schityi_raspredelitelnyie_shr_schr_pr_schs.

Конструктивные особенности

Конструктивные особенности заключаются в том, что щиты могут производиться в напольном или навесном варианте. Выбор определенного варианта будет зависеть от особенностей помещения, в котором в дальнейшем будет происходить установка. Изготовление щитов на сегодняшний день происходит в металлическом или пластиковом варианте. В комплектацию электрического щита также может входить:

  1. Автоматические выключатели.
  2. Контакторы.
  3. Выключатели нагрузки.
  4. Дифференциальные автоматы.
  5. УЗО.

Щит силовой

В зависимости от функционала в конструкции также могут присутствовать и другие элементы. Уточнить комплектацию вы сможете у производителя.

Монтаж РЩ

Если вы купили устройство, тогда помните, что сейчас наступит наиболее важный и ответственный этап. Вам потребуется выполнить установку распределительного щитка. Если вы не обладаете необходимыми знаниями и навыками, тогда установить щиток самостоятельно у вас не получится. Без опыта вы можете напутать соединения и возникнет короткое замыкание. Поэтому для установки щитка лучше всего обратиться к профессионалам. Опытные электрики смогут быстро выполнить установку всех компонентов в электрический щиток.

Где приобрести

Чтобы купить распределительный щит с нужными параметрами, следует перейти в компанию «ЭЛСИН». Специалисты готовы самостоятельно спроектировать, а также изготовить качественное оборудование. ЩР будет изготовляться только из качественных материалов, которые смогут прослужить на протяжении длительного времени. Комплектующие могут быть от иностранного или отечественного производителя. Их выбор будет зависеть только от вашего желания. Конструкции, которые представлены на сайте отлично подойдут для обслуживания разнообразных объектов.

Теперь вы знаете, что представляют собою распределительные щиты. Надеемся, что эта информация была полезной и интересной.

dekormyhome.ru

Силовой распределительный шкаф (щит) серии ШРС

Ввод -250а Отходящие-5х100а

Ввод -250а Отходящие-3х100а,2х63а

Ввод -250а Отходящие-5х63а

Ввод -250а Отходящие-8х63а

Ввод -250а Отходящие-8х100а

Ввод -400а Отходящие-5х100а,2х250

Ввод -400а Отходящие-5х250

Ввод -400а Отходящие-4х63а,4х100а

Ввод -400а Отходящие-2х63а,4х100а,2х250а

Ввод -1000а Отходящие-5х250

Щиты силовые распределительные типа ЩРС предназначены для приема, распределения электрической энергии и защиты отходящих линий при перегрузках и токах короткого замыкания, для нечастых оперативных включений и отключений электрических цепей напряжением до 660 В переменного тока частотой 50, 60 Гц, применяются на промышленных объектах и объектах гражданского строительства — щиты распределения после ВРУ на небольших узлах питания (питание этажа, цеха и т. д.), жилые дома, офисные центры.

Шкафы ШРС1  представляют собой сварную металлоконструкцию, внутри которой размещена аппаратура главныхи вспомогательных цепей. Доступ к панели обеспечен со стороны фасада через дверь. Ввод питающих кабелей и выводпроводов отходящих линий может осуществляться как сверху, так и снизу.Шкафы ШРС1  изготавливаются в напольном исполнении.

Характеристики:

Номинальный ток – до 400А.Номинальное напряжение – 400В.Степень защиты – IP31 по ГОСТ 14254 96 (на заказ IP54).Климатическое исполнение – УХЛ 4 по ГОСТ 15150 69.

Расшифровка обозначения:

ЩРС – 1 XX УЗЩРС – щит распределительный силовой;1 – обозначение условного номера разработки;Х – степень защиты оболочки определенный в ГОСТ 14255-96 (2- обозначает стандарт IP22, 5 – стандарт IP54 )Х – принимает значения от 0 до 8 и обозначает номер схемы;УЗ – обозначение климатического исполнения, а также категории размещения определенной в ГОСТ 15150-69.Пример обозначения: щит ЩРС-1-24.

il-box.ru

ООО «СПЕЦЭЛЕКТРОЩИТ» | Проектирование, сборка, монтаж и подключение электрощитов. ЩИТ СИЛОВОЙ ЩС. ЩИТ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫЙ СИЛОВОЙ.ЩИТ СИЛОВОЙ В СБОРЕ.

 

На фото два силовых распределительных щита ЩРС . На  первой фотографии , щит силовой ЩС  подключен в загородном доме, на  второй фотографии , щит распределительный силовой ЩСР ,  установлен в коттедже.

СБОРКА ЭЛЕКТРОЩИТОВ ПРОИСХОДИТ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЖЕСТКОГО ОДНОЖИЛЬНОГО ПРОВОДА ПВ1 4,  ПВ1 6, ПВ1 10.

СИЛОВОЙ ЩИТ ЩС.  СБОРКА ЩРС, ШРС ПО ПУЭ, ГОСТ, ТУ.

Силовой щит ЩС  предназначен для обеспечения питания напряжением 380/220В, для учета электроэнергии и для защиты кабельных линий от перегрузок.

Можно написать проще . ЩС —  электрический силовой щит,  для распределения электроэнергии по группам электропотребителей. Если щит силовой устанавливают в доме, то в состав щита силового должен входить,  вводной автомат,  электросчетчик , двух полюсные,  трех полюсные ,  четырех полюсные автоматические выключатели , дифференциальные автоматы и УЗО. Могут входить по желанию клиента разные контакторы , реле и многое другое.

Как вы уже поняли,  мы собираем щитовое оборудование,  только с применением клемм,  более подробно на странице сайта ТЕХНОЛОГИИ СБОРКИ ЭЛЕКТРОЩИТА. Обязательное использование кросс модуля,  по нашему мнению, самые лучшие кросс модули компании Schneider Electric. Во время сборки  щитового оборудования нужны провода и термоусадочные трубки.

В более сложные,  силовые щиты входят: рубильники с механической блокировкой,  контакторы для коммутации силовых цепей с управляющим напряжением,  тепловые реле прямого и трансформаторного включения и т. д.

Фирма ООО СПЕЦЭЛЕКТРОЩИТ предлагает: сборку щитов силовых это:  ЩСН,  ШС , ШСН,  ЩСН-А , ЩСК,  КНС,  ЩВР,  ЩАЛ , ЩО 70,  ЩУРН , ЩМП , ОЩВ,  ШРС ,  ЩРС ,  щит силовой распределительный,  силовой щит для дома,  силовой щит в сборе, силовой щиток , щиток силовой распределительный,   силовой щит ВРУ, подключение ,  монтаж ,  установка ,сборку электрощитового оборудования,  любой сложности,  расключение щитов силовых,  электромонтаж  и электромонтажные работы.

Про желанию клиента  можем собрать щитовое оборудование,  по нестандартным схемам. Наши технические специалисты, имеют большой опыт в области сборки и подключения низковольтных устройств НКУ.

Качественная сборка + эстетичный вид щитового оборудования , говорит о том,  что мы профессионалы,  по сборке низковольтных устройств. Если вы хотите иметь,  профессионально собранный щит,  по международным стандартам,  то это к нам.

Звоните и мы ответим на все ваши вопросы и решим самые нестандартные ситуации в области электричества.

НАШИ ЩИТЫ СИЛОВЫЕ , МОСЭНЕРГО И ПОЖАРНАЯ ИНСПЕКЦИЯ  ПРИНИМАЕТ БЕЗ ВОПРОСОВ,  ПОТОМУ ЧТО ОНИ СОБРАНЫ ПО ВСЕМ ПРАВИЛАМ  ПУЭ,  ТУ , ГОСТ.

СТОИМОСТЬ  СБОРКИ ЩИТА СИЛОВОГО ЩС ,МОЖНО УЗНАТЬ,  ПО ТЕЛЕФОНУ: +8(499)343-34-17  .

СИЛОВОЙ ЩИТ ЦЕНА,  МОЖНО УЗНАТЬ,  ПО ТЕЛЕФОНУ: +8(499)343-34-17

У нас выгодно заказывать сборку щита силового,  потому что; 

  • Гибкая система скидок.
  • Бесплатная доставка по Москве и Ближайшему Подмосковью.
  • Индивидуальный подход,  к каждому клиенту.
  • И последнее,  ВЫ получаете современный,  качественный и профессионально собранный силовой щит,  по доступной цене.

 ООО СПЕЦЭЛЕКТРОЩИТ имеет , все необходимые разрешающие документы,  для осуществления данных  видов деятельности.

Наши телефоны: | +7(915)057-03-53 | +7(917)551-86-40

раздел на стадии наполнения………………………

 

 

eshkaf.ru

Щит распределительный силовой

Щит распределительный силовой

Главная » Продукция » Вводно-Распределительные Устройства (ВРУ) » Щит распределительный силовой Категория: ВРУ, Краткое наименование: ЩРС Расшифровка: Щит распределительный силовой

ГОСТ: Техническое условие:

Щиты распределительные силовые (ШРС) предназначены для приема и распределения электрической энергии. Шкафы рассчитаны на номинальные токи до 400 А и номинальное напряжение до 380 В трехфазного переменного тока частотой 50 Гц и с защитой отходящих линий предохранителями ППН (до 6ЗА). ПН2-100(до 100А), ПН2-250(до 250 А), ПН2-400 (до 400А). Ввод и вывод проводов и кабелей предусмотрены снизу и сверху шкафа.

Степень защиты: IP30,IP31.

Выдерживаемый ударный ток:

- при ном. токе шкафа 250 А - не менее 10 кА;

- при ном. токе шкафа 400 А - не менее 25 кА.

Назначение

Щиты силовые распределительные типа ЩРС предназначены для приема, распределения электрической энергии и защиты отходящих линий при перегрузках и токах короткого замыкания, для нечастых оперативных включений и отключений электрических цепей напряжением до 660 В переменного тока частотой 50, 60 Гц.

Щиты силовые распределительные типа ЩРС применяются на промышленных объектах и объектах гражданского строительства — щиты распределения после ВРУ на небольших узлах питания (питание этажа, цеха и т. д.), жилые дома, офисные центры.

Применяемое оборудование:

- рубильники типа OT с механической реверсивной блокировкой на токи от 16 до 630А;

- предохранители ППН (до 6ЗА), ПН2-100(до 100А), ПН2-250(до 250 А), ПН2-400 (до 400А).

Решаемые задачи:

1. Обеспечение питания напряжением 380/220В

2. Распределение питания и защита технологического оборудования от перегрузок и КЗ

3. Учет электроэнергии

4. Защита кабельных линий от перегрузок и КЗ.

Запросить расчёт

www.vvkelsh.ru

Щиты распределительные ЩР, ЩС, ЩО и ЩАО

Распределительные щиты ЩР и силовые щиты ЩС комплектуются в зависимости от проекта модульной защитной и коммутационной аппаратурой, автоматическими выключателями и рубильниками в модульном исполнении или литом корпусе. Щиты освещения ЩО, как правило, комплектуются модульной аппаратурой с заданными по проекту параметрами (для автоматических выключателей - отключающие способности, номиналы, количество полюсов, для УЗО - ток утечки, номинал, количество полюсов). При сборке щитов автоматические выключатели могут расключаться снизу вильчатой шиной или сверху гребенчатой шиной или проводами. 

В качестве корпусов ЩР, ЩС и щитов освещения применяются корпуса электрощитов серии Golf, Volta, Vector или Орион плюс. Такие щиты доступны во встраиваемом и навесном исполнении и выбираются в зависимости от требований к материалу корпуса щита, степени защиты, количеству модулей и номинальным токам аппаратов защиты, устанавливаемых в щите. В ассортименте корпусов, производимых компанией HAGER, есть стальные и пластиковые корпуса со степенью защиты до IP65.

Обзор основных серий корпусов HAGER

 

Распределительные щиты Golf для установки в помещениях 

 

  • Полная комплектация, заказ щита одним артикулом
  • Дизайнерская премия Red Dot Award 2012
  • Перенавешиваемые слева направо по месту монтажа дверцы 
  • В линейке есть щиты различных типоразмеров - от 4 до 72 модулей
  • Бюджетная серия
  • Развитое складское предложение

 

Распределительные щиты Volta для установки в помещениях 

 

  • Самый популярный квартирный щит на немецком внутреннем рынке
  • Эстетичный внешний вид, белая стальная дверца
  • Дизайнерские решения - дверцы различных цветов, стеклянные дверцы, рамки для маскировки щита под картину или зеркало, рамка под пробковую доску
  • Полная комплектация, включающая самозажимные клеммы с расцветкой по ПУЭ
  • Встроенный строительный уровень
  • Перенавешиваемые слева направо по месту монтажа дверцы

 

Распределительные щиты Vector для установки во влажных помещениях

 

  • Прочный пластик, стойкий к коррозии и атмосферным воздействиям
  • Степень защиты IP65, установка во влажных помещениях (гаражи, подвалы, балконы и др.)
  • Полная комплектация, включающая самозажимные клеммы с расцветкой по ПУЭ
  • Перенавешиваемые слева направо по месту монтажа дверцы

 

Распределительные щиты FW для установки в помещениях

 

  • Корпус щита из листовой стали, плотное порошковое покрытие, защищающее от коррозии
  • Возможность установки до 336 модулей (навесное исполнение) и 288 модулей (встраиваемое исполнение)
  • Эстетичный внешний вид, белый корпус RAL9010
  • Полная комплектация, включающая самозажимные клеммы с расцветкой по ПУЭ
  • Степень защиты IP44
  • Перенавешиваемые слева направо по месту монтажа дверцы

 

 

Распределительные щиты Орион для установки в помещениях 

 

  • Корпус щита из листовой стали, плотное порошковое покрытие, защищающее от коррозии
  • Возможность установки до 296 модулей
  • Различные комбинации дин-реек и монтажных пластин
  • Степень защиты IP65, установка во влажных помещениях 
  • Перенавешиваемые слева направо по месту монтажа дверцы

 

Сравнение корпусов распределительных щитов и щитов освещения

www.hagersystems.ru

Щит распределительный ЩР11, ЩРС1

Щиты силовые распределительные серий ЩРС - 1 и ЩР — 11 используются при приеме электроэнергии, а также ее распределении в различного рода промышленных установках.

Их обычно используют в помещениях закрытого типа с невзрывоопасной средой. Недопустимо содержание агрессивных газов, пыли и паров большой концентрации. Распределительные щиты данной серии работают с номинальными токами до 400 А , при напряжении до 380 В (трехфазный переменный ток частотой 50 гЦ) , при использовании предохранителей НПН2-60 (до 6ЗА), ПН2-400 (до 400А), ПН2-100 (до 100А), ПН2-250 (до 250 А).  

Для кабелей и проводов сверху и снизу предусмотрен ввод и вывод.

Силовые устройства данной серии способны выдерживать ударный ток не менее 10 кА (номинальный ток 250 А ) или не менее 25 кА (при 400А номинального тока).

Распределительные силовые щиты серии ЩР-11 имеют более широкий функционал по сравнению с ЩРС - 1.  При их производстве на вводе некоторых модификаций (ЩР-11-73511— ЩР-11-73517)  устанавливаются ПН2-400 предохранители, а в конструкции ЩР-11-73518 — ЩР-11-73523 учтено расположение двух вводов. По остальным параметрам распределительные устройства данных серий практически идентичны.

Расшифровка обозначения

ЩРС - 1 XX УЗ

ЩРС - щит распределительный силовой;

1 -  обозначение условного номера разработки;

Х -  степень защиты оболочки определенный в  ГОСТ 14255-96 (2- обозначает стандарт IP22,  5 - стандарт IP54 )

Х - принимает значения от 0 до 8 и обозначает номер схемы;

УЗ  - обозначение климатического исполнения, а также категории размещения определенной в  ГОСТ 15150-69.

                                                    

                                                                                Узнать цену

xn----7sbbh2btbu.xn--p1ai

Щиты распределительные. Сборка ЩР, ШР, ЩРС, ЩС.

Что такое распределительный щит типа ЩР?

Под понятием щитом ЩР мы подразумеваем распределительное устройство служащее для приема и передачи электрической энергии, которые так же выполняет функции защиты от короткого замыкания и токов утечки. В основном щиты распределительные типа ЩР имеют не большой габарит и выполняют функцию распределительного щита отвечающего за какой то сектор жилого или торгового помещения.Данные щиты могут так же по другому называться:
  1. ЩР -щиты распределительные
  2. ШР -шкафы распределительные
  3. ЩРС- щиты распределительные силовые
  4. ЩС – щиты силовые
  5. ШРС – шкафы распределительные силовые

Из чего состоят щиты распределительные типа ЩР, ШР, ЩРС, ЩC?

Данные изделия разделяются на два типа по способу установки: навесные и внутренние (для установки в стену). Вы так же можете выбрать материал оболочки шкафа: пластик или металл. Пластик выглядит более эстетично и подойдет для каких то торговых или жилых помещений, металл чаще берут для складских зон или промпредприятий. Внутри щит может комплектоваться различными рубильниками, выключателями нагрузки, счетчиками, автоматическими выключателями, устройствами защиты от токов утечки, контакторами и т.д. Все щиты мы собираем под заказ, поэтому его модификация всегда обсуждается с клиентом.

По каким параметрам выбрать щит распределительный?

Существует несколько основных параметров для данных щитов:
  1. Габарит щита должен удовлетворять посадочным размерам (размеру помещения)
  2. Способ установки: встроенный в стену или навесной
  3. Материал корпуса: металл или пластик
  4. Степень зашиты корпуса: ip21, ip54, ip65, ip66.
  5. Распределительная аппаратура внутри щита (как по проекту или подбираем для вас отталкиваясь от ваших задач и пожеланий).

Цена щита ЩР и срок сборки.

Цена данного изделия зависит от многих факторов. Основными факторами являются: количество распределительной аппаратуры внутри шкафа и ее ценовой сегмент. Надо понимать что шкаф собранный на комплектующих АВВ будет в разы дороже щита ИЭК. Но щит АВВ будет просто безупречного качества, а ИЭК будет бюджетным щитом, выполняющим свои функции.
Пример цены щита ЩР на аппаратах АВВ:
Щит ЩР1 шт. 1 7 258,69 Щит ЩР2 шт. 1 6 956,33 Щит ЩР3 шт. 1 10 258,00
Щит распределительный навесной ЩРн-П-24 IP41 пластиковый белый прозрачная дверь (MKP12-N-24-40-10)) шт. 1  
Рубильник OT40M3 3п модульный (2497R0490) шт. 1  
Выключатель автоматический однополюсный 10А С S201 6кА (S201 C10) шт. 14  
Комплект монтажных частей шт. 1  
Щит распределительный навесной ЩРн-П-24 IP41 пластиковый белый прозрачная дверь (MKP12-N-24-40-10)) шт. 1  
Рубильник OT63F3 3п с рукояткой DIN/винт (1SCA105332R1001) шт. 1  
Выключатель автоматический однополюсный 10А С S201 6кА (S201 C10) шт. 14  
Комплект монтажных частей шт. 1  
Щит распределительный навесной ЩРн-П-36 IP41 пластиковый белый прозрачная дверь (MKP12-N-36-40-05) шт. 1  
Рубильник OT63F3 3п с рукояткой DIN/винт (1SCA105332R1001) шт. 1  
Выключатель автоматический однополюсный 10А С S201 6кА (S201 C10) шт. 19  
Комплект монтажных частей шт. 1  

Заказать распределительные щиты ЩР, ШР, ЩРС, ЩС?

Для того чтоб вас сделать заказа данных изделий на нашем предприятие вам достаточно сбросить заявку на нашу общую почту [email protected] или связаться с нами по телефону +7(495)989-21-83 К заявке обязательно прикрепите схемы если они у вас есть или напишите ваше техническое задание в любой произвольной форме. Команда наших профессионалов всегда готова вам помощь в решение абсолютно любой задачи.

xn--e1agfcrlnd5d7a.xn--80adxhks

SMR OS RAL3005 Саморез острый, крашенный, с прессшайбой, для тонких металлических листов

Компания «1001 КРЕПЕЖ» осуществляет производство изделий из металла окрашенных по Вашему желанию в любой цвет по маркировке RAL. Вместе с окрашенными изделиями Вы можете приобрести в нашей компании кровельные саморезы, шурупы, и заклепки окрашенные так же в цвет по маркировке RAL в рамках Вашего запроса.

Для оформления заказа на покраску изделий из стали и покраску крепежа для монтажа направьте нам заявку на E-mail: [email protected] или звоните +7 (495) 230-10-82

RAL 1014; RAL 1015; RAL 1018; RAL 3003; RAL 3005; RAL 3009; RAL 3011; RAL 3020; RAL 5002; RAL 5005; RAL 5010; RAL 5021; RAL 6002; RAL 6005; RAL 6020; RAL 7004; RAL 7024; RAL 7035; RAL 8004; RAL 8017; RAL 8019; RAL 9003; RAL 9005; RAL 9016

№ RAL Цвет Расшифровка
RAL 1014   Ivory
RAL 1015   Light ivory
RAL 1018   Zinc yellow
RAL 3003   Ruby red
RAL 3005   Wine red
RAL 3009   Oxide red
RAL 3011   Brown red
RAL 3020   traffic red
RAL 5002   Ultramarine blue
RAL 5005   Signal blue
RAL 5010   Gentian blue
RAL 5021   Water blue
RAL 6002   Leaf green
RAL 6005   Moss green
RAL 6020   Chrome green
RAL 7004   Signal grey
RAL 7024   Graphite grey
RAL 7035   Light grey
RAL 8004   Copper brown
RAL 8017   Chocolate brown
RAL 8019   Grey brown
RAL 9003   Signal white
RAL 9005   Jet black
RAL 9016   Traffic white

SMR OS RAL7024 Саморез острый, крашенный, с прессшайбой, для тонких металлических листов

Компания «1001 КРЕПЕЖ» осуществляет производство изделий из металла окрашенных по Вашему желанию в любой цвет по маркировке RAL. Вместе с окрашенными изделиями Вы можете приобрести в нашей компании кровельные саморезы, шурупы, и заклепки окрашенные так же в цвет по маркировке RAL в рамках Вашего запроса.

Для оформления заказа на покраску изделий из стали и покраску крепежа для монтажа направьте нам заявку на E-mail: [email protected] или звоните +7 (495) 230-10-82

RAL 1014; RAL 1015; RAL 1018; RAL 3003; RAL 3005; RAL 3009; RAL 3011; RAL 3020; RAL 5002; RAL 5005; RAL 5010; RAL 5021; RAL 6002; RAL 6005; RAL 6020; RAL 7004; RAL 7024; RAL 7035; RAL 8004; RAL 8017; RAL 8019; RAL 9003; RAL 9005; RAL 9016

№ RAL Цвет Расшифровка
RAL 1014   Ivory
RAL 1015   Light ivory
RAL 1018   Zinc yellow
RAL 3003   Ruby red
RAL 3005   Wine red
RAL 3009   Oxide red
RAL 3011   Brown red
RAL 3020   traffic red
RAL 5002   Ultramarine blue
RAL 5005   Signal blue
RAL 5010   Gentian blue
RAL 5021   Water blue
RAL 6002   Leaf green
RAL 6005   Moss green
RAL 6020   Chrome green
RAL 7004   Signal grey
RAL 7024   Graphite grey
RAL 7035   Light grey
RAL 8004   Copper brown
RAL 8017   Chocolate brown
RAL 8019   Grey brown
RAL 9003   Signal white
RAL 9005   Jet black
RAL 9016   Traffic white

Полезные статьи компании ООО ПКФ «ЭнергоЦентр»

ГРЩ (расшифровка: главный распределительный щит) ‒ это низковольтный прибор, который принимает и распределяет электрическую энергию до электропотребителей. Осуществляет учет, защищает групповые линии от перегрузок и токов короткого замыкания.

Установки используют:

  • в офисных зданиях;
  • в многоквартирных домах;
  • на промышленных предприятиях;
  • в медицинских учреждениях;
  • на других объектах с повышенными требованиями электробезопасности.

Применяют в сетях переменного тока с глухозаземленной нейтралью, с напряжением не более 380 В и частотой 50 Гц.

Устанавливают аппараты возле мощных источников энергии ‒ трансформаторных подстанций и генераторов (газовых, дизельных, бензиновых). Первые предназначены для питания основных щитов, вторые ‒ резервных.

Из чего состоит ГРЩ

Устройство представляет собой сборную металлическую конструкцию. В ее состав входят следующие панели:

  • вводные ‒ включают счетчики учета и агрегаты, принимающие электроэнергию от источника;
  • линейные (распределительные) ‒ питают выходящие линии;
  • секционные ‒ содержат автоматические выключатели, которые позволяют запитывать несколько секций от одного ввода. Чаще всего здесь размещают АВР, используемый в качестве резервного снабжения потребителей электричеством.

Как выглядит ящик ГРЩ

Изделия комплектуют преимущественно двумя вводами. В этом случае их делят на те, что работают на общую или каждый на свою нагрузку. Питание поступает через магистральный шинопровод, производимый из меди. Мощные щиты оснащают медным шинопроводом, более слабые ‒ алюминиевым.

Использование УКРМ позволяет компенсировать реактивную мощность. Они снижают потери электрической энергии. Установки входят в состав оборудования, предназначенного для крупных промышленных компаний.

Прибор в собранном виде напоминает шкаф, разделенный на зоны, закрытые дверцами. На дверях находятся органы управления, индикация. В зависимости от типа исполнения ГРЩ ставят на пол, подвешивают или встраивают в стену. Устанавливают в помещениях, защищенных от влаги, радиационного воздействия, вибраций.

Чем ВРУ отличается от ГРЩ

Вводно-распределительное устройство также используют для приема, учета, дальнейшего распространения электричества по различным объектам. С его помощью контролируют правильное распределение нагрузки по сети.

Представляет собой закрытый односторонний металлический ящик с дверцами, в котором расположена электротехническая аппаратура. Эксплуатируют приборы в жилых и общественных зданиях, в заводских цехах. Может быть представлен в напольном и подвесном исполнении.

Разница между аппаратами заключается в том, что главный распределительный щит обычно стоит первым в иерархии подстанции и/или является ее частью. Он рассчитан на ток от 600 до 3200 А.

Устройство ВРУ

Производство ВРУ осуществляют по нормам ГОСТ Р 51732-2001. Отраслевой стандарт регламентирует конструкцию, комплектность, контактные зажимы, основные сведения, маркировку, защитные покрытия и другие технические требования, согласно которым сила тока не должна превышать 630 А.

Щит распределительный для игрового центра. Schneider Electric / Электрика / Cs-Cs.Net: Сообщество

Предлагаю Вашему вниманию одну из последних моих работ.Щит силовой для развлекательного центра, начинка Schneider Electric.

Этот проект мы пережевывали довольно долго, с октября прошлого года. Основная сложность возникла с габаритами щита, так как место для размещения ограничено нишей шириной в 600 мм и по высоте 1700.После расчета, остановился на корпусе от TDM ШРС-2 (1600*500*300)
Вот и начинка подъехала, но после раскладки начинаю понимать что места в щите остается меньше чем рассчитывал.

Ну да ладно все терпимо, после размещения всех модулей по дин-рейкам займемся подводом питания от распределительных модулей.
Вводной автомат на 160 ампер и три распределительных модуля. Рядом кросс модуль для подключения рабочего ноля.Во втором ряду расположились автоматы для питания линий освещения, освещение выполнено на импульсных реле iTL. Каждое реле управляется двумя кнопками из разных мест. Была мысль протолкнуть релюшки с индексом «с» тогда можно реализовать выключение и включение всех линий освещения с одной кнопки(очень удобно для персонала при закрытии клуба), но заказчик не согласился на доп. расходы.

Питание на кнопки управления вынес на отдельный кросс модуль. Питание на каждый ряд автоматов выполнил проводом ПВ3 16 мм и 10 мм.

Очень понравилась в работе шинка для соединения дифов от Schnader, дело в том что контакты питания выполнены со смещением в левую половину и смещены относительно друг друга, поэтому раньше приходилось колхозить шинку и перемычки. Родная соединительная шина отлично села и неплохо выполнена.


Еще пригодились отводные клеммы для подключения питания и ноля.На предыдущих фото их хорошо видно.
В нижней части щита расположил автоматы питания и контакторы включения вытяжек. А управление на двери щита.
Рядом расположился отсек аварийного освещения, с питанием от аккумулятора расположенного в другом месте.Для безопасности добавил модульный индикатор красного цвета, что бы при отключении вводного автомата привлечь внимание на то что питание на аварийной группе есть.

Теперь немного поработаем с оболочкой, так как все кабели заводятся сзади сделаю окошко для ввода.



С помощью пресса для металла сделал четыре отверстия и болгаркой вырезал отверстие с закругленными углами, а что бы кабель не повредился проложил по периметру пластиковую гофру. Вот и готово вводное оконце.
Установил монтажную раму в щит, закрыл крышки перфорированных лотков и наклеил маркировку.

Вот и все щит готов можно отправлять на объект.

Что находится в электрической панели вашего дома

SP (сетевой фильтр)

Это еще один элемент, который является обязательным для недавно установленных электрических панелей в целях повышения безопасности. Сетевой фильтр, как следует из названия, защищает домашних электрических устройств от повреждения скачками напряжения независимо от их характера.

Эти пики напряжения могут быть вызваны, например, ударами молнии во время грозы и могут вызвать повреждение оборудования, установки и даже людей.В случае перенапряжения SP будет действовать как экран , отклоняя ток на землю, тем самым предотвращая повреждение электрических приборов.

DS (дифференциальный переключатель)

Дифференциальный переключатель отличается от других. Его легко узнать, потому что он имеет поворотный рычаг, обычно называемый стопорным винтом . Этот элемент защищает установку от утечек тока , предотвращая «искру» (или что-то еще хуже), если мы прикоснемся к бытовому прибору с ослабленным кабелем.Вот почему, если в любой момент DS отключается, это потому, что утечка тока произошла из-за неисправности в установке или неисправного бытового прибора.

Как правило, существует тенденция к разнице для каждой электрической установки, но в зависимости от размера собственности может быть два или три, чтобы контролировать различные области помещения.

SPS (переключатели малой мощности)

Эти переключатели по отдельности управляют подачей электричества к различным бытовым приборам и электрическим цепям: стиральным машинам, освещению, холодильникам, розеткам и т. Д.Они всегда вместе. Они неразлучны, как хорошие братья и сестры, и если они обнаруживают избыточного потребления в одной части дома, соответствующий коммутатор автоматически отключается. Таким образом, без электричества остается только эта территория, а не остальная собственность.

Подобно PCS и AGS, они являются магнитотермическими выключателями и служат для отключения электричества вручную или автоматически, независимо от устройств, которые от них зависят, в случае короткого замыкания или перегрузки.

SPS

также полезны для задач строительства или обслуживания, давая возможность лишить определенной части установки электричества без необходимости отключения всего источника питания.

Раков | Бесплатный полнотекстовый | Расшифровка роли CD271 в меланоме

1. Введение

Приобретение метастатического фенотипа является отличительной чертой прогрессирования солидных опухолей и характеризуется скорее транскриптомными и эпигенетическими, чем генетическими изменениями, опосредующими активацию или инактивацию молекулярных программ.Последние определяют стадии прогрессирования меланомы и терапевтический контроль опухолей. Пациенты с диагнозом меланома на неметастатических стадиях IA и IIA показывают пятилетнюю общую выживаемость (ОВ) 95,3 ± 0,4% и 78,7 ± 1,2%. Метастазирование в регионарные лимфатические узлы и образование метастазов в сателлитной коже наблюдаются на стадии IIIA, что приводит к снижению ОС до 69,5 ± 3,7%. Системное распространение клеток меланомы по телу пациентов со стадией IV приводит к образованию метастазов в отдаленных органах, особенно в легких, печени и головном мозге, что связано с худшим исходом и OS до 9.5 ± 1,1% [1]. Адаптация опухолевых клеток к преобладающим условиям микросреды, которые определяются составом факторов роста и белков внеклеточного матрикса (ЕСМ), является предпосылкой для правильного установления метастазов в удаленных участках органов [2,3]. Несколько линий доказательств предполагают, что метастазирование - это последовательный процесс [2,4], который, вероятно, выбирает клеточную субпопуляцию с высокой метастатической способностью и стеблевым фенотипом. Последний позволяет быстро адаптироваться к различным органоспецифическим условиям [5].Однако механизмы, управляющие метастатическим каскадом при меланоме, все еще недостаточно изучены, хотя были идентифицированы некоторые многообещающие кандидаты. Рецептор фактора роста нервов CD271 (p75 NTR , NGFR) был идентифицирован в 1968 году, функционально описан в 1986 году и связан с агрессивность и метастазирование меланомы в конце 1980-х - начале 1990-х годов. В частности, Herrmann et al. ассоциировал экспрессию CD271 с повышенной инвазивностью и метастазированием клеток MeWo-70W в мозг [6,7].Однако CD271 был открыт заново только ~ 30 лет спустя. В 2010 году Бойко и др. установили, что CD271 маркирует подмножество клеток, инициирующих меланому (MIC, также известных как стволовые клетки меланомы), способных к образованию и дифференцировке опухолей. Наиболее поразительно то, что CD271 обнаруживает взаимоисключающую экспрессию с типичными маркерами поверхности клеток меланомы, такими как MART1 и HMB45 [8]. Следовательно, клинические испытания, нацеленные на меланомные специфические антигены, потерпели неудачу из-за недостаточного нацеливания МПК, что, как следствие, способствовало рецидиву опухоли.MIC, которые демонстрируют экспрессию CD271, способны обновлять опухолевую массу и давать дифференцированное потомство, которое имеет типичные меланоцитарные / меланомные антигены. Бойко и др. и другие предоставили понимание роли CD271 в меланоме, но также продемонстрировали, что экспрессия и локализация CD271, как и другие маркеры, лежат в основе клеточной пластичности [8,9]. Профили экспрессии клеток меланомы со стабильным нокдауном CD271 впервые продемонстрировали, что клеточные свойства субпопуляции клеток меланомы регулируются CD271-зависимым образом.Последующие исследования показали, что CD271 является частью сети, контролирующей основные свойства клеток меланомы.

В настоящем обзоре мы обобщим недавние открытия о роли CD271 в меланоме и продемонстрируем, что CD271 контролирует основные свойства клеток меланомы, в частности миграцию и метастазирование.

2. CD271 в развитии

Экспрессия CD271 наблюдается на разных стадиях развития мыши и человека, раньше всего обнаруживалась в клетках внутренней клеточной массы бластоцисты мыши [10], сохраняется в эмбриональных стволовых клетках мыши (mESC), но теряется при дифференцировке [11].Во время развития нервной системы позвоночных CD271 маркирует большую часть мигрирующих мультипотентных стволовых клеток нервного гребня (NCSCs), способных к самообновлению [12], которые возникают из эмбриональной эктодермы. NCSCs отслаиваются от нейроэпителия посредством эпителиально-мезенхимального перехода (EMT) и мигрируют вдоль осей тела. Мигрирующие клетки нервного гребня (NC) теряют экспрессию E-кадгерина (CDh2) и приобретают экспрессию человеческого природного киллера-1 (HNK1) / 3-бета-глюкуронозилтрансферазы 1 (B3GAT1), CD271 и рецептора эндотелина типа B (EDNRB). [13,14] (рис. 1а).Экспрессия CD271 позволяет отслеживать NCSCs во время раннего развития NC человека и изолировать множественные NCSCs из периферических нервов плода млекопитающих и дифференцированных эмбриональных стволовых клеток человека (hESCs) [12,13,15]. NCSC, происходящие из hESC, характеризуются высокой экспрессией CD271, SOX10, PAX3 и др., Но низкой экспрессией маркеров дифференцировки, специфичных для клонов [15], рассмотренные в ссылках [12,16]. Вероятно, поддержание мультипотентных NCSCs во время развития NC осуществляется с помощью фактора транскрипции forkhead box d3 (FOXD3), который действует совместно с CD271 [17,18].После расслоения CD271 + / SOX10 + / HNK1 + / CDh2 - / FOXD3 - NCSC мигрируют через периферию и дают дифференцированное потомство; среди них есть мышечные клетки, глиальные клетки, нейроны и меланоциты [19,20] (рис. 1а). Формирование меланоцитов, как и других производных NCSC, контролируется сетью регуляторных факторов транскрипции, особенно SOX10. Генетическое устранение SOX10 и CD271 в модельной системе мышей последовательно приводило к полной потере способности меланоцитов к дифференцировке и потере компартмента NC [21,22].EMT, который, в свою очередь, опосредует отслоение NCSC от NC (рисунок 1a), опосредуется связыванием репрессоров транскрипции SNAI1 (Snail), SNAI2 (Slug) и ZEB1 с промотором E-cadherin / CDh2, обзор Barrallo -Gimeno et al. [23]. Первое понимание функциональной роли CD271 в миграции клеток было получено на мышиных моделях, которые позволили условно нокаутировать CD271 в клетках NC. Последнее выявило уменьшение диаметра седалищного нерва и недостаточность кроветворения, обзор Wislet et al.[14]. Хотя роль CD271 во время развития и спецификации меланоцитов (рисунок S1a, всесторонний обзор Douarin et al., White et al. И Blake et al. [19,24,25]) неизвестна, нокдаун-исследования меланомы выявили тесную взаимосвязь между CD271 с FOXD3, SOX2 и SOX10. Это может указывать на то, что CD271 способствует поддержанию NCSC-состояния in vivo и, по крайней мере, частично in vitro посредством транскрипционного контроля NCSC-спецификатора.

3. CD271 в коже и развитие меланомы

CD271 преимущественно экспрессируется в пролиферирующих (Ki67 + ) и бездействующих (Ki67 ) клетках базального слоя, особенно в меланоцитах и ​​предшественниках кератиноцитов с временным усилением (ТА) [26] (Рисунок 1b).В последнем случае CD271 контролирует раннюю и зависимую от дозы стадию дифференцировки кератиноцитов [27]. Хотя роль CD271 в меланоцитах полностью не изучена, несколько линий доказательств предполагают, что CD271 предотвращает апоптоз, индуцированный УФ-излучением, в KIT (c-KIT) и MITF-положительных меланоцитах посредством активации антиапоптотического белка BCL 2 (Рисунок S1b). Последний, в свою очередь, индуцируется биоактивным NGF, который секретируется кератиноцитами, которые находятся в непосредственной близости от меланоцитов.Более того, уровни NGF и CD271 увеличиваются в кератиноцитах и ​​меланоцитах in vitro в ответ на УФ-излучение соответственно [28,29,30]. Более того, уровни экспрессии CD271 значительно выше при меланоме, чем при других типах рака кожи, таких как базальноклеточная карцинома (BCC) и плоскоклеточная карцинома (SCC) (рисунок S2a), что свидетельствует о менее серьезном прогрессе. Помимо меланоцитов кожи, сильная экспрессия CD271 обнаруживается в сосудистой оболочке глаза и в увеальной меланоме (рис. S2b). Формирование меланоцитарных невусов является следствием гиперактивации пути MAPK, вызванной приобретенными мутациями в BRAF, чаще всего в BRAF V600E / K (~ 15-20% и ~ 40-50%) [31].Конститутивная активация BRAF временно приводит к очаговой пролиферации меланоцитов, что, следовательно, вызывает остановку клеточного цикла и индуцированное онкогеном старение [32,33,34]. Следовательно, потеря генов-супрессоров опухолей, например, p16 , INK4a , PTEN или TP53, является предпосылкой для трансформации меланоцитов с мутацией BRAF и образования меланомы [35, 36]. Эта генетическая зависимость была воспроизведена в мышиной модельной системе, впервые установленной Dankort et al. В этой системе онкогенный Braf V600E экспрессировался под контролем промотора тирозиназа / Tyr и, следовательно, ограничивался меланоцитами.В то время как отчетливая экспрессия Braf V600E запускала индуцированное онкогеном старение, генетическая потеря Pten-опосредованного образования меланомы с высокой эффективностью [37]. Помимо Braf, мутировавшие Nras, Kras или Hras, ​​как было показано, эффективно индуцируют образование меланомы в сочетании с генетическим удалением p16 Ink4a , p53 и Cdkn2a среди других, обзор Perez-Guijarro et al. [38]. Кроме того, активированный AKT3 взаимодействует с BRAF V600E , чтобы способствовать трансформации меланоцитов, которая, в свою очередь, связана с независимой от фактора роста пролиферацией и усилением независимого от закрепления роста [33].Хотя сигнальный путь AKT часто активируется при прогрессировании меланомы, потеря PTEN преимущественно предшествует активации AKT3 [39]. Идентификация CD271 в качестве маркера MIC, проведенная Boiko et al. стимулировал интенсивные исследования рецепторов в области меланомы и за ее пределами. Что наиболее интригующе, экспрессия CD271 определяет субпопуляцию клеток меланомы, лишенных экспрессии типичных антигенов, таких как MART-1, HMB45, ассоциированных с меланомой антигенов (MAGE) и регуляторов пролиферации или синтеза меланина e.g., MITF или TYR [8,40]. Вероятно, низкая экспрессия MITF в CD271 + амеланотических опухолях и клеточных линиях является следствием совместной экспрессии CD271 и репрессоров транскрипции MITF, например, FOXD3 и / или SOX2 [8,17,40,41,42 ]. Исследование субфракций клеток меланомы, сохраняющих липофильный краситель PKh36, показало, что даже пул клеток CD271 + содержит пролиферирующие (CD271 + / Ki67 + / PKh36 -) и медленные циклы / сохранение метки (CD271 + / Ki67 - / ПХ36 + ) подмножества [40].Последняя подгруппа показала более высокую экспрессию генов репарации ДНК [43] и была связана с устойчивостью к вемурафенибу и метастатическим фенотипом в мозг [44,45]. Однако сохранение экспрессии CD271 в опухолевых клетках неизвестно и, вероятно, не поддается определению. Кроме того, установленные in vitro опухолевые клетки меланомы демонстрируют нестабильную и флуктуирующую экспрессию CD271, которая может быть стабилизирована сигналами микроокружения внутри опухоли и / или потенциально регулируется циркадными часами [46,47].Кроме того, уровень CD271 повышается в ответ на стрессовые условия, например, вызванное лекарством повреждение ДНК [8,9,43,47,48]. Действительно, наблюдались несколько метастазов меланомы, почти содержащих ~ 90–100% экспрессирующих CD271 клеток, что указывает на существование механизма, который стабилизирует или усиливает экспрессию CD271 in vivo. Следовательно, CD271 регулирует ключевые характеристики клеток меланомы; в частности, стволоподобный / NCSC-подобный фенотип, а также миграция и пластичность клеток отменяются в клетках меланомы при стабильном нокдауне CD271 (см. Раздел 5).Однако роль CD271 в развитии и прогрессировании меланомы четко не определена. Недавно сравнительный анализ данных экспрессии генов клеток меланомы CD271 + и CD271 - и меланоцитов CD271 + выявил AKT3 (но не AKT1 или AKT2) среди генов с повышенной регулируемой активностью, служащих ключевым медиатором выживания. [49]. Кроме того, анализ пути выявил SHC1 как партнер взаимодействия CD271 и повышенные уровни CAMKII в клетках CD271 + , выступающих в качестве медиаторов активированного AKT3 [49].Соответственно, стабильный shRNA-опосредованный нокдаун CD271 снижает экспрессию AKT3 [50], предполагая, что согласованное действие CD271 и AKT3 может способствовать трансформации меланоцитов и поддержанию ранее сформировавшихся клеток меланомы. Однако остается неизвестным, служит ли CD271 решающим поддерживающим фактором, контролирующим трансформацию меланоцитов и прогрессирование меланомы, хотя уровни экспрессии CD271 увеличиваются с увеличением стадий прогрессирования (Рисунок 1c, d). Только модели in vivo раскрывают актуальность экспрессии CD271 в этом процессе.Сравнительный анализ экспрессии меланоцитов и клеток меланомы показал, что CD271 связан с сигнальными процессами, участвующими в развитии кожи, метаболическими гормональными процессами, клеточной адгезией и активностью ионных каналов [49]. Кроме того, сравнение меланоцитов с метастатическими клетками меланомы выявило преобладающую экспрессию генов, связанных с интерфероновым ответом и передачей сигналов через E-кадгерин (CDh2) в меланоцитах, и генов, участвующих в метастазировании, EMT и передаче сигналов EGFR при меланоме (Рисунок S3a– д).

4. Идентификация генов, ассоциированных с CD271

За последние несколько лет было признано, что субпопуляция клеток меланомы имеет NCSC-подобный фенотип [8,40,51]. Стабильный или временный нокдаун CD271 в клетках меланомы показал, что NCSC-подобный фенотип поддерживается экспрессией CD271 (рисунок 1d), который, в свою очередь, контролирует уровни нижестоящих мишеней, например, SOX10, FOXD3 и SOX2 (рисунок S1c, а не показано) [12,40,52]. Потеря CD271, как следствие, вызвала серьезное нарушение выживаемости и пролиферации клеток, что, скорее всего, было вызвано потерей целостности генома, что, в свою очередь, было связано со сниженной экспрессией генов репарации ДНК [40,43] и выявило взаимоисключающую экспрессию с ингибиторы метастазирования, KISS1 и DMBT1 (рис. 2) [43].Кроме того, снижение CD271 значительно снижает способность опухолевого образования in vivo и миграции клеток in vitro [40,44,50]. С другой стороны, сверхэкспрессия CD271 увеличивает уровни SOX2 и RHOJ и склонность к миграции и метастазированию клеток A375 [43,53]; однако лежащие в основе механизмы плохо изучены. Эти эксперименты убедительно указывают на более полную роль CD271, служащего детерминантом свойств клеток меланомы, независимо от присутствия мутации BRAF V600E .Присутствия последнего было недостаточно для предотвращения апоптоза клеток меланомы, вызванного потерей экспрессии CD271 [44]. Свойства клеток меланомы, вероятно, контролируются согласованным взаимодействием CD271 и SOX10, поскольку подавление CD271 или SOX10 оказывает сравнимые эффекты [22]. Следовательно, CD271 и SOX10 имеют общий набор ассоциированных генов или мишеней, например, MITF, CDKN1A, TP53 и CCNA1 [40]. Интересно, что потеря SOX10 снижает уровень CD271, что свидетельствует о взаимной зависимости.Соответственно, генетическая абляция у мышей Tyr :: Nras Q61K продемонстрировала, что Sox10 необходим для образования и пролиферации меланомы, выживания и поддержания опухоли [22]. Однако вопрос о том, нарушает ли генетическое удаление CD271 в меланоцитах образование меланомы, еще не изучен.

5. CD271 в миграции, метастазировании и пластичности клеток

Системное распространение опухолевых клеток по всему телу является признаком прогрессирования опухоли и все еще является ведущей причиной смерти, связанной с раком.В частности, последовательное образование метастазов в отдаленных органах связано с потерей контроля над заболеванием и плохим прогнозом, как указано в обзоре Ackermann et al. [54]. Метастазы в головной мозг (БМ) являются наиболее сложными [55] и развиваются в 20–40% случаев меланомы в течение болезни, с неясной специфичностью подтипа, согласно обзору Redmer [56]. Эффективное системное распространение клеток меланомы зависит от поддержания мигрирующего фенотипа, который, вероятно, унаследован от клеток NC [57,58].Вероятно, метастатическая ниша играет важную роль в поддержании мигрирующего фенотипа. В 1995 году Marchetti et al. продемонстрировали, что лиганды нейротрофиновых рецепторов CD271 и связанных с тропомиозином киназ (TRK, см. раздел 6), фактора роста нервов (NGF) и нейротрофина 3 (NTF3) экспрессируются нишевыми клетками в головном мозге, но не метастатическими клетками меланомы в головной мозг [59 ]. Напротив, последний экспрессировал CD271 и TRKC и характеризовался миграцией на фронте инвазии, вероятно, в паракринном ответе.Актуальность этой зависимости была продемонстрирована Truzzi et al., Которые наблюдали повышенную миграцию метастатических клеток меланомы после стимуляции NGF, NTF3 и NTF4 [60]. Хотя ситуация in vitro может не отражать напрямую механизмы миграции опухолевых клеток в головном мозге, эти исследования предполагают роль нейротрофинов в миграции клеток. Более чем десятилетие спустя исследования Boiko et al. доказано, что экспрессия CD271 опосредует стволовость клеток меланомы и служит регулятором метастазирования [8].Более поздние функциональные исследования установили, что CD271 действует как ключевой регулятор NCSC-подобного состояния при меланоме, что, в свою очередь, программирует миграционный фенотип [40,50]. Профилирование экспрессии и анализ обогащения набора генов (GSEA) клеток меланомы с принудительной экспрессией CD271 выявили связь с генами, вызывающими метастазирование и рецидив. Соответственно, анализы царапин на основе визуализации живых клеток показали, что клетки меланомы с высоким эндогенным уровнем или принудительной экспрессией CD271 демонстрируют значительно более высокую миграцию в царапинную рану, чем клетки с низкой экспрессией, и, соответственно, нокдаун CD271 снижается. миграционная способность [43,50].Среди генов, предсказывающих метастазирование или рецидив меланомы, были гиалуроновый рецептор подвижности (HMMR), родственная NIMA киназа 2 (NEK2) и гены репарации ДНК. HMMR и NEK2 были связаны с повышенной миграцией, метастазированием и плохой выживаемостью при раке [43,61,62,63,64,65,66,67,68], а Kauffmann et al. ассоциированный метастаз меланомы с высокой экспрессией генов и путей репарации ДНК [69]. Мы наблюдали повышенные уровни генов репарации ДНК RAD21, MSH6 и RAD51 в клетках CD271 + , но не CD271 - MACSed [43], следовательно, способность к репарации ДНК потенциально регулируется CD271-зависимым образом [43] .Мутант BRAF V600 служит еще одним фактором метастазирования, поскольку мутантные клетки меланомы обладают более высокой способностью к эндогенной миграции in vitro, чем клетки дикого типа (wt) [43,70]. Хотя уровень CD271 в опухолях, вероятно, нестабилен [47], несколько процессов, повышающих экспрессию CD271, были идентифицированы in vitro. В частности, клеточный стресс, вызванный терапевтическими вмешательствами [43,44,71], гипоксией [72,73] или воспалением [74,75,76,77], увеличивал экспрессию CD271. Химиотерапевтические препараты использовались более 40 лет в качестве первой линии лечения меланомы и до сих пор используются в клинической практике, особенно для пациентов, у которых отсутствуют лекарственные мутации, или пациентов, которые стали невосприимчивыми к ингибиторам иммунных контрольных точек [78].Однако химиотерапевтические препараты, вызывающие повреждение ДНК, увеличивали клеточную поверхность и общий уровень CD271 после 24 часов лечения в чувствительных к лекарствам (родительских, Par) клетках MeWo (рисунок S4a). Значительное увеличение ДНК-повреждений и p53-путей (рис. S4b, c), вероятно, предполагает роль как регуляции уровней CD271 in vitro, так и in vivo. Помимо медиаторов ответа на повреждение ДНК, NGF и BDNF активируются в краткосрочной (24 часа) реакции на цисплатин (рисунок S4d), потенциально запуская процессы аутокринной передачи сигналов. E.г., миграция. Кроме того, повышенная экспрессия CD271 и NGF наблюдалась в химиорезистентных клетках MeWo с повышенной миграцией [43]. Соответственно, селективный ингибитор онкогенного BRAF V600E / K опосредует резистентность к вемурафенибу через повышенную экспрессию CD271 [44]. Таким образом, терапевтические вмешательства выбирают высоко мигрирующие и метастатические клетки меланомы, вероятно, за счет модификации уровней CD271. Это утверждение подкреплено любопытным открытием, что инъекция нейтрализующего антитела, индуцированного против CD271, блокирует метастазирование меланомы в модельной системе мышей [79].Недавно экспрессия CD271 была признана регулятором переключения фенотипа, процесса, который делает возможным быстрое и обратимое превращение нестеблевого в стеблевидное или пролиферативного в инвазивное состояния. Последний был связан с программой AXL high / MITF low [53,54,55,56,57,58]. Кроме того, Hoek et al. определил пролиферативный / низко-миграционный фенотип с помощью (1) уровней MITF-мишеней (TYR, DCT, PMEL, MLANA), (2) генов, связанных с NC (SOX10, TFAP1A, EDNRB), и (3) чувствительности к рост ингибирующего эффекта TGF-β и доли Ki67-положительных клеток [80,81].Напротив, мигрирующий / низкопролиферативный фенотип определялся индукторами ЕМТ ZEB1, TWIST1 и c-JUN, а также CD271 и AXL [53,82]. Условная сверхэкспрессия CD271 в клеточных линиях меланомы нарушала пролиферацию in vitro и in vivo, но усиливала образование метастазов в отдаленных органах. Кроме того, Restivo et al. продемонстрировали, что манипуляции уровнями CD271 было достаточно, чтобы контролировать переключение между пролиферацией («ростом») и инвазией («уходом») клеток меланомы. Кроме того, Restivo et al.предположили, что взаимодействие CD271 с TRKA и высвобождение внутриклеточного домена CD271 (ICD) служат в качестве ответственных механизмов, ведущих к потере адгезии за счет усиления регуляции продукции холестерина и нарушения пролиферации [53]. Механизм, регулирующий переключение CD271 high в клетки MITF high и наоборот, вероятно, обнаруживается во всех органах-метастазах и осуществляется через временное состояние клеток CD271 + / MITF + . Соответственно, анализ BMM меланомы (MBM) показал, что клетки CD271 high демонстрируют отсутствие экспрессии MITF и MITF-мишеней [50], но характеризуются высоким обогащением генов-мишеней / связанных с CD271 (исследование GSE50493 [83]). и гены, связанные с NCSC-подобным фенотипом и миграцией клеток (Рисунок S5a-d).Вероятны несколько механизмов, которые запускают и контролируют клеточную пластичность и переключение фенотипа, помимо процессов, регулируемых CD271-ICD. Гипоксия опухоли вызывается низким уровнем кислорода, вызывающим не только образование новых кровеносных сосудов, но и метастазирование, как описано Rankin et al. [84]. Метастазирование, вызванное гипоксией - сложный процесс, управляемый несколькими медиаторами. Видмер и др. продемонстрировали, что модуляция индуцируемого гипоксией фактора 1α (HIF1α) была достаточной для индукции дедифференцировки и переключения фенотипа пролиферативных клеток на инвазивные клетки меланомы, ссылаясь на ось AXL / MITF [85].Стабилизация HIF1α в условиях гипоксии благоприятствовала инвазивному состоянию AXL high , а отсутствие или низкие уровни HIF1α способствовали пролиферативному фенотипу MITF high . Изменения в среде фактора роста представляют собой еще один механизм, запускающий быстрое взаимное преобразование стеблевидных состояний, отмеченных CD271, CD133 [86] или CD271 / CD133 [40]. Мы наблюдали, что клетки с двойным положительным (CD271 + / CD133 + ), а также двойным отрицательным (CD271 - / CD133 - ) фенотипом были способны восстановить клеточную гетерогенность исходной клетки. культура в течение трех дней.Более того, переключение фенотипа клеток CD271 + / CD133 - на клетки CD271 + / CD133 + индуцировалось в отсутствие сыворотки и FGF2, что предотвращалось в клетках со стабильным нокдауном CD271. Неизвестно, действительно ли стволовые клетки CD133 + непосредственно эволюционировали из клеток CD271 + или представляли собой дифференцированное потомство еще одного стволоподобного состояния. Опосредованная shRNA отрицательная регуляция CD133 или CD271 в клетках меланомы показала, что оба маркера обратно коррелированы, что позволяет предположить, что CD133 подавляет гены, связанные с CD271, например.g., AXL и FOXD3 и наоборот [40,86]. Хотя методы, позволяющие отслеживать фенотипы клеток меланомы in vitro, существуют, мониторинг сигналов, вызывающих переключение фенотипа в опухолях, особенно в ответ на определенные условия in vivo, например терапевтические вмешательства или гипоксия, остается сложной задачей. Репортерные системы могут позволить проследить in vivo переключение фенотипа стволовых клеток и их участие в образовании опухолей и метастазировании. Комбинация ген-специфичных последовательностей 3'-UTR, слитых с GFP, дает представление о механизмах, поддерживающих стволовые клетки (рис. 3a), например.g., регулируется связыванием микроРНК. Обогащение FACS (рис. 3b) клеток меланомы со стабильной геномной интеграцией репортера 3´-UTR-CD271-GFP дает чистую подгруппу GFP + (рис. 3c, верхние панели). Однако только меньшая часть клеток GFP + сохраняется при культивировании в двумерных (2D) (рис. 3c, нижние панели) или трехмерных (3D) системах (рис. 3d). Следовательно, содержание предполагаемых стволовых клеток CD271 + в системах клеточных культур строго контролируется механизмами, уравновешивающими дифференцировку и дедифференцировку.Таким образом, эти данные предполагают, что CD271, вероятно, контролирует миграцию и метастазирование клеток меланомы посредством переключения фенотипа, которое включает подавление MITF-мишеней. Сравнение уровней экспрессии MITF показывает, что метастазы и первичные опухоли с пролиферативными и инвазивными клеточными состояниями (рисунок S6a) не распространены по органам (рисунок S6a, b). Следовательно, экспрессия MITF / мишеней подавляется во время метастазирования и повышается во время образования вторичных опухолей. Напротив, экспрессия CD271 увеличивается, что способствует метастазированию, инвазивности и уменьшается, когда диссеминированные клетки достигают отдаленных участков органов.Более того, подмножество метастазов может постоянно существовать в состоянии CD271 высокий / MITF низкий , характеризующееся высокой агрессивностью и метастатической способностью. Устойчивость состояния CD271 high / MITF low in vivo неизвестна; однако терапевтические вмешательства, потенциально влияющие на равновесие инвазивности и пролиферации, могут выбрать наиболее благоприятное состояние (рисунок S6c) и, следовательно, способствовать определенным метастатическим путям, например, метастазам в мозг [87].

6. Сигнальные механизмы CD271 в центральной нервной системе

CD271 широко экспрессируется в различных типах клеток центральной нервной системы (ЦНС), например, нейронах и шванновских клетках, регулируя множество процессов, таких как выживание и апоптоз, миелинизация и аксональные клетки. регенерация в ответ на специфические лиганды, такие как нейротрофины (NGF, BDNF, NTF3 и NTF4). Кроме того, CD271 экспрессируется в нескольких клеточных компартментах, локализуется в ядре после индуцированного нейротрофином расщепления, в ядерной поре и демонстрирует локализацию на мембране [76,88,89,90].В субвентрикулярной зоне, месте нейрогенеза взрослых, CD271 маркирует субнабор клеток-предшественников, которые поддерживаются в ответ на BDNF [91,92]. Соответственно, экспрессия CD271 подавляется при нейрональной дифференцировке клеток-предшественников в модельной системе грызунов [92]. Кроме того, астроциты усиливают экспрессию CD271 в ответ на повреждение и нейровоспаление, которое, в свою очередь, запускается в ответ на повреждение, судороги, токсические метаболиты и опухолевые клетки, как описано Meeker et al.[93]. Активация астроцитов, известная как астроглиоз, в значительной степени определяет поддержание опухолевых клеток в головном мозге, поскольку реактивные астроциты выделяют хемокины, цитокины и факторы роста, поддерживающие рост и миграцию опухолевых клеток, всесторонний обзор Sofroniew et al. [94]. Точная роль CD271 в астроглиозе не совсем понятна, хотя он может влиять на пролиферацию астроцитов [75]. CD271 лишен киназного домена и регулирует процессы передачи сигналов в сочетании с корецепторами и / или рекрутирование медиаторов передачи сигналов, которые связываются с доменом гибели гомодимеров CD271 (рис. 4), как описано в обзоре Meeker et al.[93]. Передача сигналов через гомодимеры CD271 (p75 NTR ) опосредует активацию передачи сигналов NFĸB, управляя экспрессией генов, способствующих выживанию, посредством рекрутирования взаимодействующей с рецептором серин / треонин-протеинкиназы 2 (RIP2). В отсутствие последнего, который конкурирует с TRAF6 за связывание с CD271, нейротрофины запускают активацию c-jun-n-терминальной киназы (JNK), чтобы управлять апоптозом в нейронах [95] (Рисунок 4, первая панель). Кроме того, ассоциация CD271 с тропомиозин-родственными киназами (TRK) приводит к образованию высокоаффинных сайтов связывания нейротрофина и опосредует выживаемость клеток зависимым от митоген-активируемой киназой (MAPK) образом через адаптерные белки SHC, GRB2 и SOS (Рисунок 4, вторая панель).Помимо передачи сигналов MAPK, гетеродимеры CD271 / TRK передают сигнал через PI3K и PLCγ [14]. Сортилин (SORT1) принадлежит к семейству вакуолярных белков, сортирующих 10 (Vps10), и в основном обнаруживается в поздних эндосомах, происходящих из сети транс-Гольджи, контролируя антероградный перенос рецепторов нейротрофина и секрецию про-BDNF [96]. Связывание предшественников нейротрофина, таких как про-NGF или про-BDNF, с комплексом CD271 / SORT1 запускает апоптоз через адаптерные белки TRAF6, NRAGE и NRIF в нейронах [97] (рис. 4, третья панель), рассмотрено в ссылках [16,98] .Более того, CD271 образует комплекс с рецептором Nogo (RTN4R), MAG и LINGO1 (не показан), вызывая высвобождение RhoA из ингибитора диссоциации Rho GDP (RhoGDI) и впоследствии активируя путь передачи сигналов RhoA / ROCK. Последний, в свою очередь, регулирует динамику актинового цитоскелета (обзор Fujita et al. [99]), определяя форму и подвижность клеток посредством фосфорилирования и активации Ser / Thr киназы LIM. Активированный LIM, в свою очередь, фосфорилирует и инактивирует фактор деполимеризации актина cofilin и опосредует ингибирование роста нейритов, обзор в [93,99].Кроме того, LIM активирует белки ERM радиксин (RDX), эзрин (EZR) и моэзин (MSN) (рис.4, четвертая панель), которые являются важными регуляторами образования микроворсинок, клеточной адгезии и взъерошенности мембран (обзор Tsukita et al. . [100]) и потенциальные движущие силы прогрессирования рака (обзор Clucas et al. [101]). Однако механизмы передачи сигналов CD271 демонстрируют высокую зависимость от контекста, следовательно, способствуют клеточным свойствам в отношении обилия корецепторов, лигандов и задействованных адаптерных белков, которые опосредуют передачу сигналов.Все же идентифицированные сигнальные механизмы в ЦНС более подробно обсуждаются Roux и Barker [102].

7. Передача сигналов CD271 при меланоме и других типах рака

Во время развития центральной нервной системы (ЦНС) NC дает начало нескольким дифференцированным потомкам, помимо меланоцитов, таких как клетки глии, которые, в свою очередь, дают начало астроцитам. Несколько линий доказательств предполагают, что определенные раковые образования переняли молекулярные особенности, используемые клетками NC (обзор Maguire et al.[103]; Таблица S1 в дополнительных материалах). Первое доказательство того, что CD271 последовательно определяет поведение клеток меланомы, было предоставлено Shonukan et al. которые продемонстрировали специфическое взаимодействие CD271 с актиновым цитоскелетом через связывающий актин белок фасцин (FSCN1). Это взаимодействие облегчает миграцию клеток меланомы зависимым от NGF и про-NGF образом [104]. Более того, Marchetti et al. наблюдали активацию экспрессии гепараназы (HPSE1) в меланоме, запускаемую NGF и CD271 в зависимости от дозы и даже в отсутствие TRKA [6,105,106].HPSE1 способствует инвазии клеток меланомы и, в свою очередь, индуцирует передачу сигналов PI3K / AKT и, вероятно, способствует миграции опухолевых клеток, модулируемой PLEKHA5, который специфически взаимодействует с фосфоинозитидами [107]. Кроме того, Restivo et al. предположили, что связывание NGF с комплексом CD271 и TRKA запускало отслоение клеток и расщепление CD271, приводя к CD271-ICD, который, в свою очередь, индуцировал переключение «от роста» к «движению» [53]. Более того, расщепление CD271 с помощью ADAM10 или ADAM17 контролирует образование фрагмента внутриклеточного домена (ICD) или карбоксиконцевого фрагмента (CTF), соответственно.Оба фрагмента опосредуют устойчивость к апоптозу, опосредованному TRAIL (CTF) или запускаемому аноикисом (ICD) при раке груди и / или HNSCC [108,109] (фигура 5b, таблица S1). Злокачественная трансформация глиальных клеток вызывает развитие астроцитомы, в том числе глиобластомы, основных форм первичных опухолей головного мозга во взрослом возрасте. Хотя в астроцитах отсутствует экспрессия CD271, некоторые процессы в ЦНС, такие как астроглиоз, повышают уровень CD271 в астроцитах. Как и в случае меланомы, вклад CD271 в злокачественную трансформацию астроцитов полностью неизвестен.Подмножества глиобластомы и астроцитомы (Рисунок 5a, не показан), а также первичных опухолей и BM меланомы (Рисунок 5a, левые панели и Рисунок 1d) и плоскоклеточного рака легкого (LSCC) (Рисунок 5a, правые панели и Рисунок S7a, б) характеризуются высокой экспрессией CD271 [110, 111], согласно обзору Wrensch et al. [112]. Соответственно, высокие уровни миграции CD271 и инвазии клеток глиобластомы опосредованы PDZ и LIM-доменом белка PDLIM1 [111,113] (Рисунок 5b, Таблица S1). Фосфорилирование CD271 по S303 / S304 протеинкиназой а (PKA), в свою очередь, способствует инвазивности глиобластомы и транслокации CD271 в липидные рафты в нейронах и, возможно, в глиобластоме [113,114].Кроме того, экспрессия CD271 была связана с повышенной миграцией / инвазией и метастазированием рака головы и шеи, рака гортани и плоскоклеточного рака полости рта [115, 116, 117] и была связана с плохим прогнозом LSCC [118] и уротелиальной карциномы (TCGA, атлас человеческого белка, рисунок S7b). Поразительно, но образование опухоли прижившихся клеток рака гортани и меланомы блокировалось гуманизированными антителами к CD271 [119]. Напротив, высокая экспрессия CD271 в медуллобластоме, плоскоклеточном раке пищевода, раке желудка (Таблица S1) и раке простаты [120] была связана с благоприятным состоянием опухоли.

Таким образом, CD271 определяет свойства опухолевых клеток нескольких раковых образований, часто связанные с плохим исходом. Необходимы дополнительные исследования, чтобы раскрыть молекулярные механизмы, общие и отличные для конкретных видов рака.

Расшифровка сигнальных путей, участвующих в нейропротекции, индуцированной пролактином: обзор

Нейродегенеративные заболевания, включая боковой амиотрофический склероз, болезнь Альцгеймера (БА), болезнь Паркинсона (БП) и болезнь Хантингтона, имеют гетерогенную этиологию (Lewerenz and Maher, 2015, стр. Raymond, 2003), характеризующимся неумолимой дегенерацией определенных нервных кластеров в результате повреждения нейронов, опосредованного эксайтотоксичностью (Dong et al., 2009). Эксайтотоксичность - это патологический процесс, характеризующийся чрезмерной стимуляцией ионотропных (iGluRs) и метаботропных (mGluRs) рецепторов глутамата. Этот процесс вызывает дисбаланс внутриклеточного кальция и, как следствие, потерю митохондриальной активности, что приводит к прогрессирующей потере нейронов в результате апоптоза или некроза (Hynd et al., 2004, Lewerenz and Maher, 2015, Mehta et al., 2012, Rossi et al., 2020). Одной из наиболее пораженных этими патологиями областей является гиппокамп из-за высокой плотности N-метил-D-аспартата (NMDA) (Monaghan and Cotman, 1985, Palomero-Gallagher et al., 2003, Pandis et al., 2006) и рецепторы глутамата α-амино-3-гидрокси-5-метил-4-изоксазолепропионовой кислоты (AMPA) (Baude et al., 1995, Wenk and Barnes, 2000). В результате эта область мозга обладает избирательной чувствительностью к эксайтотоксическим стимулам (Butler et al., 2010, Möckel and Fischer, 1994).

Было описано множество нейропротективных агентов, которые помогают снизить эксайтотоксичность, начиная от природных органических соединений с антиоксидантной активностью, таких как куркумин (Pluta et al., 2018, Srivastava and Srivastava, 2019) и Aquilariae lignum (Lee et al., 2018), витаминам (витамин E) (Ambrogini et al., 2019) и аминокислотам, то есть синтетическому пептиду из 12 аминокислот (TUF1) (Tran, 2019), а также стероидным и полипептидным гормонам. В частности, широко изучаются нейропротекторные свойства стероидных гормонов.

Например, 17β-эстрадиол (E2) обладает разнообразными нейрозащитными эффектами против эксайтотоксичности, включая индуцирование генов выживания и уменьшение повреждения нейронов и апоптоза при ишемии головного мозга и черепно-мозговой травме, среди прочего (Day et al., 2017, Nilsen et al., 2006, Raval et al., 2013, Thakkar et al., 2018, Zhao et al., 2004). Нейрозащитные эффекты E2 были связаны с активацией сигнального пути фосфатидилинозитол-3-киназы (PI3K) / протеинкиназы B (AKT) (Mo et al., 2013, Simoncini et al., 2000). Кроме того, индуцированная эстрогеном активация пути Raf / митоген-активируемой протеинкиназы (MAPK) / регулируемой внеклеточным сигналом киназы (ERK1 / 2) против повреждения при инсульте была описана в моделях in vitro и in vivo .(Сингер и др., 1999; Сохрабджи, 2015).

В дополнение к E2 прогестерон (P4) также оказывает нейропротекторное действие при различных неврологических заболеваниях (подробные аспекты нейропротекторного действия P4 см. В обзорах Brotfain et al., 2016, Rossetti et al., 2016, Singh and Chang, 2013) . В частности, обработка P4 защищает от индуцированной глутаматом токсичности в эксплантатах коры головного мозга мышей-щенков посредством активации сигнальных путей MAPK и PI3K / AKT (Kaur et al., 2007).

Сообщалось, что E2 функционально взаимодействует с другими гормонами, такими как инсулиноподобный фактор роста 1 (IGF-1), вызывая нейрозащитное действие.В частности, взаимодействие между IGF-1 и E2 индуцирует нейрозащиту против повреждения каиновой кислоты (KA) в гиппокампе (подробные сведения о влиянии на E2 и IGF-1 см. В обширном обзоре Garcia-Segura et al., 2006, Sohrabji, 2015). . Нейропротекторный эффект IGF-1 и E2 был связан с активацией сигнального пути PI3K / AKT в компактной части черной субстанции в модели болезни Паркинсона у самок крыс (Quesada et al., 2008).

Также хорошо известно, что E2 является одним из основных стимуляторов секреции пролактина (ПРЛ) в гипофизе (Grattan, 2015, Mauer, 1982).E2 также регулирует экспрессию рецептора пролактина (PRLR) в дофаминергических нейронах перивентрикулярного (PeVN ) и дугообразного ядра (ARC) у овариэктомированных (OVX) самок крыс (Lerant and Freeman, 1998). Кроме того, сообщалось о повышении экспрессии мРНК PRLR под действием E2 в коре головного мозга, мозговом мосту, сосудистом сплетении и гипоталамических областях самок крыс OVX (Pi and Voogt, 2002). Следовательно, E2 может вносить вклад в нейропротекторные эффекты PRL, регулируя его синтез и его сетевые взаимодействия, поскольку многие нейроны, экспрессирующие PRLR, также экспрессируют рецептор эстрогена-альфа (ERα) в головном мозге самок мышей (Furigo et al., 2014).

Примечательно, что соматотропные гормоны, группа полипептидных гормонов, привлекли внимание нейробиологов, поскольку оба гормона роста (GH) (подробнее см. Martinez-Moreno et al., 2018, Nylander et al., 2016, Scheepens et al. , 2001) и ПРЛ оказались нейропротективными. В частности, в центре внимания находится ПРЛ из-за его значительного действия в нейропротекции против эксайтотоксического повреждения, как in vitro, , так и in vivo (Rivero-Segura et al., 2017, Vanoye-Carlo et al., 2008, Vergara-Castañeda et al., 2016). Кроме того, описание транскриптомных эффектов лечения ПРЛ в гиппокампе самок крыс выявило новые взаимодействия генной сети, вызванные этим гормоном (Cabrera-Reyes et al., 2019), в связи с тем, что ПРЛ и его рецептор имеют разные изоформы. Следовательно, возможные эффекты и сигнальные механизмы в мозге очень сложны и полностью не изучены, особенно те, которые вызывают нейрозащиту.В этом обзоре обобщены наиболее выдающиеся исследования, связанные с сигнальными путями, индуцированными ПРЛ, и их влиянием на нейрозащитные механизмы против эксайтотоксического повреждения. Наконец, мы обсуждаем будущие направления исследований, которые могут способствовать выяснению молекулярного действия ПРЛ, которое вызывает такие эффекты в гиппокампе.

Йозеф Парвизи, MD, PhD | Стэнфордское здравоохранение

Комментарии пациентов

4.9 из 5

39 Рейтинги пациентов
45 Комментарии пациентов

комментариев пациентов собраны из нашего опроса удовлетворенности пациентов и отображаются полностью.Пациенты не идентифицируются для обеспечения конфиденциальности и конфиденциальности.

Пациент SHC, апрель 2020 г.

Я бы поставил 10, если бы это был вариант. Мы летаем из Солт-Лейк-Сити специально потому, что доктор П. такой потрясающий!

Пациент SHC, апрель 2020 г.

Очень заботливый.

Пациент SHC, декабрь 2019 г.

Доктор Парвизи - выдающийся врач.

Пациент SHC, июль 2019 г.

После МРТ я обратился к доктору Парвизи. Он был очень внимателен ко мне и понимал, о чем я говорю. Он заставил меня почувствовать себя лучше после визита.

Пациент SHC, июн 2019 г.

Доктор.Парвизи - посланник богов.

Пациент SHC, май 2019 г.

У меня был замечательный опыт, знающий доктор медицины - отличный совет. Выражено реальное беспокойство -! Чувствовал себя членом семьи.

Пациент SHC, май 2019 г.

Я чувствовал, что доктор Парвизи действительно знает свое дело, не торопится, чтобы объяснять вещи, и тщательно.

Пациент SHC, май 2019 г.

Парвизи всегда была верна и увлечена, выслушивая, отвечая на вопросы, задавая вопросы и давая уверенность в том, что моя жизнь ценится. Независимо от количества затраченного времени, мы с семьей всегда видим, что привод 3 1/2 стоит своего времени и денег.

Пациент SHC, январь 2019 г.

Доктор.Парвизи хорошо осведомлена, внимательна и профессиональна во всех аспектах.

Пациент SHC, июль 2018 г.

Отлично.

Пациент SHC, июнь 2018 г.

Если я когда-нибудь расскажу другим об эпилепсии и о том, как я себя чувствую после операции. Я бы порекомендовал им увидеться с доктором Парвизи.

Пациент SHC, январь 2018 г.

Как всегда Dr.Парвизи находит время, чтобы проверить меня; предоставьте мне информацию, ответьте на ВСЕ вопросы и оцените мое мнение при внесении предложений. Согласен со всем сказанным и умиротворен при дальнейшем лечении / посещениях.

Пациент SHC, октябрь 2017 г.

Доктор Парвизи лучший.

Пациент SHC, сентябрь 2017 г.

Любимый доктор.Парвизи и остался бы с ним, если бы жил здесь, в Калифорнии. Проявил искреннюю заботу о нашем сыне.

Пациент SHC, июнь 2017 г.

Он великий врач, который прислушивается к мнению пациентов. Он заботливый и очень услужливый.

Пациент SHC, июнь 2017 г.

Доктор Парвизи - исключительный врач, умный, заботливый и очень внимательный к проблемам / потребностям своего пациента.Я очень благодарен ему за его опыт и заботу.

Пациент SHC, май 2017 г.

Все нравится.

Пациент SHC, декабрь 2016 г.

Без комментариев все хорошо.

Пациент SHC, декабрь 2016 г.

Доктор.Парвизи - отличный врач. Он очень хорошо слушает и действительно заботится о своих пациентах. Он также очень хорошо осведомлен.

Пациент SHC, ноябрь 2016 г.

Как всегда, доктор Парвизи был фантастическим! Выказал озабоченность, выслушал проблемы с планированием приложения, ОБСУЖДЕНИЕ вариантов изменения рецептов и будущих приложений. - Потрясающие!

Пациент SHC, сентябрь 2016 г.

Доктор.Парвизи - отличный и заботливый врач. Мы благодарны за его помощь последние 8 лет.

Пациент SHC, апрель 2016 г.

Я был ОЧЕНЬ доволен доктором Парвизи и тем, как он рассказывал мне, как я себя чувствую во время моих последующих посещений.

Пациент SHC, март 2016 г.

Отличное внимание и забота.

Пациент SHC, декабрь 2015 г.

Очень полезно.

Пациент SHC, октябрь 2015 г.

Очень интересно в то время, но я не могу вспомнить многие детали.

Пациент SHC, август 2015 г.

С момента моего контакта это было (очень особенное).Стэнфорд всегда рекомендуется.

Пациент SHC, август 2015 г.

Парвизи был отличным врачом с того дня, как я впервые встретил его. Отличный слушатель, объясняет так, как я могу понять, и, если необходимо, разбивает информацию дальше, не заставляя меня чувствовать себя невежественным.

Пациент SHC, июль 2015 г.

Я бы многим рекомендовал и рекомендовал своего врача.

Пациент SHC, июнь 2015 г.

Доктор Парвизи отлично работал со мной на протяжении всего этого процесса.

Пациент SHC, апрель 2015 г.

Я бы посоветовал этот посох всем. Это было УДИВИТЕЛЬНО !!!

Пациент SHC, апрель 2015 г.

Мой доктор звездный.Я полностью ему доверяю и очень рекомендую.

Пациент SHC, январь 2015 г.

Доктор Парвизи очень хорошо осведомлен ... и занимается изъятием лекарств. Я полагаюсь на его опыт в улучшении качества моей жизни.

Пациент SHC, январь 2015 г.

Доктор Парвизи - лучший врач.Я путешествую из Рино, и это о многом говорит!

Пациент SHC, январь 2015 г.

Доктор Парвизи уважал мое решение не проводить операцию, и теперь, когда я иду по этому пути, прекрасно ответил на мои вопросы.

Пациент SHC, ноябрь 2014 г.

Если бы я мог поставить доктора Парвизи и его команду выше, я бы поставил! Фантастический опыт.

Пациент SHC, октябрь 2014 г.

Доктор Парвизи - очень заботливый врач. С проблемами, связанными с мозгом, всегда нелегко справиться, но он был очень любезен и нашел время, чтобы объяснить.

Пациент SHC, октябрь 2014 г.

Лучше и быть не могло! Доктор Павеси вселил уверенность и доверие с первого визита.Очень тщательно.

Пациент SHC, сентябрь 2014 г.

Доктор Парвизи ответил на мой вопрос, вынув свой iPhone и просмотрев изображения, полученные мной на карте. Он поделился ими со мной и пришел к выводу о том, что я испытал. Было здорово -

Пациент SHC, август 2014 г.

Мне очень нравится этот доктор, особенно его ум и чувство юмора.(И он внимательно прислушивается к моим опасениям.)

Пациент SHC, май 2014 г.

Доктор Парваси великолепен.

Пациент SHC, май 2014 г.

Отлично.

Пациент SHC, апрель 2014 г.

Хорошо.

Пациент SHC, февраль 2014 г.

Был очень впечатлен доктором, он объяснил вещи так, как я понял.

Пациент SHC, февраль 2014 г.

Пока не жалуюсь, так хорошо.

Пациент SHC, январь 2014 г.

Когда я пытался озвучить беспокойство своему врачу (два раза), он даже не дал мне закончить предложение; не слушал.

Углеродные нанотрубки и графен в сторону мягкой электроники | Nano Convergence

  • 1.

    Leamy HJ, Wernick JH: Полупроводниковый кремний: необычное стало обычным. МИССИС Булл. 1997, 22: 47–55.

    Google Scholar

  • 2.

    Huff HR: Ретроспектива подразделения электроники 1952–2002 гг. И будущие возможности в двадцать первом веке. J. Electrochem. Soc. 2002, 149: S35-S58.

    Google Scholar

  • 3.

    Morgan TP: Intel Xeon Phi Battles GPU, защищает x86 в суперкомпьютерах . 2012.

    Google Scholar

  • 4.

    Rogers JA, Someya T, Huang Y: Материалы и механика для растягиваемой электроники. Наука 2010, 327: 1603–1607.

    Google Scholar

  • 5.

    Someya T, Kato Y, Sekitani T, Iba S, Noguchi Y, Murase Y, Kawaguchi H, Sakurai T: Конформные гибкие сети датчиков давления и температуры большой площади с активными матрицами на органических транзисторах. Proc. Natl. Акад. Sci. США. 2005, 102: 12321–12325.

    Google Scholar

  • 6.

    Ким Д. Х., Роджерс Дж. А: Растягиваемая электроника: стратегии материалов и устройства. Расшир. Матер. 2008, 20: 4887–4892.

    Google Scholar

  • 7.

    Shah A, Meier J, Buechel A, Kroll U, Steinhauser J, Meillaud F, Schade H, Dominé D: На пути к очень дешевому массовому производству тонкопленочных кремниевых фотоэлектрических (PV) солнечных модулей на стекло. Тонкие твердые пленки 2006, 502: 292–299.

    Google Scholar

  • 8.

    Jacunski MD, Shur MS, Hack M: Пороговое напряжение, подвижность полевого эффекта и межканальная емкость в поликремниевых тонкопленочных транзисторах. IEEE Trans. Электрон. Устройств. 1996, 43: 1433–1440.

    Google Scholar

  • 9.

    Oh DH, Lee YH: Стабильность и механизм образования крышки однослойных углеродных нанотрубок. Phys. Ред. B 1998, 58: 7407–7411.

    Google Scholar

  • 10.

    Artukovic E, Kaempgen M, Hecht DS, Roth S, GrUner G: Прозрачные и гибкие транзисторы на углеродных нанотрубках. Nano Lett. 2005, 5: 757–760.

    Google Scholar

  • 11.

    Hu L, Yuan W, Brochu P, Gruner G, Pei Q: Сильно растягиваемые, проводящие и прозрачные тонкие пленки из нанотрубок. Прил. Phys. Lett. 2009, 94: 161108.

    Google Scholar

  • 12.

    Лю Кью, Лю З., Чжан Х, Ян Л., Чжан Н., Пан Г, Инь С., Чен Й, Вэй Дж .: Полимерные фотоэлектрические элементы на основе обрабатываемого в растворе графена и P3HT. Расшир. Funct. Матер. 2009, 19: 894–904.

    Google Scholar

  • 13.

    Дюркоп Т., Гетти С.А., Кобас Э., Фюрер МС: Чрезвычайная подвижность в полупроводниковых углеродных нанотрубках. Nano Lett. 2004, 4: 35–39.

    Google Scholar

  • 14.

    Майоров А.С., Горбачев Р.В., Морозов С.В., Бритнелл Л., Джалил Р., Пономаренко Л.А., Блейк П., Новоселов К.С., Ватанабе К., Танигучи Т., Гейм А.К .: Баллистический транспорт микрометрового масштаба в инкапсулированном графене при комнатной температуре. Нано-буквы. 2011, 11: 2396–2399.

    Google Scholar

  • 15.

    Болотин К.И., Сайкс К.Дж., Цзян З., Клима М., Фуденберг Г., Хон Дж., Ким П., Штормер Х.Л .: Сверхвысокая подвижность электронов в подвешенном графене. Solid State Commun. 2008, 146: 351–355.

    Google Scholar

  • 16.

    Javey A, Qi P, Wang Q, Dai H: Квазибаллистические устройства на углеродных нанотрубках длиной от 10 до 50 нм, полученные без сложной литографии. Proc. Natl. Акад. Sci. США 2004, 101: 13408–13410.

    Google Scholar

  • 17.

    Ю-Дж, Лю Г., Сумант А.В., Гоял В., Баландин А.А.: Графен-на-алмазе устройства с повышенной токонесущей способностью: углеродная технология sp2-on-sp3. Нано-буквы. 2012, 12: 1603–1608.

    Google Scholar

  • 18.

    Pop E, Mann D, Wang Q, Goodson KE, Dai HJ: Теплопроводность отдельной одностенной углеродной нанотрубки выше комнатной температуры. Nano Lett. 2006, 6: 96–100.

    Google Scholar

  • 19.

    Баландин А.А., Гош С., Бао В., Калисо И., Тевелдебрахан Д., Миао Ф., Лау CN: Превосходная теплопроводность однослойного графена. Nano Lett. 2008, 8: 902–907.

    Google Scholar

  • 20.

    Наир Р.Р., Блейк П., Григоренко А.Н., Новоселов К.С., Бут Т.Дж., Стаубер Т., Перес ЯМР, Гейм А.К .: Константа тонкой структуры определяет визуальную прозрачность графена. Наука 2008, 320: 1308–1308.

    Google Scholar

  • 21.

    Lee C, Wei X, Kysar JW, Hone J: Измерение упругих свойств и внутренней прочности однослойного графена. Наука 2008, 321: 385–388.

    Google Scholar

  • 22.

    Park JU, Meitl MA, Hur SH, Usrey ML, Strano MS, Kenis PJ, Rogers JA: Осаждение на месте и формирование рисунка однослойных углеродных нанотрубок с помощью ламинарного потока и контролируемой флокуляции в микрофлюидных каналах. Angew. Chem. 2006, 45: 581–585.

    Google Scholar

  • 23.

    Meitl MA, Zhou YX, Gaur A, Jeon S, Usrey ML, Strano MS, Rogers JA: Литье и трансферная печать однослойных пленок из углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2004, 4: 1643–1647.

    Google Scholar

  • 24.

    Moon JM, An KH, Lee YH, Park YS, Bae DJ, Park GS: Высокопроизводительный процесс очистки однослойных углеродных нанотрубок. J. Phys. Chem. B 2001, 105: 5677–5681.

    Google Scholar

  • 25.

    Вайтай Р., Вей Б.К., Аджаян П.М.: Контролируемый рост углеродных нанотрубок. Philos. Пер. R. Soc. A-Math. Phys. Англ. Sci. 2004, 362: 2143–2160.

    Google Scholar

  • 26.

    Китиянан Б., Альварес В.Е., Харвелл Дж. Х., Ресаско DE: Контролируемое производство одностенных углеродных нанотрубок каталитическим разложением СО на биметаллических Со-Мо катализаторах. Chem. Phys. Lett. 2000, 317: 497–503.

    Google Scholar

  • 27.

    Thess A, Lee R, Nikolaev P, Dai HJ, Petit P, Robert J, Xu CH, Lee YH, Kim SG, Rinzler AG, Colbert DT, Scuseria GE, Tomanek D, Fischer JE, Smalley RE : Кристаллические нити из металлических углеродных нанотрубок. Science 1996, 273: 483–487.

    Google Scholar

  • 28.

    Брониковски М.Дж., Уиллис П.А., Колберт Д.Т., Смит К.А., Смолли RE: Газофазное производство углеродных однослойных нанотрубок из монооксида углерода с помощью процесса HiPco: параметрическое исследование. J. Vac. Sci. Technol. A: Vac, Surf. Фильмы. 2001, 19: 1800.

    Google Scholar

  • 29.

    Цзинь З., Чу Х., Ван Дж., Хонг Дж., Тан В., Ли Y: Сверхнизкий поток подаваемого газа направляет рост крупномасштабных горизонтально выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2007, 7: 2073–2079.

    Google Scholar

  • 30.

    Чжоу В., Хань З., Ван Дж., Чжан И, Джин З, Сан Х, Чжан И, Янь С., Ли И: Медь, катализирующая рост однослойных углеродных нанотрубок на подложках. Nano Lett. 2006, 6: 2987–2990.

    Google Scholar

  • 31.

    Хонг Б.Х., Ли Дж.Й., Битц Т., Чжу Ю.М., Ким П., Ким К.С.: Квазинепрерывный рост массивов сверхдлинных углеродных нанотрубок. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127: 15336–15337.

    Google Scholar

  • 32.

    Kang SJ, Kocabas C, Ozel T, Shim M, Pimparkar N, Alam MA, Rotkin SV, Rogers JA: Высокопроизводительная электроника, использующая плотные, идеально выровненные массивы однослойных углеродных нанотрубок. Природные нанотехнологии. 2007, 2: 230–236.

    Google Scholar

  • 33.

    Ли Ай-Х, Им Дж-У, Ким Ю-Дж, Бэ Е-Дж, Ким К-К, Ли Е-Х, Ли Й-Х, Хонг С.-Х, Мин Й-С: Низкотемпературный рост леса из одностенных углеродных нанотрубок. Бык. Кор. Chem. Soc. 2010, 31: 2819–2822.

    Google Scholar

  • 34.

    Хата К., Футаба Д. Н., Мизуно К., Намай Т., Юмура М., Иидзима S: Высокоэффективный синтез без примесей однослойных углеродных нанотрубок с использованием воды. Science 2004, 306: 1362–1364.

    Google Scholar

  • 35.

    Ren ZF: Синтез больших массивов хорошо ориентированных углеродных нанотрубок на стекле. Science 1998, 282: 1105–1107.

    Google Scholar

  • 36.

    Kim UJ, Lee IH, Bae JJ, Lee S, Han GH, Chae SJ, Guenes F, Choi JH, Baik CW, Kim SI, Kim JM, Lee YH: На основе гибрида графена и углеродных нанотрубок прозрачная двумерная оптическая матрица. Расшир. Матер. 2011, 23: 3809− +.

    Google Scholar

  • 37.

    Ван Д., Сонг П., Лю С., Ву В., Фан S: Бумага с высокоориентированными углеродными нанотрубками, изготовленная из ориентированных углеродных нанотрубок. Нанотехнологии 2008, 19: 075609.

    Google Scholar

  • 38.

    Lim SC, Lee K, Lee IH, Lee YH: Полевая эмиссия и применение углеродных нанотрубок. Nano 2007, 2: 69–89.

    Google Scholar

  • 39.

    Lim SC, Choi HK, Jeong HJ, Song YI, Kim GY, Jung KT, Lee YH: Стратегия создания прочной адгезии с подложкой в ​​матрице полевой эмиссии углеродных нанотрубок. Углерод 2006, 44: 2809–2815.

    Google Scholar

  • 40.

    Hu L, Hecht DS, Gruner G: Перколяция в прозрачных и проводящих сетях углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2004, 4: 2513–2517.

    Google Scholar

  • 41.

    Мойсала А., Насибулин А.Г., Кауппинен Э.И.: Роль металлических наночастиц в каталитическом производстве однослойных углеродных нанотрубок - обзор. J. Phys-Condense Matter. 2003, 15: S3011-S3035.

    Google Scholar

  • 42.

    Tenent RC, Barnes TM, Bergeson JD, Ferguson AJ, To B, Gedvilas LM, Heben MJ, Blackburn JL: Сверхгладкая, большая площадь, высокая однородность, проводящая прозрачная одностенная углеродная нанотрубка пленки для фотовольтаики, производимые ультразвуковым напылением. Расшир. Матер. 2009, 21: 3210–3216.

    Google Scholar

  • 43.

    Geng H-Z, Kim KK, So KP, Lee YS, Chang Y, Lee YH: Влияние кислотной обработки на гибкие прозрачные проводящие пленки на основе углеродных нанотрубок. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129: 7758- +.

    Google Scholar

  • 44.

    Wu Z, Chen Z, Du X, Logan JM, Sippel J, Nikolou M, Kamaras K, Reynolds JR, Tanner DB, Hebard AF, Rinzler AG: Прозрачные проводящие пленки углеродных нанотрубок. Наука 2004, 305: 1273–1276.

    Google Scholar

  • 45.

    Jong Yu W, Yol Jeong S, Kang Kim K, Ram Kang B, Jae Bae D, Lee M, Hong S, Prabhu Gaunkar S, Pribat D, Perello D, Yun M, Choi JY, Hee Lee Y: Инженерное легирование с использованием ионных адсорбатов на однослойных тонкопленочных транзисторах из углеродных нанотрубок. New J. Phys. 2008, 10: 113013.

    Google Scholar

  • 46.

    Кордас К., Мустонен Т., Тот Дж., Джантунен Х., Ладжунен М., Солдано С., Талапатра С., Кар С., Вайтай Р., Аджаян П. М.: Струйная печать электропроводящих рисунков углеродных нанотрубок. Малый 2006, 2: 1021–1025.

    Google Scholar

  • 47.

    Бисвас C, Ли YH: Графен против углеродных нанотрубок в электронных устройствах. Расшир. Funct. Матер. 2011, 21: 3806–3826.

    Google Scholar

  • 48.

    Zhou YX, Gaur A, Hur SH, Kocabas C, Meitl MA, Shim M, Rogers JA: p-канальные, n-канальные тонкопленочные транзисторы и p-n диоды на основе сетей из одностенных углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2004, 4: 2031–2035.

    Google Scholar

  • 49.

    Glerup M, Steinmetz J, Samaille D, Stéphan O, Enouz S, Loiseau A, Roth S, Bernier P: Синтез легированных азотом SWNT с использованием процедуры дугового разряда. Chem. Phys. Lett. 2004, 387: 193–197.

    Google Scholar

  • 50.

    Zhang G, Mann D, Zhang L, Javey A, Li Y, Yenilmez E, Wang Q, McVittie JP, Nishi Y, Gibbons J, Dai H: Сверхвысокопродуктивный рост вертикальных одиночных растений. углеродные нанотрубки со стенками: скрытые роли водорода и кислорода. Proc. Natl. Акад. Sci. США. 2005, 102: 16141–16145.

    Google Scholar

  • 51.

    Zhang M, Atkinson KR, Baughman RH: Многофункциональная пряжа из углеродных нанотрубок путем уменьшения размера по старинной технологии. Наука 2004, 306: 1358–1361.

    Google Scholar

  • 52.

    Liu K, Sun Y, Zhou R, Zhu H, Wang J, Liu L, Fan S, Jiang K: Нити из углеродных нанотрубок с высокой прочностью на разрыв, полученные методом скручивания и усадки. Нанотехнологии 2010, 21: 045708.

    Google Scholar

  • 53.

    Zhang X, Jiang K, Feng C, Liu P, Zhang L, Kong J, Zhang T, Li Q, Fan S: Прядение и обработка непрерывной пряжи из супер-выровненных углеродных нанотрубок размером 4 дюйма массивы. Расшир. Матер. 2006, 18: 1505–1510.

    Google Scholar

  • 54.

    Jiang K, Wang J, Li Q, Liu L, Liu C, Fan S: Массивы, пленки и нити сверхцентрированных углеродных нанотрубок: путь к приложениям. Расшир. Матер. 2011, 23: 1154–1161.

    Google Scholar

  • 55.

    Новоселов К.С., Гейм А.К., Морозов С.В., Цзян Д., Чжан Ю., Дубонос С.В., Григорьева И.В., Фирсов А.А.: Эффект электрического поля в атомарно тонких углеродных пленках. Science 2004, 306: 666–669.

    Google Scholar

  • 56.

    Новоселов К.С., Гейм А.К., Морозов С.В., Цзян Д., Кацнельсон М.И., Григорьева И.В., Дубонос С.В., Фирсов А.А.: Двумерный газ безмассовых фермионов Дирака в графене. Природа 2005, 438: 197–200.

    Google Scholar

  • 57.

    Chae SJ, Güneş F, Kim KK, Kim ES, Han GH, Kim SM, Shin HJ, Yoon SM, Choi JY, Park MH, Yang CW, Pribat D, Lee YH: Синтез больших- Площадь слоев графена на поли-никелевой подложке путем химического осаждения из паровой фазы: образование морщин. Расшир. Матер. 2009, 21: 2328–2333.

    Google Scholar

  • 58.

    Reina A, Jia X, Ho J, Nezich D, Son H, Bulovic V, Dresselhaus MS, Kong J: Многослойные графеновые пленки большой площади на произвольных подложках путем химического осаждения из газовой фазы. Nano Lett. 2009, 9: 30–35.

    Google Scholar

  • 59.

    Han GH, Chae SJ, Kim ES, Guenes F, Lee IH, Lee SW, Lee SY, Lim SC, Jeong HK, Jeong MS, Lee YH: Лазерное утонение для образования монослоя графена: радиатор и эффект интерференции. Acs Nano. 2011, 5: 263–268.

    Google Scholar

  • 60.

    Хан GH, Gunes F, Bae JJ, Kim ES, Chae SJ, Shin HJ, Choi JY, Pribat D, Lee YH: Влияние морфологии меди на формирование зародышей зародышеобразования для роста графена. Нано-буквы. 2011, 11: 4144–4148.

    Google Scholar

  • 61.

    Duong DL, Han GH, Lee SM, Gunes F, Kim ES, Kim ST, Kim H, Ta QH, So KP, Yoon SJ, Chae SJ, Jo YW, Park MH, Chae SH, Lim SC , Choi JY, Lee YH: Зондирование границ зерен графена с помощью оптической микроскопии. Природа 2012, 490: 235–239.

    Google Scholar

  • 62.

    Ly TH, Duong DL, Ta QH, Yao F, Vu QA, Jeong HY, Chae SH, Lee YH: Неразрушающая характеристика дефектов графена. Расшир. Funct. Матер. 2013, 23: 5183–5189.

    Google Scholar

  • 63.

    Эрнандес И., Николози В., Лотия М., Блиге FM, Сан З., Де С, Макговерн ИТ, Голландия Б., Бирн М., Гун'Ко Ю.К., Боланд Дж. Дж., Нирадж П., Дуэсберг Дж., Кришнамурти С., Goodhue R, Hutchison J, Scardaci V, Ferrari AC, Coleman JN: Производство графена с высоким выходом путем жидкофазного расслоения графита. Природные нанотехнологии. 2008, 3: 563–568.

    Google Scholar

  • 64.

    Ван Х, Чжи Л., Мюллен К: Прозрачные проводящие графеновые электроды для сенсибилизированных красителями солнечных элементов. Nano Lett. 2008, 8: 323–327.

    Google Scholar

  • 65.

    Маттеви С., Эда Г., Агноли С., Миллер С., Мхоян К.А., Челик О., Мастрогиованни Д., Граноцци Г., Гарфункель Е., Чховалла М.: Эволюция электрических, химических и структурных свойств прозрачных и проводящих материалов. тонкие пленки графена химического происхождения. Расшир. Funct. Матер. 2009, 19: 2577–2583.

    Google Scholar

  • 66.

    Eda G, Fanchini G, Chhowalla M: Ультратонкие пленки большой площади из восстановленного оксида графена как прозрачный и гибкий электронный материал. Нат. Nanotechnol. 2008, 3: 270–274.

    Google Scholar

  • 67.

    Джин М., Чон Х. К., Ким Т-Х, Со КП, Цуй Й, Ю. В. Дж., Ра Э. Дж., Ли Й. Х .: Синтез и систематическая характеристика листов функционализированного графена, образованных термическим расслоением при низкой температуре. J. Phys. D. Прил. Phys. 2010, 43: 275402.

    Google Scholar

  • 68.

    Jeong H-K, Jin M, Ra EJ, Sheem KY, Han GH, Arepalli S, Lee YH: Увеличенная электрическая емкость двойного слоя оксида графита, интеркалированного поли (4-стиренсульфонатом натрия) с высокой циклической стабильностью. Acs Nano. 2010, 4: 1162–1166.

    Google Scholar

  • 69.

    Jeong H-K, Colakerol L, Jin MH, Glans P-A, Smith KE, Lee YH: Незанятые электронные состояния в оксидах графита. Chem. Phys. Lett. 2008, 460: 499–502.

    Google Scholar

  • 70.

    Jeong H-K, Lee YP, Jin MH, Kim ES, Bae JJ, Lee YH: Термическая стабильность оксида графита. Chem. Phys. Lett. 2009, 470: 255–258.

    Google Scholar

  • 71.

    Jeong H-K, Jin MH, An KH, Lee YH: Структурная стабильность и переменная диэлектрическая проницаемость в оксиде графита, интеркалированном поли-4-стиренсульфонатом натрия. J. Phys. Chem. C 2009, 113: 13060–13064.

    Google Scholar

  • 72.

    Shin HJ, Kim KK, Benayad A, Yoon SM, Park HK, Jung IS, Jin MH, Jeong HK, Kim JM, Choi JY, Lee YH: Эффективное восстановление оксида графита боргидридом натрия и его влияние на электрическую проводимость. Расшир. Funct. Матер. 2009, 19: 1987–1992.

    Google Scholar

  • 73.

    Jin M, Kim TH, Lim SC, Duong DL, Shin HJ, Jo YW, Jeong HK, Chang J, Xie S, Lee YH: Простой физический путь к высококристаллическому графену. Расшир. Funct. Матер. 2011, 21: 3496–3501.

    Google Scholar

  • 74.

    Емцев К.В., Боствик А., Хорн К., Джобст Дж., Келлог Г.Л., Лей Л., Макчесни Дж.Л., Охта Т., Решанов С.А., Рорл Дж., Ротенберг Э., Шмид А.К., Вальдманн Д., Вебер Х.Б., Зейллер Т. : К слоям графена размером с пластину путем графитизации карбида кремния при атмосферном давлении. Нат. Мат. 2009, 8: 203–207.

    Google Scholar

  • 75.

    Ouerghi A, Silly MG, Marangolo M, Mathieu C, Eddrief M, Picher M, Sirotti F, El Moussaoui S, Belkhou R: Высококачественный эпитаксиальный графен большой площади на внеосевых пластинах SiC . Acs Nano. 2012, 6: 6075–6082.

    Google Scholar

  • 76.

    Moon JS, Curtis D, Hu M, Wong D, McGuire C, Campbell PM, Jernigan G, Tedesco JL, VanMil B, Myers-Ward R, Eddy C. Jr, Gaskill DK, Epitaxial-Graphene RF: Полевые транзисторы на подложках Si-Face 6H-SiC. IEEE Electr. Устройство L. 2009, 30: 650–652.

    Google Scholar

  • 77.

    Wu Y, Lin YM, Bol AA, Jenkins KA, Xia F, Farmer DB, Zhu Y, Avouris P: Высокочастотные масштабированные графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде. Природа 2011, 472: 74–78.

    Google Scholar

  • 78.

    Hackley J, Ali D, DiPasquale J, Demaree JD, Richardson CJK: Рост графитового углерода на Si (111) с использованием твердотельной молекулярно-лучевой эпитаксии. Прил. Phys. Lett. 2009 г., 95: 133114.

    Google Scholar

  • 79.

    Lee YH, Yu L, Wang H, Fang W, Ling X, Shi Y, Lin CT, Huang JK, Chang MT, Chang CS, Dresselhaus M, Palacios T, Li LJ, Kong J: синтез и перенос однослойных дисульфидов переходных металлов на различные поверхности. Нано-буквы. 2013, 13: 1852–1857.

    Google Scholar

  • 80.

    Li X, Zhu Y, Cai W., Borysiak M, Han B, Chen D, Piner RD, Colombo L, Ruoff RS: Перенос графеновых пленок большой площади на высокоэффективные прозрачные проводящие электроды. Nano Lett. 2009, 9: 4359–4363.

    Google Scholar

  • 81.

    Hur S-H, Park OO, Rogers JA: Исключительная изгибаемость сетей из однослойных углеродных нанотрубок, перенесенных с высокотемпературных растущих подложек на пластик, и их использование в тонкопленочных транзисторах. Прил. Phys. Lett. 2005, 86: 243502.

    Google Scholar

  • 82.

    Han GH, Shin H-J, Kim ES, Chae SJ, Choi J-Y, Lee YH: Поли (этилен-ко-винилацетат) - одностадийный перенос сверхбольшого графена с помощью. Nano 2011, 06: 59–65.

    Google Scholar

  • 83.

    Бэ С., Ким Х, Ли Й, Сюй Х, Пак Дж. С., Чжэн Й, Балакришнан Дж, Лей Т., Ким Х. Р., Сон Йи, Ким Й. Дж., Ким К. С., Озилмаз Б., Ан Дж. Х., Хонг Б. Х. , Iijima S: Производство 30-дюймовых графеновых пленок для прозрачных электродов с рулона на рулон. Нат. Nanotechnol. 2010, 5: 574–578.

    Google Scholar

  • 84.

    Gao L, Ren W, Xu H, Jin L, Wang Z, Ma T, Ma LP, Zhang Z, Fu Q, Peng LM, Bao X, Cheng HM: Повторный рост и перенос пузырьков графена с монокристаллическими зернами миллиметрового размера с использованием платины. Нат. Commun. 2012, 3: 699.

    Google Scholar

  • 85.

    Wang DY, Huang IS, Ho PH, Li SS, Yeh YC, Wang DW, Chen WL, Lee YY, Chang YM, Chen CC, Liang CT, Chen CW: Перенос безостаточного графена большой площади без остатков фильмы. Расшир. Матер. 2013, 25: 4521–4526.

    Google Scholar

  • 86.

    Dean CR, Young AF, Meric I, Lee C, Wang L, Sorgenfrei S, Watanabe K, Taniguchi T, Kim P, Shepard KL, Hone J: Подложки из нитрида бора для высококачественной графеновой электроники. Нат. Nanotechnol. 2010, 5: 722–726.

    Google Scholar

  • 87.

    Ван Л, Мерик И, Хуанг ПЙ, Гао Кью, Гао И, Тран Х, Танигучи Т., Ватанабе К., Кампос Л.М., Мюллер Д.А., Го Дж., Ким П., Хоун Дж., Шепард К.Л., Дин С.Р. : Одномерный электрический контакт с двухмерным материалом. Наука 2013, 342: 614–617.

    Google Scholar

  • 88.

    Ван Л., Чен З, Дин С. Р., Танигучи Т., Ватанабе К., Брус Л. Е., Хон Дж .: Пренебрежимо малая экологическая чувствительность графена в гексагональной сэндвич-структуре нитрид бора / графен / h-BN. Acs Nano. 2012, 6: 9314–9319.

    Google Scholar

  • 89.

    Тайчатанапат Т., Ватанабе К., Танигучи Т., Ярилло-Эрреро P: Электрически настраиваемая поперечная магнитная фокусировка в графене. Нат.Phys. 2013, 9: 225–229.

    Google Scholar

  • 90.

    Hunt B, Sanchez-Yamagishi JD, Young AF, Yankowitz M, LeRoy BJ, Watanabe K, Taniguchi T, Moon P, Koshino M, Jarillo-Herrero P, Ashoori RC: Массивные фермионы Дирака и бабочка Хофштадтера в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса. Наука 2013, 340: 1427–1430.

    Google Scholar

  • 91.

    Рао П.С., Сатьянараяна DN: Синтез электропроводящих сополимеров о- / м-толуидинов и о- / м-аминобензойной кислоты в системе органических пероксидов и их характеристика. Synth. Встретились. 2003, 138: 519–527.

    Google Scholar

  • 92.

    Wang XS, Tang HP, Li XD, Hua X: Исследования механических свойств структур проводящее полимерное покрытие-подложка и их влияющих факторов. Внутр. J. Mol. Sci. 2009, 10: 5257–5284.

    Google Scholar

  • 93.

    Wu YL, Li YN, Ong BS: Печатные серебряные омические контакты для высокомобильных органических тонкопленочных транзисторов. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128: 4202–4203.

    Google Scholar

  • 94.

    Fortunato E, Pimentel A, Gonçalves A, Marques A, Martins R: Аморфный / нанокристаллический оксид индия-цинка с высокой подвижностью, осажденный при комнатной температуре. Тонкие твердые пленки 2006, 502: 104–107.

    Google Scholar

  • 95.

    Яглиоглу Б., Йом Х-И, Пейн DC: Кристаллизация аморфного In [sub 2] O [sub 3] –10 мас.% Тонких пленок ZnO, отожженных на воздухе. Прил. Phys. Lett. 2005, 86: 261908.

    Google Scholar

  • 96.

    Минами Т., Ямамото Т., Тода Ю., Мията Т: Прозрачные проводящие пленки ITO, легированные цинком, полученные методом магнетронного распыления. Тонкие твердые пленки 2000, 373: 189–194.

    Google Scholar

  • 97.

    Яо Ф, Лим СК, Ю В.Дж., Ли И.Х., Гвинес Ф., Хванг Х.Р., Ян С.Б., Со КП, Хан Г.Х., Ли Я.Х. J. Phys. Chem. C 2010, 114: 3659–3663.

    Google Scholar

  • 98.

    Ghosh A, Lee YH: Электрохимические конденсаторы на основе углерода. Chem Sus Chem 2012, 5: 480–499.

    Google Scholar

  • 99.

    Jeong HJ, Choi HK, Kim GY, Song YI, Tong Y, Lim SC, Lee YH: Изготовление эффективных полевых эмиттеров с тонкими многослойными углеродными нанотрубками методом распыления. Углерод 2006, 44: 2689–2693.

    Google Scholar

  • 100.

    Xiao L, Chen Z, Feng C, Liu L, Bai Z-Q, Wang Y, Qian L, Zhang Y, Li Q, Jiang K, Fan S: Гибкие, растягивающиеся, тонкопленочные громкоговорители из прозрачных углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2008, 8: 4539–4545.

    Google Scholar

  • 101.

    Zhang D, Ryu K, Liu X, Polikarpov E, Ly J, Tompson ME, Zhou C: Прозрачные, проводящие и гибкие пленки углеродных нанотрубок и их применение в органических светодиодах. Nano Lett. 2006, 6: 1880–1886.

    Google Scholar

  • 102.

    Chen J, Liu Y, Minett AI, Lynam C, Wang J, Wallace GG: Гибкие, выровненные электроды из углеродных нанотрубок / проводящего полимера для литий-ионного аккумулятора. Chem. Матер. 2007, 19: 3595–3597.

    Google Scholar

  • 103.

    Feng C, Liu K, Wu J-S, Liu L, Cheng J-S, Zhang Y, Sun Y, Li Q, Fan S, Jiang K: Гибкие, растягивающиеся, прозрачные проводящие пленки, изготовленные из углеродных нанотрубок сверхразмерной формы. Расшир. Funct. Матер. 2010, 20: 885–891.

    Google Scholar

  • 104.

    Lee J-Y, Connor ST, Cui Y, Peumans P: Прозрачные электроды из металлических нанопроволок, обработанных в растворе. Nano Lett. 2008, 8: 689–692.

    Google Scholar

  • 105.

    Гэн Х-Зи, Ли Д.С., Ким К.К., Хан Г.Х., Парк Х.К., Ли YH: Абсорбционная спектроскопия пленки углеродных нанотрубок, диспергированных в поверхностно-активных веществах: модуляция электронных структур. Chem. Phys. Lett. 2008, 455: 275–278.

    Google Scholar

  • 106.

    Geng HZ, Kim KK, Lee K, Kim GY, Choi HK, Lee DS, An KH, Lee YH, Chang Y, Lee YS, Kim B, Lee YJ: Зависимость качества материала от рабочих характеристик гибкие прозрачные проводящие пленки с однослойными углеродными нанотрубками. Nano 2007, 2: 157–167.

    Google Scholar

  • 107.

    Разеги М., Гэн Х-Зи, Ким К.К., Ли Й.Х., Прибат Д., Ли Й.Х .: Недавний прогресс в создании гибкой прозрачной проводящей пленки на основе углеродных нанотрубок. Proc. SPIE 2008, 7037: 70370A-1–70370A-14.

    Google Scholar

  • 108.

    Ким К.К., Юн С.М., Пак Х.К., Шин Х.Дж., Ким С.М., Бэ Дж.Дж., Цуй Й., Ким Дж.М., Чой Дж.-Й, Ли Й.Х .: Стратегия легирования углеродных нанотрубок с помощью окислительно-восстановительной химии. New J. Chem. 2010, 34: 2183–2188.

    Google Scholar

  • 109.

    Ким С.М., Ким К.К., Джо Ю.В., Пак М.Х., Чае С.Дж., Дуонг Д.Л., Ян К.В., Конг Дж., Ли Ю.Х .: Роль анионов в легировании углеродных нанотрубок AuCl3. Acs Nano. 2011, 5: 1236–1242.

    Google Scholar

  • 110.

    Kim KK, Bae JJ, Park HK, Kim SM, Geng HZ, Park KA, Shin HJ, Yoon SM, Benayad A, Choi JY, Lee YH: Разработка одностенных углеродных нанотрубок на уровне Ферми Легирование AuCl3. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130: 12757–12761.

    Google Scholar

  • 111.

    Яо Ф., Гунес Ф., Та HQ, Ли С.М., Чае С.Дж., Шим К.Й., Кожокару С.С., Се С.С., Ли Й.Х .: Механизм диффузии иона лития через базисную плоскость слоистого графена. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134: 8646–8654.

    Google Scholar

  • 112.

    Кумар Б., Ли К.Й., Парк Х.К., Чае С.Дж., Ли Й.Х., Ким С.-В .: Контролируемый рост полупроводниковых нанопроволок, наностенок и гибридных наноструктур на графене для пьезоэлектрических наногенераторов. Acs Nano. 2011, 5: 4197–4204.

    Google Scholar

  • 113.

    Choi D, Choi MY, Choi WM, Shin HJ, Park HK, Seo JS, Park J, Yoon SM, Chae SJ, Lee YH, Kim SW, Choi JY, Lee SY, Kim JM: полностью рулонные прозрачные наногенераторы на основе графеновых электродов. Расшир. Матер. 2010, 22: 2187–2192.

    Google Scholar

  • 114.

    Ким К.К., Рейна А., Ши Й, Парк Х, Ли Л.Дж., Ли Ю.Х., Конг Дж .: Повышение проводимости прозрачных графеновых пленок с помощью легирования. Нанотехнологии 2010, 21: 285205.

    Google Scholar

  • 115.

    Shin HJ, Choi WM, Choi D, Han GH, Yoon SM, Park HK, Kim SW, Jin YW, Lee SY, Kim JM, Choi JY, Lee YH: Контроль электронной структуры графена с помощью различные легирующие примеси и их влияние на наногенератор. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132: 15603–15609.

    Google Scholar

  • 116.

    Guenes F, Han GH, Kim KK, Kim ES, Chae SJ, Park MH, Jeong H-K, Lim SC, Lee YH: Гибкие прозрачные проводящие пленки на основе графена с большой площадью. Nano 2009, 4: 83–90.

    Google Scholar

  • 117.

    Гунес Ф, Шин Х-Дж, Бисвас С., Хан Г. Х., Ким Э. С., Чае С.Дж., Чой Дж-Й, Ли Й.Х .: Послойное легирование многослойной графеновой пленки. Acs Nano. 2010, 4: 4595–4600.

    Google Scholar

  • 118.

    Lee WH, Park J, Sim SH, Jo SB, Kim KS, Hong BH, Cho K: Прозрачные гибкие органические транзисторы на основе однослойных графеновых электродов на пластике. Расшир. Матер. 2011, 23: 1752–1756.

    Google Scholar

  • 119.

    Chen Y, Xu Y, Zhao K, Wan X, Deng J, Yan W: На пути к гибкой полностью углеродной электронике: гибкие органические полевые транзисторы и инверторные схемы с использованием цельнографенового источника с обработкой раствора / электроды стока / затвора. Nano Res. 2010, 3: 714–721.

    Google Scholar

  • 120.

    Li C, Li Z, Zhu H, Wang K, Wei J, Li X, Sun P, Zhang H, Wu D: Графеновые нано- «пятна» на сетке углеродных нанотрубок для обеспечения высокой прозрачности / проводимости тонкопленочные аппликации. J. Phys. Chem. C 2010, 114: 14008–14012.

    Google Scholar

  • 121.

    Hong T-K, Lee DW, Choi HJ, Shin HS, Kim B-S: Прозрачные гибкие проводящие гибридные многослойные тонкие пленки из многослойных углеродных нанотрубок с графеновыми нанолистами. Acs Nano. 2010, 4: 3861–3868.

    Google Scholar

  • 122.

    Тунг В.К., Чен Л-М, Аллен М.Дж., Вассей Дж.К., Нельсон К., Канер Р.Б., Ян Й.: Низкотемпературная обработка на растворе гибридных материалов графен-углеродные нанотрубки для получения высокоэффективных прозрачных проводников. Nano Lett. 2009, 9: 1949–1955.

    Google Scholar

  • 123.

    Yu WJ, Lee SY, Chae SH, Perello D, Han GH, Yun M, Lee YH: Малые гистерезисные интегральные схемы на основе наноуглерода на гибкой и прозрачной пластиковой подложке. Нано-буквы. 2011, 11: 1344–1350.

    Google Scholar

  • 124.

    Zhu Y, Sun Z, Yan Z, Jin Z, Tour JM: Рациональная конструкция гибридных графеновых пленок для высокоэффективных прозрачных электродов. Acs Nano. 2011, 5: 6472–6479.

    Google Scholar

  • 125.

    Cao Q, Han SJ, Tulevski GS, Zhu Y, Lu DD, Haensch W: Массивы однослойных углеродных нанотрубок с полным покрытием поверхности для высокопроизводительной электроники. Нат. Nanotechnol. 2013, 8: 180–186.

    Google Scholar

  • 126.

    Сангван В.К., Ортиз Р.П., Алабосон Дж. М.П., ​​Эмери Дж. Д., Бедзик М.Дж., Лаухон Л.Дж., Маркс Т.Дж., Херсам МС: Фундаментальные пределы производительности тонкопленочных транзисторов из углеродных нанотрубок, достигнутые с использованием гибридных молекулярных диэлектриков. Acs Nano. 2012, 6: 7480–7488.

    Google Scholar

  • 127.

    Meric I, Han MY, Young AF, Ozyilmaz B, Kim P, Shepard KL: Насыщение тока в полевых графеновых транзисторах с нулевой запрещенной зоной и верхним затвором. Нат. Nanotechnol. 2008, 3: 654–659.

    Google Scholar

  • 128.

    Biswas C, Lee SY, Thuc Hue L, Ghosh A, Quoc Nguyen D, Lee YH: Химически легированный диод p-n-перехода из углеродных нанотрубок с химическим легированием для выпрямителя. Acs Nano. 2011, 5: 9817–9823.

    Google Scholar

  • 129.

    Javey A, Kim H, Brink M, Wang Q, Ural A, Guo J, McIntyre P, McEuen P, Lundstrom M, Dai H: Диэлектрики High-k для современных транзисторов из углеродных нанотрубок и логических вентилей . Нат. Матер. 2002, 1: 241–246.

    Google Scholar

  • 130.

    Javey A, Guo J, Farmer DB, Wang Q, Yenilmez E, Gordon RG, Lundstrom M, Dai HJ: Самовыравнивающиеся баллистические молекулярные транзисторы и электрически параллельные массивы нанотрубок. Nano Lett. 2004, 4: 1319–1322.

    Google Scholar

  • 131.

    Клинке С., Чен Дж., Афзали А., Авурис. P: Переключение полярности, вызванное переносом заряда в транзисторах из углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2005, 5: 555–558.

    Google Scholar

  • 132.

    Tans SJ, Verschueren ARM, Dekker C: Транзистор для комнатной температуры на основе одной углеродной нанотрубки. Nature 1998, 393: 49–52.

    Google Scholar

  • 133.

    Javey A, Guo J, Wang Q, Lundstrom M, Dai HJ: Полевые транзисторы с баллистическими углеродными нанотрубками. Nature 2003, 424: 654–657.

    Google Scholar

  • 134.

    Bachtold A, Hadley P, Nakanishi T, Dekker C: Логические схемы с транзисторами из углеродных нанотрубок. Science 2001, 294: 1317–1320.

    Google Scholar

  • 135.

    Перелло Д.Дж., Лим С.К., Чае С.Дж., Ли И., Ким М.Дж., Ли Ю.Х., Юн М: Термоэлектронный автоэмиссионный перенос в транзисторах из углеродных нанотрубок. Acs Nano. 2011, 5: 1756–1760.

    Google Scholar

  • 136.

    Коджабас С., Канг С.Дж., Озель Т., Шим М., Роджерс Дж.А.: Улучшенный синтез выровненных массивов однослойных углеродных нанотрубок и их реализация в тонкопленочных транзисторах. J. Phys. Chem. C 2007, 111: 17879–17886.

    Google Scholar

  • 137.

    Дин Л., Юань Д., Лю Дж .: Выращивание параллельных массивов с высокой плотностью длинных однослойных углеродных нанотрубок на кварцевых подложках. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130: 5428- +.

    Google Scholar

  • 138.

    Yu WJ, Kim UJ, Kang BR, Lee IH, Lee E-H, Lee YH: Адаптивные логические схемы с амбиполярными транзисторами из углеродных нанотрубок без допинга. Nano Lett. 2009, 9: 1401–1405.

    Google Scholar

  • 139.

    Lee SW, Lee SY, Lim SC, Y-d K, Yoon J-S, Uh K, Lee YH: Положительная нестабильность напряжения смещения затвора тонкопленочных транзисторов из углеродных нанотрубок. Прил. Phys. Lett. 2012, 101: ᅟ.

    Google Scholar

  • 140.

    Kim BJ, Jang H, Lee SK, Hong BH, Ahn JH, Cho JH: Высокопроизводительные гибкие графеновые полевые транзисторы с ионно-гелевым диэлектриком затвора. Нано-буквы. 2010, 10: 3464–3466.

    Google Scholar

  • 141.

    Гейм А.К., Новоселов К.С.: Возникновение графена. Нат. Матер. 2007, 6: 183–191.

    Google Scholar

  • 142.

    Ли Дж., Ха Т.Дж., Пэрриш К.Н., Чоудхури С.Ф., Тао Л., Додабалапур А., Акинванде D: Высокоэффективный токовонасыщающий графеновый полевой транзистор с гексагональным диэлектриком из нитрида бора на гибких полимерных подложках. IEEE Electron. Dev. L. 2013, 34: 172–174.

    Google Scholar

  • 143.

    Ян Ц., Чо Дж. Х., Ан Дж. Х .: Гибкие и растягиваемые тонкопленочные транзисторы на основе графена. Наноразмер. 2012 г., 4: 4870–4882.

    Google Scholar

  • 144.

    Schwierz F: ЭЛЕКТРОНИКА Графеновые транзисторы, совместимые с промышленностью. Природа 2011, 472: 41–42.

    Google Scholar

  • 145.

    Chico L, Crespi VH, Benedict LX, Louie SG, Cohen ML: Устройства на чисто углеродном наноразмерном уровне: гетеропереходы из нанотрубок. Phys. Rev. Lett. 1996, 76: 971–974.

    Google Scholar

  • 146.

    Дай Х.Дж., Вонг Э.В., Либер CM: Исследование электрического переноса в наноматериалах: проводимость отдельных углеродных нанотрубок. Наука 1996, 272: 523–526.

    Google Scholar

  • 147.

    Коллинз П.Г., Арнольд М.С., Авурис P: Разработка углеродных нанотрубок и схем из нанотрубок с использованием электрического пробоя. Science 2001, 292: 706–709.

    Google Scholar

  • 148.

    Avouris P: Электроника на углеродных нанотрубках. Chem.Phys. 2002, 281: 429–445.

    Google Scholar

  • 149.

    Cao Q, Kim HS, Pimparkar N, Kulkarni JP, Wang C, Shim M, Roy K, Alam MA, Rogers JA: Среднемасштабные тонкопленочные интегральные схемы из углеродных нанотрубок на гибких пластиковых подложках. Nature 2008, 454: 495–500.

    Google Scholar

  • 150.

    Green AA, Hersam MC: Обработка и свойства высокообогащенных двустенных углеродных нанотрубок. Нат. Nanotechnol. 2009, 4: 64–70.

    Google Scholar

  • 151.

    Ghosh S, Bachilo SM, Weisman RB: Расширенная сортировка однослойных углеродных нанотрубок с помощью нелинейного ультрацентрифугирования в градиенте плотности. Нат. Nanotechnol. 2010, 5: 443–450.

    Google Scholar

  • 152.

    Лю Х., Нишид Д., Танака Т., Катаура Н: Крупномасштабное однократное разделение одностенных углеродных нанотрубок с помощью простой гель-хроматографии. Нат. Commun. 2011, 2: 309.

    Google Scholar

  • 153.

    Арнольд М.С., Грин А.А., Хульват Дж.Ф., Ступп С.И., Херсам МС: Сортировка углеродных нанотрубок по электронной структуре с использованием дифференцирования плотности. Нат. Nanotechnol. 2006, 1: 60–65.

    Google Scholar

  • 154.

    Oostinga JB, Heersche HB, Liu X, Morpurgo AF, Vandersypen LM: Индуцированное затвором изолирующее состояние в устройствах с двухслойным графеном. Нат. Матер. 2008, 7: 151–157.

    Google Scholar

  • 155.

    Охта Т., Боствик А., Зейллер Т., Хорн К., Ротенберг Е: Управление электронной структурой двухслойного графена. Science 2006, 313: 951–954.

    Google Scholar

  • 156.

    Веласко Дж., Джинг Л, Бао В., Ли Й, Кратц П., Аджи В., Бократ М., Лау С. Н., Варма С., Стиллвелл Р., Смирнов Д., Чжан Ф., Юнг Дж., Макдональд А. Х .: Транспортная спектроскопия диэлектрических состояний с нарушенной симметрией в двухслойном графене. Нат. Nanotechnol. 2012 г., 7: 156–160.

    Google Scholar

  • 157.

    Zhang Y, Tang TT, Girit C, Hao Z, Martin MC, Zettl A, Crommie MF, Shen YR, Wang F: Прямое наблюдение широко настраиваемой запрещенной зоны в двухслойном графене. Nature 2009, 459: 820–823.

    Google Scholar

  • 158.

    Xia F, Farmer DB, Lin YM, Avouris P: Графеновые полевые транзисторы с высоким коэффициентом включения / выключения и большой транспортной шириной запрещенной зоны при комнатной температуре. Nano Lett. 2010, 10: 715–718.

    Google Scholar

  • 159.

    Li X, Борисенко К.М., Нарделли М.Б., Ким KW: Электронно-транспортные свойства двухслойного графена. Phys. Ред. B 2011, 84: ᅟ.

    Google Scholar

  • 160.

    Park J, Jo SB, Yu YJ, Kim Y, Yang JW, Lee WH, Kim HH, Hong BH, Kim P, Cho K, Kim KS: Single-Gate Bandgap, открытие двухслойного графена с помощью Dual Молекулярный допинг. Дополнительные материалы. 2011, ᅟ: .

    Google Scholar

  • 161.

    Duong DL, Lee SM, Chae SH, Ta QH, Lee SY, Han GH, Bae JJ, Lee YH: Инженерия запрещенной зоны в химически сопряженном двухслойном графене: расчеты Ab initio. Phys. Ред. B 2012, 85: ᅟ.

    Google Scholar

  • 162.

    Jiao L, Zhang L, Wang X, Diankov G, Dai H: Узкие графеновые наноленты из углеродных нанотрубок. Nature 2009, 458: 877–880.

    Google Scholar

  • 163.

    Li X, Wang X, Zhang L, Lee S, Dai H: Ультрагладкие графеновые наноленты, полученные химическим путем. Наука 2008, 319: 1229–1232.

    Google Scholar

  • 164.

    Хан М., Озилмаз Б., Чжан Ю., Ким П.: Энергетическая ширина запрещенной зоны графеновых нанолент. Phys. Rev. Lett. 2007, 98: ᅟ.

    Google Scholar

  • 165.

    Wang X, Ouyang Y, Li X, Wang H, Guo J, Dai H: Полупроводниковые полупроводниковые полевые транзисторы с длиной волны менее 10 нм, работающие при комнатной температуре. Phys. Rev. Lett. 2008, 100: ᅟ.

    Google Scholar

  • 166.

    Бай Дж, Чжун Х, Цзян С., Хуанг И, Дуань Х: Графен наномеш. Нат. Nanotechnol. 2010, 5: 190–194.

    Google Scholar

  • 167.

    Ким М., Сафрон Н.С., Хан Э., Арнольд М.С., Гопалан P: Изготовление и определение характеристик полупроводниковых наноперфорированных графеновых материалов с большой площадью поверхности. Нано-буквы. 2010, 10: 1125–1131.

    Google Scholar

  • 168.

    Tang YB, Yin LC, Yang Y, Bo XH, Cao YL, Wang HE, Zhang WJ, Bello I, Lee ST, Cheng HM, Lee CS: Настраиваемые запрещенные зоны и транспортные свойства p-типа. легированные бором графены путем контролируемого ионного легирования с использованием реактивной микроволновой плазмы. Acs Nano. 2012 г., 6: 1970–1978.

    Google Scholar

  • 169.

    Вэй Д., Лю И, Ван И, Чжан Х, Хуанг Л., Ю Г: Синтез N-легированного графена методом химического осаждения из паровой фазы и его электрические свойства. Nano Lett. 2009, 9: 1752–1758.

    Google Scholar

  • 170.

    Балог Р., Йоргенсен Б., Нильссон Л., Андерсен М., Ринкс Е., Бьянки М., Фанетти М., Лэгсгаард Е., Баральди А., Лиззит С., Сливанчанин З., Безенбахер Ф, Хаммер Б., Педерсен Т. Г., Хофманн П. , Hornekaer L: Открытие запрещенной зоны в графене, вызванное структурированной адсорбцией водорода. Нат. Матер. 2010, 9: 315–319.

    Google Scholar

  • 171.

    Чен Дж, Клинке С., Афзали А., Авурис Р: Самовыравнивающиеся транзисторы из углеродных нанотрубок с легированием с переносом заряда. Прил. Phys. Lett. 2005, 86: 123108.

    Google Scholar

  • 172.

    Strano MS, Dyke CA, Usrey ML, Barone PW, Allen MJ, Shan H, Kittrell C, Hauge RH, Tour JM, Smalley RE: Управление электронной структурой функционализации одностенных углеродных нанотрубок. Наука 2003, 301: 1519–1522.

    Google Scholar

  • 173.

    Duong DL, Lee IH, Kim KK, Kong J, Lee SM, Lee YH: Механизм легирования углеродных нанотрубок в солевом растворе и гигроскопический эффект: теория функционала плотности. Acs Nano. 2010, 4: 5430–5436.

    Google Scholar

  • 174.

    Yoon SM, Kim UJ, Benayad A, Lee IH, Son H, Shin HJ, Choi WM, Lee YH, Jin YW, Lee EH, Lee SY, Choi JY, Kim JM: Тепловое преобразование электронных и электрические свойства однослойных углеродных нанотрубок, легированных AuCl3. Acs Nano. 2011, 5: 1353–1359.

    Google Scholar

  • 175.

    Хайнце С., Терсофф Дж., Мартель Р., Дерике В., Аппенцеллер Дж., Авурис П. Углеродные нанотрубки как транзисторы с барьером Шоттки. Phys. Rev. Lett. 2002, 89: ᅟ.

    Google Scholar

  • 176.

    Такенобу Т., Канбара Т., Акима Н., Такахаши Т., Шираиси М., Цукагоши К., Катаура Н., Аояги И., Иваса Ю.: Контроль плотности носителей методом раствора в устройствах из углеродных нанотрубок. Расшир. Матер. 2005, 17: 2430–2434.

    Google Scholar

  • 177.

    Дерике В., Мартель Р., Аппенцеллер Дж., Авурис П: Управление легированием и инжекцией носителей в транзисторы из углеродных нанотрубок. Прил. Phys. Lett. 2002, 80: 2773.

    Google Scholar

  • 178.

    Zhou C: Модулированное химическое легирование индивидуальных углеродных нанотрубок. Science 2000, 290: 1552–1555.

    Google Scholar

  • 179.

    Ли И.Х., Ким Ю.Дж., Бин Сон Х., Юн С.М., Яо Ф., Ю.В.Дж., Дуонг Д.Л., Чой Дж.-Й, Ким Дж.М., Ли Э.Х., Ли Ю.Х .: Гигроскопические эффекты на углеродных нанотрубках, допированных AuCl3. J. Phys. Chem. C 2010, 114: 11618–11622.

    Google Scholar

  • 180.

    Kim SM, Jang JH, Kim KK, Park HK, Bae JJ, Yu WJ, Lee IH, Kim G, Loc DD, Kim UJ, Lee EH, Shin HJ, Choi JY, Lee YH: сокращение -контролируемый виологен в бисрастворителе как экологически стабильная легирующая добавка n-типа для углеродных нанотрубок. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131: 327–331.

    Google Scholar

  • 181.

    Lee SY, Lee SW, Kim SM, Yu WJ, Jo YW, Lee YH: Масштабируемые дополнительные логические вентили с химически легированными полупроводниковыми транзисторами из углеродных нанотрубок. Acs Nano 2011, 5: 2369–2375.

    Google Scholar

  • 182.

    Kang BR, Yu WJ, Kim KK, Park HK, Kim SM, Park Y, Kim G, Shin HJ, Kim UJ, Lee EH, Choi JY, Lee YH: Преобразование восстанавливаемого типа транзистора из углеродных нанотрубок с использованием пиролитически контролируемого антиоксидантного кофермента фотосинтеза. Расшир. Funct. Матер. 2009, 19: 2553–2559.

    Google Scholar

  • 183.

    Kim SM, Jo YW, Kim KK, Duong DL, Shin H-J, Han JH, Choi J-Y, Kong J, Lee YH: Прозрачная органическая примесь P в углеродных нанотрубках: бис (трифторметансульфонил) имид. Acs Nano. 2010, 4: 6998–7004.

    Google Scholar

  • 184.

    Jeong HK, Kim K-j, Kim SM, Lee YH: Модификация электронных структур графена с помощью виологена. Chem. Phys. Lett. 2010, 498: 168–171.

    Google Scholar

  • 185.

    Benayad A, Shin H-J, Park HK, Yoon S-M, Kim KK, Jin MH, Jeong H-K, Lee JC, Choi J-Y, Lee YH: Управление работой выхода восстановленного оксида графита с помощью концентрации ионов Au. Chem. Phys. Lett. 2009, 475: 91–95.

    Google Scholar

  • 186.

    Yu WJ, Liao L, Chae SH, Lee YH, Duan X: К перестраиваемой запрещенной зоне и перестраиваемой точке Дирака в двухслойном графене с молекулярным легированием. Нано-буквы. 2011, 11: 4759–4763.

    Google Scholar

  • 187.

    Дерике В., Мартель Р., Аппенцеллер Дж., Авурис П: Меж- и внутримолекулярные логические элементы из углеродных нанотрубок. Nano Lett. 2001, 1: 453–456.

    Google Scholar

  • 188.

    Sumanasekera GU, Adu CKW, Fang S, Eklund PC: Влияние адсорбции газа и столкновений на электрический транспорт в однослойных углеродных нанотрубках. Phys. Rev. Lett. 2000, 85: 1096–1099.

    Google Scholar

  • 189.

    Collins PG: Чрезвычайная кислородная чувствительность электронных свойств углеродных нанотрубок. Science 2000, 287: 1801–1804.

    Google Scholar

  • 190.

    Yu WJ, Kang BR, Lee IH, Min YS, Lee YH: Преобразование типа основных носителей с плавающими затворами в транзисторах из углеродных нанотрубок. Расшир. Матер. 2009, 21: 4821–4824.

    Google Scholar

  • 191.

    Yu WJ, Lee YH: Стратегия управления носителями в транзисторах на углеродных нанотрубках. ChemSusChem 2011, 4: 890–904.

    Google Scholar

  • 192.

    Bockrath M, Hone J, Zettl A, McEuen PL, Rinzler AG, Smalley RE: Химическое легирование отдельных полупроводниковых нитей углеродных нанотрубок. Phys. Ред. B 2000, 61: 10606–10608.

    Google Scholar

  • 193.

    Ян М.Х., Тео КБК, Милн В.И., Хаско Д.Г.: Диод Шоттки из углеродных нанотрубок и полевой транзистор с зависимой от направления направленности с использованием асимметричных контактов. Прил. Phys. Lett. 2005, 87: 253116.

    Google Scholar

  • 194.

    Ношо Й, Оно Й, Кишимото С., Мизутани Т: Связь между свойством проводимости и работой выхода контактного металла в полевых транзисторах из углеродных нанотрубок. Нанотехнологии 2006, 17: 3412–3415.

    Google Scholar

  • 195.

    Ли Й, Бэ С., Джанг Х, Джанг С., Чжу С.Э., Сим Ш., Сон И., Хонг Б. Х., Ан Дж. Х .: Синтез и перенос графеновых пленок в масштабе пластин. Нано-буквы. 2010, 10: 490–493.

    Google Scholar

  • 196.

    Cao Q, Rogers JA: Ультратонкие пленки однослойных углеродных нанотрубок для электроники и сенсоров: обзор фундаментальных и прикладных аспектов. Расшир. Матер. 2009, 21: 29–53.

    Google Scholar

  • 197.

    Jang S, Jang H, Lee Y, Suh D, Baik S, Hong BH, Ahn JH: Гибкие прозрачные однослойные транзисторы из углеродных нанотрубок с графеновыми электродами. Нанотехнологии 2010, 21: 425201.

    Google Scholar

  • 198.

    Chen JH, Ishigami M, Jang C, Hines DR, Fuhrer MS, Williams ED: Печатные графеновые схемы. Расшир. Матер. 2007, 19: 3623–3627.

    Google Scholar

  • 199.

    Park JU, Nam S, Lee MS, Lieber CM: Синтез монолитной графен-графитовой интегрированной электроники. Нат. Мат. 2012, 11: 120–125.

    Google Scholar

  • 200.

    Sun DM, Liu C, Ren WC, Cheng HM: Обзор гибких тонкопленочных транзисторов на основе углеродных нанотрубок и графена. Малый 2013, 9: 1188–1205.

    Google Scholar

  • 201.

    Lu C-C, Lin Y-C, Yeh C-H, Huang J-C, Chiu P-W: Гибкие графеновые полевые транзисторы с высокой подвижностью и самовосстанавливающимися диэлектриками затвора. Acs Nano. 2012, 6: 4469–4474.

    Google Scholar

  • 202.

    Kim T, Kim H, Kwon SW, Kim Y, Park WK, Yoon DH, Jang AR, Shin HS, Suh KS, Yang WS: Крупномасштабные графеновые микрорельефы посредством процесса самосборки для гибкое применение устройства. Нано-буквы. 2012, 12: 743–748.

    Google Scholar

  • 203.

    Park SJ, Kwon OS, Lee SH, Song HS, Park TH, Jang J: Биоэлектронный нос на основе сверхчувствительного гибкого полевого транзистора (FET) на основе графена. Нано-буквы. 2012, 12: 5082–5090.

    Google Scholar

  • 204.

    Cao Q, Hur SH, Zhu ZT, Sun YG, Wang CJ, Meitl MA, Shim M, Rogers JA: Прозрачные тонкопленочные транзисторы с высокой степенью гибкости, в которых используются проводники и полупроводники на основе углеродных нанотрубок с эластомерные диэлектрики. Расшир. Матер. 2006, 18: 304–309.

    Google Scholar

  • 205.

    Sun DM, Timmermans MY, Tian Y, Nasibulin AG, Kauppinen EI, Kishimoto S, Mizutani T, Ohno Y: Гибкие высокопроизводительные интегральные схемы на углеродных нанотрубках. Нат. Nanotechnol. 2011, 6: 156–161.

    Google Scholar

  • 206.

    Ким Б.Дж., Ли С.К., Кан М.С., Ан Дж. Х., Чо Дж. Х .: Прозрачные графеновые транзисторы и инверторы с копланарным затвором на пластике. Acs Nano. 2012, 6: 8646–8651.

    Google Scholar

  • 207.

    Ван Х, Незич Д., Конг Дж., Паласиос Т: Графеновые умножители частоты. IEEE Electron. Dev. L. 2009, 30: 547–549.

    Google Scholar

  • 208.

    Ян Х, Лю Г., Баландин А.А., Моханрам К: Трехмодовый однотранзисторный графеновый усилитель и его приложения. Acs Nano. 2010, 4: 5532–5538.

    Google Scholar

  • 209.

    Wang Z, Zhang Z, Xu H, Ding L, Wang S, Peng L-M: Высокопроизводительный удвоитель частоты на основе графенового полевого транзистора с верхним затвором. Прил. Phys. Lett. 2010, 96: 173104.

    Google Scholar

  • 210.

    Ван Х, Хсу А, Ву Дж, Конг Дж, Паласиос Т, Амбиполярный режим на основе графена RF: Смесители. IEEE Electron. Dev. Lett. 2010, 31: 906–908.

    Google Scholar

  • 211.

    Хсу А., Ван Х, Ким К.К., Конг Дж., Паласиос Т: Высокочастотные характеристики графеновых транзисторов, выращенных методом химического осаждения из паровой фазы, для приложений со смешанными сигналами. Jpn. J. Appl. Phys. 2011, 50: 070114.

    Google Scholar

  • 212.

    Lee S, Lee K, Liu CH, Kulkarni GS, Zhong Z: Гибкие и прозрачные полностью графеновые схемы для четвертичной цифровой модуляции. Нат. Commun. 2012, 3: 1018.

    Google Scholar

  • 213.

    Takahashi T, Takei K, Gillies AG, Fearing RS, Javey A: Объединительные платы активной матрицы из углеродных нанотрубок для конформной электроники и датчиков. Нано-буквы. 2011, 11: 5408–5413.

    Google Scholar

  • 214.

    Rogers JA, Bao Z, Baldwin K, Dodabalapur A, Crone B, Raju VR, Kuck V, Katz H, Amundson K, Ewing J, Drzaic P: Электронные дисплеи в виде бумаги: резина большой площади -штампованные пластиковые листы электроники и микроинкапсулированные электрофоретические чернила. Proc. Natl. Акад. Sci. США 2001, 98: 4835–4840.

    Google Scholar

  • 215.

    Wang C, Hwang D, Yu Z, Takei K, Park J, Chen T, Ma B, Javey A: Интерактивный пользовательский электронный скин для мгновенной визуализации давления. Nat Mater. 2013, 12: 899–904.

    Google Scholar

  • 216.

    Ван З-г, Чен И-ф, Ли Пи, Хао Х, Лю Дж-б, Хуанг Р., Ли И-р: Гибкие электролюминесцентные устройства на основе графена. Acs Nano. 2011, 5: 7149–7154.

    Google Scholar

  • 217.

    Sire C, Ardiaca F, Lepilliet S, Seo JW, Hersam MC, Dambrine G, Happy H, Derycke V: Гибкие гигагерцовые транзисторы, полученные из однослойного графена на основе раствора. Нано-буквы. 2012, 12: 1184–1188.

    Google Scholar

  • 218.

    Найфе OM: Графеновые транзисторы на механически гибком полиимиде с диэлектриком затвора с осаждением атомных слоев. IEEE Electron.Dev. L. 2011, 32: 1349–1351.

    Google Scholar

  • 219.

    Lee J, Ha T-J, Li H, Parrish KN, Holt M, Dodabalapur A, Ruoff RS, Akinwande D: Графеновые транзисторы со встроенным затвором 25 ГГц и диэлектриками с высоким K на чрезвычайно гибких пластиковых листах. Acs Nano. 2013, 7: 7744–7750.

    Google Scholar

  • 220.

    Petrone N, Meric I, Hone J, Shepard KL: Графеновые полевые транзисторы с гигагерцовым усилением мощности на гибких подложках. Нано-буквы. 2013, 13: 121–125.

    Google Scholar

  • 221.

    Liao L, Lin YC, Bao M, Cheng R, Bai J, Liu Y, Qu Y, Wang KL, Huang Y, Duan X: Высокоскоростные графеновые транзисторы с самовыравнивающимся затвором из нанопроволоки. Природа 2010, 467: 305–308.

    Google Scholar

  • 222.

    Heo C, Lee SY, Jo A, Jung S, Suh M, Lee YH: Гибкий, прозрачный и нецитотоксичный графеновый стимулятор электрического поля для эффективного увеличения объема мозговой крови. Acs Nano. 2013, 7: 4869–4878.

    Google Scholar

  • 223.

    Yu WJ, Chae SH, Lee SY, Duong DL, Lee YH: Сверхпрозрачное, гибкое энергонезависимое запоминающее устройство с однослойной углеродной нанотрубкой с декорированным кислородом графеновым электродом. Расшир. Матер. 2011, 23: 1889–1893.

    Google Scholar

  • 224.

    Park B, Cho K, Kim S, Kim S: Прозрачная нано-плавающая память затвора на стекле. Нанотехнологии 2010, 21: 335201.

    Google Scholar

  • 225.

    Ji Y, Lee S, Cho B, Song S, Lee T: Гибкие органические запоминающие устройства с многослойными графеновыми электродами. Acs Nano. 2011, 5: 5995–6000.

    Google Scholar

  • 226.

    Jeong HY, Kim JY, Kim JW, Hwang JO, Kim JE, Lee JY, Yoon TH, Cho BJ, Kim SO, Ruoff RS, Choi SY: Тонкие пленки оксида графена для гибких приложений энергонезависимой памяти. Нано-буквы. 2010, 10: 4381–4386.

    Google Scholar

  • 227.

    Hansen TS, West K, Hassager O, Larsen NB: Полимерный материал с высокой растяжимостью и проводимостью, изготовленный из поли (3,4-этилендиокситиофена) и полиуретановых эластомеров. Расшир. Funct. Матер. 2007, 17: 3069–3073.

    Google Scholar

  • 228.

    Xu F, Lu W, Zhu Y: Контролируемое трехмерное изгибание кремниевых нанопроволок для растягиваемой электроники. Acs Nano. 2011, 5: 672–678.

    Google Scholar

  • 229.

    Lee P, Lee J, Lee H, Yeo J, Hong S, Nam KH, Lee D, Lee SS, Ko SH: Металлический электрод с высокой растяжимостью и высокой проводимостью за счет перколяционной сети с очень длинной металлической нанопроволокой. Расшир. Матер. 2012 г., 24: 3326–3332.

    Google Scholar

  • 230.

    Yu C, Masarapu C, Rong J, Wei B, Jiang H: Растягиваемые суперконденсаторы на основе изогнутых однослойных макропленок из углеродных нанотрубок. Расшир. Матер. 2009, 21: 4793–4797.

    Google Scholar

  • 231.

    Xu F, Wang X, Zhu Y, Zhu Y: Волнистые ленты углеродных нанотрубок для растягиваемых проводников. Расшир. Funct. Матер. 2012 г., 22: 1279–1283.

    Google Scholar

  • 232.

    Сяо Дж., Карлсон А., Лю З. Дж., Хуанг И, Цзян Х., Роджерс Дж. А.: Растягиваемые и сжимаемые тонкие пленки из жестких материалов на податливых волнистых подложках. Прил. Phys. Lett. 2008, 93: 013109.

    Google Scholar

  • 233.

    Jeong J, Kim S, Cho J, Hong Y: Стабильный растягивающийся серебряный электрод, непосредственно нанесенный на волнистую эластомерную подложку. IEEE Electron. Dev. Lett. 2009, 30: 1284–1286.

    Google Scholar

  • 234.

    Sun Y, Kumar V, Adesida I, Rogers JA: Пряжки и волнистые ленты из Gaas для высокопроизводительной электроники на эластомерных подложках. Расшир. Матер. 2006, 18: 2857–2862.

    Google Scholar

  • 235.

    Khang DY, Jiang HQ, Huang Y, Rogers JA: Растяжимая форма монокристаллического кремния для высокопроизводительной электроники на резиновых подложках. Наука 2006, 311: 208–212.

    Google Scholar

  • 236.

    Hierold C, Jungen A, Stampfer C, Helbling T: Нано-электромеханические сенсоры на основе углеродных нанотрубок. Датчики Актуаторы A Phys. 2007, 136: 51–61.

    Google Scholar

  • 237.

    Tombler TW, Zhou CW, Alexseyev L, Kong J, Dai HJ, Lei L, Jayanthi CS, Tang MJ, Wu SY: Обратимые электромеханические характеристики углеродных нанотрубок при манипулировании локальным зондом. Nature 2000, 405: 769–772.

    Google Scholar

  • 238.

    Maune H, Bockrath M: Цепи из эластомерных углеродных нанотрубок для измерения локальной деформации. Прил. Phys. Lett. 2006, 89: 173131.

    Google Scholar

  • 239.

    Lipomi DJ, Vosgueritchian M, Tee BC, Hellstrom SL, Lee JA, Fox CH, Bao Z: Кожеподобные датчики давления и деформации на основе прозрачных эластичных пленок углеродных нанотрубок. Нат. Nanotechnol. 2011, 6: 788–792.

    Google Scholar

  • 240.

    Ким К.С., Чжао Й., Джанг Х., Ли С.И., Ким Дж. М., Ким К. С., Ан Дж. Х., Ким П., Чой Дж. Ю., Хонг Б. Х .: Крупномасштабное моделирование графеновых пленок для растягиваемых прозрачных электродов. Nature 2009, 457: 706–710.

    Google Scholar

  • 241.

    Чен З, Рен В., Гао Л., Лю Б., Пей С., Ченг Х.М.: Трехмерные гибкие и проводящие взаимосвязанные графеновые сети, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы. Нат. Матер. 2011, 10: 424–428.

    Google Scholar

  • 242.

    Roberts ME, Queralto N, Mannsfeld SCB, Reinecke BN, Knoll W, Bao Z: Сшитые полимерные диэлектрические пленки затвора для низковольтных органических транзисторов. Chem. Матер. 2009, 21: 2292–2299.

    Google Scholar

  • 243.

    Sun DM, Timmermans MY, Kaskela A, Nasibulin AG, Kishimoto S, Mizutani T, Kauppinen EI, Ohno Y: Формованные полностью углеродные интегральные схемы. Нат. Commun. 2013, 4: 2302.

    Google Scholar

  • 244.

    Ли С.К., Ким Б.Дж., Джанг Х., Юн С.К., Ли К., Хонг Б.Х., Роджерс Дж.А., Чо Дж. Х., Ан Дж. Х .: Растягиваемые графеновые транзисторы с печатными диэлектриками и электродами затвора. Нано-буквы. 2011, 11: 4642–4646.

    Google Scholar

  • 245.

    Chae SH, Yu WJ, Bae JJ, Duong DL, Perello D, Jeong HY, Ta QH, Ly TH, Vu QA, Yun M, Duan X, Lee YH: Перенесенный морщинистый Al2O3 для обеспечения высокой растяжимости и прозрачные транзисторы графен-углеродные нанотрубки. Нат. Матер. 2013, 12: 403–409.

    Google Scholar

  • 246.

    Ямада Т., Хаямизу И., Ямамото Ю., Йомогида Ю., Изади-Наджафабади А., Футаба Д. Н., Хата К. Датчик деформации растягиваемых углеродных нанотрубок для обнаружения движения человека. Нат. Nanotechnol. 2011, 6: 296–301.

    Google Scholar

  •  ---
    количество: 21
    Страница 1
    запрос: amso
    полученные результаты:
      -
        описание: эпителиальная опорная клетка сенсиллы амфид.этикетка: ячейка розетки амфид
        название:
          класс: anatomy_term
          выделять:
            Другие названия:
              -  AMso 
          id: WBbt: 0008379
          этикетка: ячейка розетки амфид
          Другие названия:
            - Я так
          таксономия: ~
        Другие названия:
          - Я так
        page_type: anatomy_term
        таксономия: ~
        wbid: WBbt: 0008379
      -
        описание: B) Реснички ADL правильно входят в клетки амфидного гнезда (AMso) у мутантов bgnt-1.1. Реснички ADL помечены Psrh-220 :: IFT-20 :: tdTomato.IFT-20 (IFT20) локализуется в базальных телах ресничек (bb) и аксонемах. Промотор srh-220 управляет экспрессией в первую очередь в нейронах ADL. Клетки амфидного гнезда (AMso) метят цитоплазматическим GFP, управляемым специфическим промотором амфидного гнезда, grd-15 (Hunt-Newbury et al. 2007).
        этикетка: Изображение от Timbers TA et al. (2016) PLoS Genet «Ускорение открытия генов путем фенотипирования секвенирования всего генома…»
        название:
          класс: картинка
          выделять:
            description_all:
              - B) Реснички ADL правильно входят в ячейки гнезда amphid ( AMso ) в bgnt-1.1 мутант.
              - Клетки амфидного гнезда ( AMso ) помечены цитоплазматическим GFP, управляемым специфическим амфидным гнездом.
          id: WBPicture0000014370
          этикетка: Изображение от Timbers TA et al. (2016) PLoS Genet «Ускорение открытия генов путем фенотипирования секвенирования всего генома…»
          other_names: ~
          таксономия: ~
        page_type: изображение
        таксономия: ~
        wbid: WBPicture0000014370
      -
        описание: Черви ориентированы спереди слева и снизу вниз, если не указано иное.(E) Показана экспрессия wrt-6 :: gfp в клетках гнезда амфид (Amso) и одной из внутренних лабиальных сенсилл (Ilso). Показан hyp5, передняя гиподермальная клетка.
        label: "Изображение из Aspock G et al. (1999) Genome Res \" Caenorhabditis elegans имеет множество генов, связанных с hedgehog: последовательность и .... \ ""
        название:
          класс: картинка
          выделять:
            description_all:
              - (E) выражение wrt-6 :: gfp в ячейках гнезда амфид ( Amso ) и одной из внутренних лабиальных сенсилл
          id: WBPicture0000011707
          label: "Изображение из Aspock G et al.(1999) Genome Res \ "Caenorhabditis elegans содержит множество генов, связанных с hedgehog: последовательность и .... \" "
          other_names: ~
          таксономия: ~
        page_type: изображение
        таксономия: ~
        wbid: WBPicture0000011707
      -
        автор:
          -
            класс: автор
            id: Хамбхайта, К.
            этикетка: Khambhaita, K.
          -
            класс: автор
            id: Молина-Гарсия, Л.
            этикетка: Molina-Garcia, L.
          -
            класс: автор
            id: Hall, D.H.
            лейбл: Hall, D.H.
          -
            класс: автор
            id: Пул, Р.Дж.
            лейбл: Poole, R.J.
          -
            класс: автор
            id: Кук, С.Дж.
            этикетка: Cook, S.J.
          -
            класс: автор
            id: Боннингтон, Р.
            этикетка: Bonnington, R.C.
          -
            класс: автор
            id: Emmons, S.W.
            этикетка: Emmons, S.W.
          -
            класс: автор
            id: Саммут, М.
            этикетка: Саммут, М.
          -
            класс: автор
            id: Ким, Б.
            Лейбл: Kim, B.
          -
            класс: автор
            id: Барриос, А.
            этикетка: Barrios, A.описание: Мы недавно охарактеризовали дифференцированные глиальные клетки, которые делятся с образованием нейронов, таинственных клеток мужского пола (MCM). Здесь мы представляем ранее не описанное прямое переключение судьбы клетки глии на нейрон, пересматривая общее количество мужских нейронов до 387 и глии до 90. Исследования нервного развития позвоночных показали, что дифференцированная глия может действовать как нейронные предшественники, однако клеточные и молекулярные механизмы полностью не определены. Чтобы идентифицировать генетические факторы, которые регулируют эти переключатели судьбы от глиальных клеток к нейронам, мы создали коллекцию мутантов no mystery cell (nom) и оценили их роль в обоих переключениях судеб глиальных клеток к нейронам.В начале L4 глиальные клетки мужской амфидной розетки (AMso) делятся асимметрично. Мы наблюдаем повышенную ядерную локализацию Wnt-сигнального эффектора POP-1 / TCF в переднем дочернем, самообновляющемся AMso, чем в задних MCM. Затем пронейральный фактор hlh-14 / Ascl1 временно экспрессируется в MCM до дифференцировки нейронов. Из прямого генетического скрининга 4000 геномов на основе GFP мы выделили девять мутантов nom, в которых не удалось определить MCM. Мы идентифицировали мутанты, которые влияют на деление AMso, дифференцировку нейронов MCM и спецификацию подтипа нейронов MCM.Два мутанта деления AMso, nom-5 и nom-8, были последовательно картированы с локусом cdk-4. CDK-4 необходим для прогрессии G1-S в постэмбриональных бластных клетках, но, что удивительно, наши аллели, по-видимому, влияют только на деление AMso. Более того, не наблюдали потери глиальной судьбы или приобретения нейрональных характеристик в неразделенных AMso, это указывает на то, что спецификация MCM требует репликации ДНК или асимметричной сегрегации нервных факторов. Следуя предварительным наблюдениям Сулстона, мы обнаружили, что глиальные клетки мужского фазмидного гнезда (PHso1) становятся настоящими нейронами на стадии L4, и назвали их фазмидным нейроном D (PHD).Важно отметить, что этот переход прямой, не требующий деления клеток. Мы устанавливаем их линию развития, идентичность как холинергических нейронов, взаимосвязь и даем представление об их функциях во время спаривания. (см. плакат Р. К. Боннингтона). Спецификация PHD не затрагивается мутантами cdk-4 и большинством протестированных мутантов nom. Это говорит о том, что в значительной степени различные генетические механизмы регулируют два события. Самец обеспечивает два переключателя судьбы от глии к нейрону, которые происходят с помощью кажущихся независимыми клеточных и генетических механизмов.Мы продолжаем исследовать регуляторные стратегии, которые придают нейрогенный потенциал дифференцированной глии.
        журнал: International Worm Meeting
        этикетка: Sammut, M. et al. (2017) Международная конференция по червям «Расшифровка двух путей от глии к нейрону».
        название:
          класс: бумага
          выделять:
            description_all:
              - В начале L4 глиальные клетки мужской амфидной розетки ( AMso ) делятся асимметрично.
              - ядерная локализация эффектора передачи сигналов Wnt POP-1 / TCF в переднем дочернем элементе, самообновляющемся  AMso 
              - Мы идентифицировали мутанты, которые влияют на деление  AMso , дифференцировку нейронов MCM и подтип нейронов MCM.
              - Два мутанта деления  AMso , nom-5 и nom-8, были последовательно картированы с локусом cdk-4.- S прогрессии в постэмбриональных бластных клетках, но, что удивительно, наши аллели влияют только на  AMso 
          id: WBPaper00051945
          этикетка: Sammut, M. et al. (2017) Международная конференция по червям «Расшифровка двух путей от глии к нейрону».
          other_names: ~
          таксономия: ~
        other_unique_ids:
          - wm2017ab191
        page_type: paper
        тип бумаги:
          - meeting_abstract
        таксономия: ~
        wbid: WBPaper00051945
        год: 2017
      -
        автор:
          -
            класс: человек
            id: WBPerson160
            Лейбл: Emmons, Scott W.-
            класс: человек
            id: WBPerson233
            лейбл: Холл, Дэвид Х.
          -
            класс: человек
            id: WBPerson31137
            этикетка: Sammut, Michele
          -
            класс: человек
            id: WBPerson3804
            этикетка: Пул, Ричард Дж.
          -
            класс: человек
            id: WBPerson10070
            этикетка: Felton, Terry
          -
            класс: человек
            id: WBPerson10758
            этикетка: Кук, Стивен Дж.
          -
            класс: человек
            id: WBPerson2817
            этикетка: Barrios, Arantza
          -
            класс: человек
            id: WBPerson445
            этикетка: Nguyen, Ken
        Описание: Мы обнаружили, что наши отцы-основатели упустили из виду двустороннюю пару мужских головных интернейронов, обнаружив, что общее количество мужских нейронов составляет 385, а не 383.Мы назвали эти нейроны Mystery Cells of the Male (MCM). Соответствие уровню характеристики, выполненному Sulston, White, et al. для всех остальных нейронов C. elegans мы установили их идентичность, происхождение, связь и функцию. Путем анализа репортерных генов и ультраструктурной реконструкции мы обнаруживаем, что MCM являются полностью дифференцированными нейронами. Клеточные тела MCM расположены дорсо-переднее фарингеального метакорпуса, области, лишенной тел нейронных клеток у гермафродита, и посылают проекции кзади в нервное кольцо и вдоль брюшного канатика.MCM экспрессируют генные батареи нейронов как для электрической, так и для химической коммуникации. Они рождаются на ранней личиночной стадии L4 в результате специфичного для самцов асимметричного деления клеток глиальной амфидной гнезда (AMso). Это первый пример глии, действующей в качестве нейральных предшественников у беспозвоночных и параллельный нейрогенезу позвоночных. Мы обнаружили, что мужские клетки AMso полностью дифференцируются, как и клетки гермафродита AMso, прежде чем они снова войдут в клеточный цикл. Это специфическое для мужчин деление приводит к самообновлению AMso, который не отводит свою проекцию во время деления, и клетки, которая трансдифференцируется в нейроны MCM.Реконструкция синаптической связи MCM посредством последовательной реконструкции электронных микрофотографий выявляет цепь, в которой эти нейроны создают дисинаптические пути в триплетных мотивах, соединяющих EF (специфичные для мужчин), AVF и RIF с AVB. Это предполагает, что MCM могут включать специфические для мужчин сенсорные входы, такие как феромоны партнера, в схемы обработки более высокого порядка, которые контролируют хемотаксическое поведение. В соответствии с этим мы обнаруживаем, что МСМ особенно необходимы для сексуальной обусловленности, пластичности хемотаксических реакций, зависящей от опыта партнера, которая превосходит эффект голодания [1].1. Сакаи, Н., Ивата, Р., Ёкои, С., Бутчер, Р. А., Кларди, Дж., Томиока, М., и Иино, Ю. (2013). Сексуально обусловленное переключение хемосенсорного поведения у C. elegans. PLoS ONE 8, e68676.
        журнал: International Worm Meeting
        label: "Саммут, Микеле и др. (2015) Международная встреча по червям \" Таинственные клетки самца: новая пара головных интернейронов, необходимых для половых различий в обучении \ "".
        название:
          класс: бумага
          выделять:
            description_all:
              - рождены на ранней личиночной стадии L4 в результате специфичного для самцов асимметричного деления глиальной амфидной лунки ( AMso 
              - Мы обнаружили, что мужские клетки  AMso  полностью дифференцированы, как и клетки гермафродита  AMso , прежде чем
              - Это специфическое для мужчин разделение приводит к самообновлению  AMso , которое не убирает свою проекцию.
          id: WBPaper00047497
          этикетка: "Sammut, Michele et al.(2015) International Worm Meeting \ "Таинственные клетки мужчины: новая пара головных интернейронов, необходимых для половых различий в обучении \" ».
          other_names: ~
          таксономия: ~
        other_unique_ids:
          - wm2015ab2
        page_type: paper
        тип бумаги:
          - meeting_abstract
        таксономия: ~
        wbid: WBPaper00047497
        год: 2015
      -
        описание: Рисунок 3. Ири-1 широко выражен. (AH) Слияние iri-1 :: gfp экспрессируется в кишечнике (Int; A и C), эпителиальных клетках прямой кишки (REP; A), анальном сфинктере (AS; B), сперматеке (Sp; C), гиподерме вульвы. клетки (Vul; D), экскреторные клетки (EC; E), клетки амфидного гнезда (AmSo; E), нейрон глотки I3 (E), прокорпус, тело, перешеек и мышцы конечной луковицы глотки (Ph; E и F) и глоточно-кишечный клапан (PI; F).Он широко экспрессируется в развивающихся эмбрионах (G) и экспрессируется в предшественниках гонад Z1 (H) и Z4 (I). Максимальные проекции последовательных z-сечений флуоресценции GFP, наложенные на одно пропускаемое изображение среднего сечения.
        этикетка: Изображение из Walker DS et al. (2004) Mol Biol Cell "IRI-1, гомолог LIN-15B, взаимодействует с инозитол-1,4,5-трифосфатом ...."
        название:
          класс: картинка
          выделять:
            description_all:
              - сперматека (Sp; C), клетки гиподермы вульвы (Vul; D), экскреторные клетки (EC; E), клетки амфидного гнезда ( AmSo 
          id: WBPicture0000008743
          этикетка: Изображение из Walker DS et al.(2004) Mol Biol Cell "IRI-1, гомолог LIN-15B, взаимодействует с инозитол-1,4,5-трифосфатом ...."
          other_names: ~
          таксономия: ~
        page_type: изображение
        таксономия: ~
        wbid: WBPicture0000008743
      -
        описание: S7 Рис. Структуры ресничек и гнездовых клеток у мутанта bgnt-1 присутствуют и выглядят внешне дикого типа. (A) Реснички амфид и фазмид кажутся внешне дикими. Меченый GFP CHE-2 (ортолог IFT80 млекопитающих) используется в качестве маркера панцилий, который локализуется в базальных тельцах (bb) и аксонемах.(B) Реснички ADL правильно входят в клетки амфидного гнезда (AMso) у мутантов bgnt-1.1. Реснички ADL помечены Psrh-220 :: IFT-20 :: tdTomato. IFT-20 (IFT20) локализуется в базальных телах ресничек (bb) и аксонемах. Промотор srh-220 управляет экспрессией в первую очередь в нейронах ADL. Клетки амфидного гнезда (AMso) метят цитоплазматическим GFP, управляемым специфическим промотором амфидного гнезда, grd-15 (Hunt-Newbury et al. 2007). (C) Реснички ADL проникают в клетки сокета на эквивалентную глубину у дикого типа и bgnt-1.1 (p> 0,05, критерий Краскела-Уоллиса). (D) Реснички / дендриты ADL не обнаруживают дефектов наведения у мутантов bgnt-1.1, что оценивается по количеству двухстержневых ресничек, наблюдаемых у каждой амфиды, когда ADL управляется главным образом ADL-специфическим промотором srh-220 (p> 0,05, точное определение Фишера). контрольная работа). Планки погрешностей представляют собой 95% доверительные интервалы (метод Пирсона Клоппера). (E) мутанты bgnt-1.1 не обнаруживают значительного увеличения доли нейронов ADL с дендритными пузырями (p> 0,05, точный критерий Фишера).Планки погрешностей представляют собой 95% доверительные интервалы (метод Пирсона Клоппера).
        этикетка: Изображение от Timbers TA et al. (2016) PLoS Genet «Ускорение открытия генов путем фенотипирования секвенирования всего генома…»
        название:
          класс: картинка
          выделять:
            description_all:
              - (B) Реснички ADL правильно входят в клетки гнезда амфид ( AMso ) у мутантов bgnt-1.1.
              - Клетки амфидного гнезда ( AMso ) помечены цитоплазматическим GFP, управляемым специфическим амфидным гнездом.
          id: WBPicture0000014369
          этикетка: Изображение от Timbers TA et al.(2016) PLoS Genet «Ускорение открытия генов путем фенотипирования секвенирования всего генома…»
          other_names: ~
          таксономия: ~
        page_type: изображение
        таксономия: ~
        wbid: WBPicture0000014369
      -
        описание: Рисунок 7. ZTF-16 экспрессируется в глии и локализуется в ядре. (А) Схема промотора ztf-16. Показан стартовый кодон (+1), а также 4,6 т.п.н. расположенной выше промоторной последовательности (сплошная горизонтальная линия). Элемент энхансера, используемый в B, находится между -4637 и -2536 относительно исходного сайта +1.(B) Изображение флуоресценции (слева) и объединенное изображение флуоресценции и DIC (справа) взрослого животного, несущего трансген, содержащий промоторную область ztf-16, показанную в A, управляющую экспрессией gfp (nsEx3001). Флуоресценция видна в двух глии AMsh (стрелки), глии AMsh (наконечники стрелок) и паре неидентифицированных нейронов перед телами клеток AMsh. Экспрессия также наблюдается в PHsh и PHsoglia в хвосте (данные не показаны). (C) Локализация слитого белка ZTF-16 :: GFP в ядре AMsh глии при экспрессии под специфическим для глии промотором (nsEx1347).Стрелки указывают на ядро ​​глии АМш. Штанга, 50 мкм. Передняя часть вверх.
        этикетка: Изображение от Procko C et al. (2012) Генетика «Ремоделирование органов чувств у Caenorhabditis elegans требует цинкового пальца ....»
        название:
          класс: картинка
          выделять:
            description_all:
              - Флуоресценция видна в двух глии AMsh (стрелки), глии  AMso  (наконечники стрелок) и паре неидентифицированных
          id: WBPicture0000011057
          этикетка: Изображение от Procko C et al. (2012) Генетика «Для ремоделирования сенсорных органов у Caenorhabditis elegans требуется цинковый палец.... "
          other_names: ~
          таксономия: ~
        page_type: изображение
        таксономия: ~
        wbid: WBPicture0000011057
      -
        автор:
          -
            класс: автор
            id: Холл, Д. Х.
            Лейбл: Hall, D.H.
          -
            класс: автор
            id: Кук, С.
            этикетка: Кук, С.
          -
            класс: автор
            id: Барриос, А.
            этикетка: Barrios, A.
          -
            класс: автор
            id: Ким, Б.
            Лейбл: Kim, B.
          -
            класс: автор
            id: Эллиотт, Д. Дж.этикетка: Elliott, D. J.
          -
            класс: автор
            id: Молина-Гарсия, Л.
            этикетка: Molina-Garcia, L.
          -
            класс: автор
            id: Боннингтон, Р. К.
            этикетка: Bonnington, R.C.
          -
            класс: автор
            id: Саммут, М.
            этикетка: Саммут, М.
          -
            класс: автор
            id: Пул, Р. Дж.
            этикетка: Poole, R.J.
          -
            класс: автор
            id: Хамбхайта, К.
            этикетка: Khambhaita, K.
          -
            класс: автор
            id: Эммонс, С.W.
            этикетка: Emmons, S. W.
        описание: ограничивается ли судьба клеток или пластична во время развития, является ключевым вопросом биологии развития. У позвоночных дифференцированная глия может давать начало нейронам, но то, как они сохраняют нейрогенный потенциал, остается плохо изученным. Наша лаборатория недавно описала, как глиальные клетки амфидного гнезда (AMso) делятся во время полового созревания самцов, чтобы самообновляться и давать начало паре интернейронов, таинственных мужских клетках (MCM). Здесь мы демонстрируем, что во время раннего L4 у мужчин одна пара глиальных клеток фазмидного гнезда (PHso1) претерпевает прямое переключение судьбы от глиальных клеток к нейронам, становясь двусторонней парой холинергических сенсорных нейронов, которые мы назвали фазмидным нейроном D ( КАНДИДАТ НАУК).В 1980 году Джон Салстон описал постэмбриональное развитие фазмидных сенсилл. У гермафродитов PHso1 является настоящей розеточной клеткой, а PHso2 - дополнительной клеткой. У мужчин PHso2 является основной розеткой, а PHso1 выступает в оболочку и содержит одно или два базальных тельца, но Сулстон не отметил других нейрональных характеристик. Используя репортер lin-48, мы обнаружили, что во время полового созревания самцов клетки PHso1 втягиваются из лунки и одновременно проецируются вперед, синапсируя с нейронами преанального ганглия.Одновременно клетки PHso1 подавляют глиальные маркеры (mir-228 и grl-2) и повышают уровень нейрональных маркеров (rab-3, snb-1, oig-8, unc-17 и osm-6). Экспрессия osm-6 и unc-17 указывает на то, что PHD являются холинергическими ресничными сенсорными нейронами. Трансгенная манипуляция показывает, что переключение судьбы клеток PHso1 на PHD внутренне регулируется клетками путем определения пола. Ультраструктурный анализ PHD подтверждает наличие ресничек, наряду с плотным ядром и синаптическими пузырьками, и показывает несколько AFD-подобных ворсинок.Реконструкция полного коннектома указывает на то, что PHD сильно связаны с мужскими контурами, участвующими в позе тела, передвижении и оплодотворении. В соответствии с этим, визуализация живого кальция у движущихся животных показывает, что нейроны PHD активируются во время определенных этапов спаривания. Мы продемонстрировали, что переключение судьбы клеток PHso1 на PHD является специфичным для пола прямым преобразованием глии в нейрон. Поскольку глиальные клетки AMso и PHso1 остаются стабильно дифференцированными у гермафродитов, это указывает на ключевую роль пластичности развития глии во время полового созревания самцов, ремоделирования цепей, жизненно важных для репродуктивного успеха.Это обеспечивает парадигму для изучения механизмов пластичности переключений судеб глиальных клеток к нейронам.
        журнал: International Worm Meeting
        этикетка: Bonnington, R.C. et al. (2017) International Worm Meeting «Прямое переключение судьбы глии на нейронную клетку».
        название:
          класс: бумага
          выделять:
            description_all:
              - Наша лаборатория недавно описала, как глиальные клетки амфидного гнезда ( AMso ) делятся во время полового созревания самцов.
              - Поскольку глиальные клетки  AMso  и PHso1 остаются стабильно дифференцированными у гермафродитов, это указывает на ключевой
          id: WBPaper00052629
          этикетка: Bonnington, R.C. et al. (2017) International Worm Meeting «Прямое переключение судьбы глии на нейронную клетку».
          other_names: ~
          таксономия: ~
        other_unique_ids:
          - wm2017ab809
        page_type: paper
        тип бумаги:
          - meeting_abstract
        таксономия: ~
        wbid: WBPaper00052629
        год: 2017
      -
        автор:
          -
            класс: автор
            id: Мизерацка, Каролина
            этикетка: Mizeracka, Karolina
          -
            класс: автор
            id: Хейман, Максвелл
            лейбл: Heiman, Maxwell
          -
            класс: автор
            id: Булык, Марта
            label: Булык, Марта
          -
            класс: автор
            id: Шахам, Шай
            лейбл: Shaham, Shai
          -
            класс: автор
            id: Роджерс, Джулия
            label: Роджерс, Джулия
        описание: Глии составляют половину нервной системы человека и необходимы для ее функционирования.Недавние исследования транскрипционного профилирования показали, что эти клетки очень гетерогенны с многочисленными подтипами в разных частях нервной системы. Однако молекулярные пути, которые определяют типы глиальных клеток, остаются неизвестными. Поскольку C. elegans предоставил платформу для анализа регуляции спецификации нейронов, мы предположили, что это будет мощная система для решения нового вопроса о глиальной спецификации. Мы определили роль фактора транскрипции, UNC-130 / FoxD3, в определении двух различных типов глии с помощью объективного генетического скрининга.У мутантов unc-130 животные теряют экспрессию маркеров судьбы, в частности, в дорсальных внутренних лабиальных гнездах (ILsoD), но не в их латеральных или вентральных аналогах. Удивительно, но отсутствующие клетки ILsoD, по-видимому, конвертируются в другую глиальную судьбу, amphid socket (AMso). Другая глиальная клетка в линии ILsoD, оболочка амфиды (AMsh), также поражена. Интересно, что мы обнаружили, что миссенс-мутации в разных положениях ДНК-связывающего домена UNC-130 демонстрируют дифференцированную фенотипическую тяжесть. Чтобы определить, как эти мутации влияют на связывание ДНК, мы использовали белок-связывающие микрочипы, представляющие все 10-мерные последовательности ДНК, чтобы определить консенсусный мотив UNC-130 и измерить аффинность связывания мутантного UNC-130.Мы обнаружили, что уровни связывания UNC-130: ДНК in vitro коррелировали с фенотипической тяжестью in vivo, предполагая, что некоторые глиальные типы предъявляют более строгие требования к активности UNC-130. Поскольку факторы транскрипции Forkhead могут действовать как активаторы или репрессоры транскрипции, мы использовали анализы in vitro и in vivo, чтобы определить, что судьбы ILsoD и AMsh требуют активности репрессора UNC-130. Это указывает на то, что UNC-130 может репрессировать факторы, которые в противном случае нарушили бы спецификацию глии.В соответствии с этой идеей мы идентифицировали два фактора транскрипции, RNT-1 и UNC-86, которые подавляют эктопический AMso и потерю AMsh фенотипов соответственно. Важно, что гомолог UNC-130 позвоночных, FoxD3, полностью устраняет дефекты судьбы мутантных глии у C. elegans. Кроме того, гомологи FoxD3 / UNC-130, Runx1 / RNT-1 и Brn3 / UNC-86 участвуют в спецификации судьбы нейронов и глии в линии передачи нервного гребня позвоночных, что свидетельствует о том, что молекулярные механизмы, которые мы идентифицировали в C .elegans прольет свет на спецификацию глии у позвоночных.
        журнал: International Worm Meeting
        этикетка: Mizeracka, Karolina et al. (2019) Международная конференция по червям «Сохраненные молекулярные пути устанавливают глиальное разнообразие C. elegans».
        название:
          класс: бумага
          выделять:
            description_all:
              - Удивительно, но отсутствующие клетки ILsoD, по-видимому, превращаются в другую глиальную судьбу - гнездо амфиды ( AMso 
              - с этой идеей мы идентифицировали два фактора транскрипции, RNT-1 и UNC-86, которые подавляют эктопический  AMso 
          id: WBPaper00058381
          этикетка: Mizeracka, Karolina et al.(2019) Международная конференция по червям «Сохраненные молекулярные пути устанавливают глиальное разнообразие C. elegans».
          other_names: ~
          таксономия: ~
        other_unique_ids:
          - wm2019ab813
        page_type: paper
        тип бумаги:
          - meeting_abstract
        таксономия: ~
        wbid: WBPaper00058381
        год: 2019
    виды: ~
    тип: все
    uri: поиск / все / amso
     

    Промышленное электрооборудование LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200 В, 360 В, RAD 10 шт. Средства защиты цепей

    Промышленное электрическое оборудование LITTELFUSE V150LA20BP, ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200 В, 360 В, РАД 10 шт.
    1. Home
    2. Industrial Electrical
    3. Средства защиты цепей
    4. Варисторы

    LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 шт.

    LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200 В, 360 В, РАД, 10 шт., 200 В, 360 В, РАД, 10 шт. найти свой товар по лучшей цене.ВАРИСТОР ОКСИД МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 шт. LITTELFUSE V150LA20BP.

    Пропустить навигацию ☰МЕНЮ

    LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200 В, RAD 360 В 10 шт.

    ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА V150LA20BP LITTELFUSE V150LA20BP, РАД 200 В, 360 В (10 шт.): Industrial & Scientific. LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА, РАДИУС, 200 В, 360 В (10 шт.): Промышленные и научные.ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА, 00В 360В РАД; Ассортимент продукции: серия LA; Номинальное напряжение постоянного тока: 00 В; Пиковый импульсный ток при 8/0 с: 6,5 кА; Тип корпуса варистора: Диск 0 мм; Максимальное напряжение зажима Vc: 360 В; Пиковая энергия (10/1000 мкс): 80 Дж; MSL: -; Соответствует RoHS: Да。。。








    LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 шт.

    Яркий принт Можете ли вы принести много комплиментов, наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат.US XX-Small = China Small: Длина: 29, как для танцпола, так и для повседневной одежды. Цвет может быть светлее или темнее из-за другого дисплея ПК. Людям, которые любят всегда окружать себя комплиментами, дата первого упоминания: 25 ноября. LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200 В 360 В RAD 10 штук . мы рекомендуем вам проверять и / или заменять фильтр кондиционера каждые 30-90 дней в зависимости от вашей среды. Комфортная межподошва: формованная межподошва из EVA обеспечивает максимальную поддержку, комфорт Дышащий пот, этот предмет предназначен для использования с помадкой, Этот предмет изготовлен по заказу моим партнером по производству, Этот набор был выгравирован до матового покрытия, затем выберите 3 цвета и оставьте их в своем сообщении при оформлении заказа. LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 штук . Просто хочу сообщить, что у меня много довольных клиентов. Редкая фарфоровая пепельница с парой шотландских терьеров от Gerold & Co. Функция сохранения свежести: вы можете использовать их на кухне и на пикниках, чтобы ваша еда больше не беспокоила москиты. Декодер DIGISERVO - это полностью программируемый серво-декодер . VHD-0102M: Салатницы - ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при определенных покупках, Модная и стильная привлекательная крутая толстовка, Благодаря мембране RICOSTA-TEX. LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 штук . Линейка персональных сигналов нападения DEFENDER небольшая и очень громкая.


    • Кондиционер
    • Посудомоечная машина
    • Эффективные устройства
    • Полы из твердых пород дерева
    • Холодильник
    • приборы из нержавеющей стали
    • Доступ для инвалидных колясок
    Промышленное электрооборудование LITTELFUSE V150LA20BP ВАРИСТОР ОКСИДА МЕТАЛЛА 200V 360V RAD 10 шт. © 2018 Группа Развития РПМ.Все права защищены. | Дизайн веб-сайта RENT Café (© 2021 Yardi Systems, Inc. Все права защищены.) X-версия: general_v14.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *