Инвертор на транзисторах: Структура и принцип работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах -На заметку

Содержание

Структура и принцип работы низковольтного преобразователя частоты на IGBT транзисторах -На заметку

Типовая схема низковольтного преобразователя частоты представлена на рис. 7. В нижней части рисунка изображены графики напряжений и токов на выходе каждого элемента преобразователя.

Переменное напряжение питающей сети (uвх.) с постоянной амплитудой и частотой (Uвх = const, fвх = const) поступает на управляемый или неуправляемый выпрямитель (1).

Для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения (uвыпр.) используется фильтр (2). Выпрямитель и емкостный фильтр (2) образуют звено постоянного тока.

С выхода фильтра постоянное напряжение ud поступает на вход автономного импульсного инвертора (3).
Автономный инвертор современных низковольтных преобразователей, как было отмечено, выполняется на основе силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT.

На рассматриваемом рисунке изображена схема преобразователя частоты с автономным инвертором напряжения как получившая наибольшее распространение.

В инверторе осуществляется преобразование постоянного напряжения ud в трехфазное (или однофазное) импульсное напряжение uи изменяемой амплитуды и частоты. По сигналам системы управления каждая обмотка электрического двигателя подсоединяется через соответствующие силовые транзисторы инвертора к положительному и отрицательному полюсам звена постоянного тока. Длительность подключения каждой обмотки в пределах периода следования импульсов модулируется по синусоидальному закону. Наибольшая ширина импульсов обеспечивается в середине полупериода, а к началу и концу полупериода уменьшается. Таким образом, система управления обеспечивает широтно-импульсную модуляцию (ШИМ) напряжения, прикладываемого к обмоткам двигателя. Амплитуда и частота напряжения определяются параметрами модулирующей синусоидальной функции.

При высокой несущей частоте ШИМ (2 … 15 кГц) обмотки двигателя вследствие их высокой индуктивности работают как фильтр. Поэтому в них протекают практически синусоидальные токи.

В схемах преобразователей с управляемым выпрямителем (1) изменение амплитуды напряжения uи может достигаться регулированием величины постоянного напряжения ud, а изменение частоты – режимом работы инвертора.

При необходимости на выходе автономного инвертора устанавливается фильтр (4) для сглаживания пульсаций тока. (В схемах преобразователей на IGBT в силу низкого уровня высших гармоник в выходном напряжении потребность в фильтре практически отсутствует.)

Таким образом, на выходе преобразователя частоты формируется трехфазное (или однофазное) переменное напряжение изменяемой частоты и амплитуды (Uвых = var, fвых = var).

25.11.2010

Двухтактные инверторы на транзисторах

Электроника Двухтактные инверторы на транзисторах

просмотров — 234

Двухтактные инверторы, работающие в режиме автогенератора или усилителя мощности, широко применяются в источниках вторичного электропитания. Наиболее известным является инвертор с самовозбуждением с отводом от средней точки первичной обмотки трансформатора ( схема Ройера ).

Принципиальная схема двухтактного инвертора представлена на рисунке 2.72,а. Она состоит из двух транзисторов VT1 и VT2 , которые включены по схеме с общим эмиттером. Резисторный делитель R1 и R2 предназначены для подачи напряжения на транзисторы для надежного запуска инвертора. На резисторе R1 создается падение напряжение порядка 0,5…1,0 В, ĸᴏᴛᴏᴩᴏᴇ плюсом прикладывается к базе транзисторов, тем самым способствует отпиранию транзисторов. Конденсатор С во время включения инвертора позволяет получить повышенное значение напряжения на резисторе R

1, что обеспечивает более надежный запуск, благодаря возрастанию базовых токов транзисторов.

Рассмотрим работу ненагруженного инвертора, выделив при этом три стадии.

Стадия 1 ( интервал времени о…t1 рисунок 2. 72,б) наблюдается только при подключении инвертора к источнику питания. Положим, что рабочая

точка магнитопровода находится в условной области 1 петли гистерезиса

( рисунок 7.52,в). При включении источника питания Uо с резистора R1 напряжение смещения через обмотки обратной связи w4 , w5 поступает на базы транзисторов VT1 и VT2 , обеспечивая их работу в активном режиме.

а- принципиальная электрическая схема;

б- временные диаграммы ;

в- процесс перемагничевания магнитопровода

трансформатора

Рисунок 2.72- К принципу работы транзисторного двухтактного инвертора

Поскольку абсолютной индентичности двух дажеоднотипных транзисторов достичь невозможно, значения коллекторных токов Iк1 и Iк2 несколько отличаются ( пусть Iк1>Iк2 ). При этом намагничивающая сила

F=(Iк1 – Iк2 ) wк возбуждает нарастающий магнитный поток Ф.

Появление изменяющегося по значению магнитного потока приводит к появлению ЭДС на всœех обмотках трансформатора.

Обмотки обратной связи подключены таким образом, что полярность ЭДС обратной связи способствует дальнейшему возрастанию тока в одном контуре и уменьшения тока в другом ( в данном примере — увеличению Iк1 и уменьшению Iк2 ).

Процесс развивается лавинообразно. В результате транзистор VT1 входит в режим насыщения, VT2 – режим отсечки ).

Стадия 2 [ интервал времени t1…t2 (рисунок 2.72,б), область 2 петли гистерезиса (рисунок 2.72,в)].

Поскольку транзистор VT1 полностью открыт (замкнут), напряжение источника питания Uо приложено к цепи с индуктивностью коллекторной полуобмотки трансформатора wк1. Ток в обмотке и магнитный поток Ф в

магнитопроводе возрастает линœейно. Напряжение источника питания Uо уравновешивается ЭДС e1 на зажимах полуобмотки w1. Пренебрегая падением напряжения в проводах и на замкнутом транзисторе VT1, частоту рабочего цикла можно определить по формуле

f=1/Т = (Uо –Uкэ нас.)/4 Внас. W1 Sст, ( 2.68 )

здесь учтено падение напряжение на замкнутом транзисторе Uкэ нас.

Стадия 3 ( интервал времени t2…t3, рисунок 2.72,б, область 3 петли гистерезиса, рисунок 2.72,в).

С момента времени t2 индукция в магнитопроводе трансформатора достигает значения насыщения Внас мах, при этом резко уменьшается изменение потока Ф и уровень ЭДС, но возрастает напряженность магнитного поля Н (переход из области 2 в область 3 петли гистерезиса). В соответствии с законом полного тока увеличение Н влечет за собой возрастание тока в цепи коллектора VT1 и Iк1.

При этом при неизменном токе базы VT1, значение которого определяется из равенства Iб = Uб/Rб ( Rб — входное сопротивление замкнутого транзистора и проводов), возрастание тока Iк1 возможно только при перемещении рабочей точки транзистора VT1 по коллекторной характеристики из положения 1 в положение 2 ( транзистор VT1 из режима насыщения переходит в область активного режима) (рисунок 2.

73). При этом увеличивается падение напряжение на транзисторе VT1 и в результате — уменьшается напряжение на обмотке w1. Это в свою очередь приводит к уменьшению ЭДС обратной связи на зажимах полуобмотках w4 и w5 . Уменьшение уровня ЭДС на обмотках трансформатора поясняется и тем, что при насыщении магнитопровода отсутствует изменения индукции (dB/dt=0 , ᴛ.ᴇ. и dФ/dt=0).

С уменьшением ЭДС обратной связи уменьшается значение напряжения смещения на базах транзисторов VT1 и VT2, что приводит к лавинообразному размыканию транзистора замыканию транзистора VT2 — происходит переключение транзисторов.

Рисунок 2.73- Выходная вольт- амперная характеристика транзистора VT1

В результате транзистор VT1

переходит в режим отсечки, транзистор VT2 — в режим насыщения и процесс повторяется, рабочая точка перемещается по петле гистерезиса в область 4.

Двухтактные транзисторный инверторы с самовозбуждением используются как силовые каскады ИВЭП при преобразуемых мощностях в несколько десятков вольт-ампер ; при больших мощностях такие инверторы выполняют функции задающих генераторов ( в ИВЭП с силовыми каскадами на базе усилителœей мощности).

К достоинствам автогенератора относится свойство самозащиты от короткого замыкания, при котором колебания прекращаются — транзисторы размыкаются.

Двухтактные инверторы наряду с положительными свойствами имеют ряд недостатков. При работе с независимым возбуждением из-за этапа рассасывания носителœей в транзисторах в процессе коммутации могут наблюдаться режимы, когда замыкаемые и размыкаемые транзисторы находятся в активной области. При этом образуется коротко — замкнутая цепь, по которой протекает так называемый «сквозной» ток большой амплитуды. Такой режим является опасным для элементов силовой цепи, приводит к дополнительным потерям мощности и увеличению уровня электромагнитных помех.


Читайте также


  • — Двухтактные инверторы на транзисторах

    Двухтактные инверторы, работающие в режиме автогенератора или усилителя мощности, широко применяются в источниках вторичного электропитания. Наиболее известным является инвертор с самовозбуждением с отводом от средней точки первичной обмотки трансформатора ( схема. .. [читать подробенее]


  • Инвертор с комплементарными транзисторами | Техника и Программы

    May 29, 2010 by admin Комментировать »

    Использование комплементарной пары р-п-р и п-р-п транзисторов вме­сто пары транзисторов одного типа, часто приводит к упрощению схе­мы. Этот метод использован в выходных каскадах стерео усилителей, где уменьшение стоимости стоит на первом месте. Распространение этого подхода на инверторы вполне естественно, поскольку принципиальные

    Рис. 2.7. Двухтрансформаторный инвертор с обратной связью по току.

    схемы у них очень похожи. Ранее, однако, не удавалось подобрать под­ходящие пары транзисторов. Транзисторы, предназначенные для аудио-техники, не подходят для переключающих устройств из-за недостаточно­го быстродействия. Опасность вторичного пробоя в инверторах выше, чем в обычных случаях, особенно у транзисторов разработанных для пе­реключающих схем. Кроме того, отсутствие мощных р-п-р транзисто­ров вносило дополнительные проблемы.

    Эти недостатки в значительной мере были преодолены, и в настоя­щее время имеются комплементарные пары р-п-р и п-р-п транзисторов, которые позволяют сделать инвертор с комплементарными транзистора­ми вполне реализуемым и предпочтительным. Схема такого инвертора показана на рис. 2.8. Этот двухтактный генератор работает совершенно аналогично обычному инвертору с насыщаемым сердечником. Амплиту­да бросков напряжения здесь меньше, чем у инверторов с транзистора­ми одного типа проводимости. Это связано с тем, что транзистор, осу­ществляющий подавление броска напряжения, присоединен непосредственно к транзистору, который только что закрылся. Другая характерная черта этой схемы состоит в том, что синфазная проводи­мость транзисторов существенно уменьшена.

    Рис. 2.8. Схема инвертора с комплементарными транзисторами.

    Расчет трансформатора и конструирование инвертора с комплемен­тарными транзисторами упрощается не только благодаря простой кон­фигурации схемы, но и потому что проблема бросков напряжения не столь страшна, как в обычных инверторах. Этот инвертор заслуживает особого внимания, когда нет желания использовать тороидальный трансформатор или дорогостоящий материал для сердечника. Примене­ние этой схемы все же ограничено малыми мощностями, так как по-прежнему остается справедливым тот факт, что мощность, рассеиваемая п-р-п транзисторами существенно больше, чем р-п-р транзисторами.

    MOSFET или IGBT?

    Сначала рассмотрим различия в целом. В настоящий момент все производители инверторов (ММА) выпускаются по двум полупроводниковым технологиям IGBT и MOSFET. Не буду вдаваться в подробности, скажу только то, что в схемотехнике этих аппаратов используются разные полупроводниковые транзисторы IGBT и MOSFET. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT.

    Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), a MOSFET — 10–12, т. к. они не могут пропускать через себя большие токи, поэтому их приходится делить на такое большое количество транзисторов. Вот собственно в чем и отличие.

    Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. д. MOSFET здесь однозначно проигрывает.

    На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: т.е аппараты, которые сейчас есть в продаже, собраны в основном на трех платах. IGBT аппараты всегда идут на одной плате.

    Основные недостатки MOSFET

    • соединение трех плат;
    • худший теплообмен;
    • каскадный выход транзисторов из строя при неисправности одного транзистора;
    • меньший КПД (относительно IGBT).

    Проще говоря, IGBT более современная технология, чем MOSFET.


    Недостатки MOSFET


    Что лучше MOSFET или IGBT?

    Некоторые компании идут в ногу со временем и при производстве сварочных инверторов используют IGBT транзисторы американской фирмы «Fairchaild», частота переключения которых составляет 50 кГц, т. е. 50000 раз в секунду. IGBT технологию выбрали неспроста, ведь рабочий диапазон температур у них с сохранением параметров гораздо больше, чем у MOSFET, т. е. при нагреве у MOSFETa падают качественные характеристики.

    В конструкции САИ (Ресанта) используется одна маленькая плата, которая устанавливается вертикально, а также 4 IGBT транзистора (работают обособленно друг от друга, т. е. не выгорают все, если выгорел один как у MOSFET) и 6 диодов-выпрямителей (а не 12 как у MOSFET), соответственно отказоустойчивость ниже. Это ещё один «плюс» IGBT.

    Можно напомнить покупателю о том, что в современных сварочных инверторов используется только 4 обособленных транзистора, а не 12 каскаднозависимых как у MOSFET. Всякое в жизни бывает, но, чтобы не произошло в случае выхода из строя одного транзистора (если не гарантийный случай), замена покупателю обойдется где-то в районе 400 р., а не 12×110 р. = 1320 р. Думаю, что разница приличная.

    Как отличить: Визуально аппараты IGBT в большинстве своём отличаются от MOSFET вертикальным расположением силовых разъёмов, т. к. плата одна и обычно устанавливается вертикально. У MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально, т. к. платы в конструкции горизонтально закреплены. Нельзя точно утверждать, что это верно на 100%. Точнее можно сказать, сняв кожух с аппарата.

    Многие компании пытаются «выиграть баллы» на транзисторах. Так, например, компания «Aiken» в настоящий момент выпустила на рынок аппараты (по технологии MOSFET) с наклейками на боковых панелях «Используются транзисторы TOSHIBA» а также «Используются транзисторы Mitsubishi». Пытаются выползти на громких и знакомых брендах. На практике это не подтвердилось. Так на крупнейшей Международной инструментальной выставке России Moscow International Tool Expo (MITEX-2011), которая проходила в ноябре 2011г. в «Экспоцентре» (г. Москва), я попросил представителей стенда данной компании разобрать их САИ с наклейкой «Используются транзисторы Mitsubishi» и продемонстрировать данные транзисторы. В итоге сварочные инверторы разобрали, но данных транзисторов не обнаружили. Сами сотрудники компании «Aiken» были в шоке, обнаружив безымянные транзисторы.

    Китай Инвертор Транзистор, Китай Инвертор Транзистор список товаров на ru.Made-in-China.com

    Цена FOB для Справки: 0,019-0,022 $ / шт.
    MOQ: 20 шт.

    • сертификация: RoHS,ISO
    • функция: транзисторный
    • Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор
    • Уровень мощности: малой мощности
    • материал: кремний
    • Упаковка: Reel, with Antistatic Alluminum Foil Bag
    • Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

      Поставщики, проверенные инспекционными службами

      Wuxi Goford Semiconductor Co. , Ltd.
    • провинция: Jiangsu, China

    Power Electronics • Просмотр темы

    Семён писал(а):

    Но у мощных мосфетов ёмкость затвора большая, а у IR2110 выходной ток 2 А. Не знаю хватит ли этого. У IRFP4668PBF ёмкость 10720 пФ. У IGBT RJH60F5DPQ, которые я буду использовать 122 пФ.

    Joha писал(а):

    У IGBT RJH60F5DPQ ёмкость затвора (входная ёмкость) 2780пф, а 122пф это выходная ёмкость
    http://belchip.by/sitedocs/00012488.pdf
    Инвертор коммутируется с низкой частотой (обычно не более 200Гц), поэтому ёмкость затвора не так важна. При напряжении питания драйвера 15В и сопротивлении затвора 7.5 Ом, выходной ток драйвера гарантированно не превысит 2А.

    Семён писал(а):

    С другой стороны у RJH60F5DPQ пропускаемый ток 80 А это при 25 градусах. При 100 градусах всего 40 ампер. У IRFP4668PBF 130 амер при 25 градусах и 92 ампера при 100 градусах.
    Но пишут что IGBT меньше греются.


    Для удобства сравнения предположим, что нам требуется ключ, коммутирующий ток 240А. Соберём два варианта, один из трёх RJH60F5DPQ, а другой из трёх IRFP4668PBF. Также предположим, что мы обеспечили аналогичный тепловой режим транзисторов, при которых их кристаллы прогреваются до 100гр.С.
    1. При такой температуре и прямом токе 80А через один транзистор, на открытом RJH60F5DPQ будет падать 1.9В, что соответствует мощности потерь 1.9*80=152Вт.
    2. В аналогичной ситуации на открытом IRFP4668PBF будет падать 1.2В (сопротивление канала для указанной температуры 15мОм), что соответствует мощности потерь 1.2*80=96Вт.
    Кто-бы что-бы не писал, но физику не обманешь. Будет сильнее греться тот транзистор, на котором выделяется большая мощность и который хуже охлаждается (тепловое сопротивление кристал-охладитель для RJH60F5DPQ значительно выше). Так как во втором случае выделяется меньшая мощность, то, при одинаковых условиях охлаждения, MOSFET будет существенно меньше греться, что приведёт к дополнительному уменьшению сопротивления канала и мощности потерь.

    Семён писал(а):

    Ещё у IGBT максимальное нарпяжение 600 вольт, а у мосфета 200. Значит у IGBT живучесть от всяких осцилляторов, индуктивностей и стабилизаторов больше.


    При перенапряжении MOSFET-ы ведут себя как стабилитроны (чего не скажешь об IGBT) и если при этом мощность не превышает уровня максимально допустимой для лавинной энергии (смотреть Repetitive Avalanche Energy), то транзистор выживает.
    Основным преимуществом IGBT является более низкое прямое падение в открытом состоянии при высоком допустимом напряжении. Поэтому в высоковольтных приложениях (> 300…400В) IGBT по этому параметру начинают обгонять MOSFET-ы, сопротивление которых быстро возрастает при росте допустимого рабочего напряжения. Однако всё что ниже, является безраздельной вотчиной MOSFET-ов.
    В настоящее время широкое распространение получают SiC MOSFET-ы, которые успешно выдавливают IGBT из высоковольтных приложений.


    _________________
    «Древние украли все наши лучшие идеи!»
    — Марк Твен.

    ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ


       Описанное устройство предназначено для преобразования постоянного автомобильного напряжения 12 Вольт в сетевое 220 Вольт, с частотой порядка 50 Гц. Выходная мощность при использовании указанных номиналов составит порядка 300 Ватт. Основа преобразователя — задающий генератор на частоту 100 Гц, который построен на микросхеме TL494. Драйвер (предварительный усилитель) построен на транзисторах VT1, VT2. Драйвер предназначен для раскачки выходного каскада, построенный на полевых транзисторах VT3, VT4. Этот каскад нагружен трансформатором Т1. Сам генератор обладает высокой стабильностью (при изменении питающего напряжения от 6 до 15 В, частота нарушится всего на 5%). Вторичная обмотка силового трансформатора с конденсатором и нагрузкой образуют колебательный контур. Резонансная частота этого контура будет порядка 50 Гц.

       В буферном каскаде схемы преобразователя напряжения можно использовать также маломощные транзисторы серии ВС556 или ВС557, возможно также использование отечественных транзисторов типа КТ3107, ну и в конце концов можно ставить всеми любимые КТ361, но последние можно использовать только в крайнем случае. Сама микросхема не имеет встроенного усилителя, поэтому есть необходимость вышеуказанного драйвера. При нагрузке более 200 мА микросхема уже будет перегреваться (хотя по справочнику 200-250 мА это максимально допустимое значение), поэтому подключать без драйвера не стоит, затворы транзисторов слишком тяжелые для указанной микросхемы.

       Полевые ключи — по сути усилитель по току, предназначены для раскачки самого трансформатора. Сигнал поступает на затворы последних, в следствии чего транзистор открывается и пропускает напряжение на обмотку трансформатора. Затем транзистор закрывается, и прекращается передача тока на обмотку. Этот процесс повторяется с частотой 50-100 раз в секунду и на первичной обмотке мы получаем переменной ток с частотой 50 Герц. На вторичной обмотке уже снимаем нужное нам напряжение (в данном случае 220 Вольт с частотой 50 Герц).

       На выходе трансформатора мы получаем опасное напряжение, поэтому соблюдайте осторожность. Единственный недостаток такого преобразователя заключается в том, что импульсы, генерируемые микросхемой, имеют прямоугольную форму. Это в некоторых случаях затрудняет питание электродвигателей переменного тока от нашего преобразователя. Получить чистый синус на выходе достаточно трудно, поэтому если трансформатор будет «жужжать», то ничего страшного, поскольку на него идут квадратные импульсы с характерным жужжанием. 

       Такой преобразователь может служить источником бесперебойного питания для сетевых устройств, его мощность позволяет питать компьютер и другие бытовые устройства. Не советуется нагружать ПН большими нагрузками типа обогревателя, в этом случае могут выйти из строя силовые ключи. В моей конструкции я использовал еще одну пару полевых ключей. Такой вариант даст возможность повысить выходную мощность до 600 ватт, хотя пиковая мощность может доходить до 700 ватт. 

       Трансформатор — должен иметь мощность 400-500 ватт и более. Первичная обмотка на 24 Вольт с отводом от середины, вторичка — сетевая. Для этих целей можно использовать буквально любой трансформатор от бесперебойников. Как не странно, но силовые ключи греются слабо, при нагрузках до 200 ватт они не нуждаются в дополнительном охлаждении, но при больших нагрузках теплоотвод уже нужен и желательно побольше.


    Поделитесь полезными схемами

    ПРОСТОЙ ВИДЕОПЕРЕДАТЧИК

       Как передавать изображение и звук с видеокамеры-глазка на телевизор, без использования проводов — схема и практическая сборка устройства.


    СХЕМА ПОВЫШАЮЩЕГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

       Схема повышающего преобразователя низковольтного напряжения, собранного на основе транзисторного блокинг-генератора и ферритового трансформатора.


    ИНСТРУМЕНТ ЭЛЕКТРИКА
       Инструмент электрика — все необходимые инструменты, необходимые профессиональному электрику для монтажных и ремонтных работ.

    ИНДУКЦИОННЫЙ СВЕТИЛЬНИК
        Для индукционной передачи тока, нам нужен сам передатчик и приемник. В качестве передатчика использована простейшая схема, которая состоит из контура и зарядного устройства для мобильного телефона.

    ЗВУКОВОЙ АНАЛИЗАТОР СПЕКТРА

       Схема и видеоролик работы анализатора самодельного спектра звука по частотам, на основе микроконтроллера Atmega8-16PU.


    транзисторов — learn.sparkfun.com

    Добавлено в избранное Любимый 80

    Приложения I: Коммутаторы

    Одно из самых фундаментальных применений транзистора — использовать его для управления потоком энергии к другой части схемы — используя его в качестве электрического переключателя. Управляя им либо в режиме отсечки, либо в режиме насыщения, транзистор может создавать двоичный эффект включения / выключения переключателя.

    Транзисторные переключатели являются важными строительными блоками; они используются для создания логических вентилей, которые используются для создания микроконтроллеров, микропроцессоров и других интегральных схем.Ниже приведены несколько примеров схем.

    Транзисторный переключатель

    Давайте посмотрим на самую фундаментальную схему транзисторного переключателя: переключатель NPN. Здесь мы используем NPN для управления мощным светодиодом:

    Наш управляющий вход проходит в базу, выход привязан к коллектору, а на эмиттере поддерживается фиксированное напряжение.

    В то время как для обычного переключателя требуется физическое переключение исполнительного механизма, этот переключатель управляется напряжением на базовом выводе. Вывод микроконтроллера ввода / вывода, как и на Arduino, может быть запрограммирован на высокий или низкий уровень для включения или выключения светодиода.

    Когда напряжение на базе больше 0,6 В (или какое бы там значение у вашего транзистора V th ), транзистор начинает насыщаться и выглядит как короткое замыкание между коллектором и эмиттером. Когда напряжение на базе меньше 0,6 В, транзистор находится в режиме отсечки — ток не течет, потому что это выглядит как разрыв цепи между C и E.

    Схема, приведенная выше, называется переключателем нижнего уровня , потому что переключатель — наш транзистор — находится на стороне низкого (заземления) цепи.В качестве альтернативы мы можем использовать транзистор PNP для создания переключателя верхнего плеча:

    Как и в схеме NPN, база — это наш вход, а эмиттер подключен к постоянному напряжению. Однако на этот раз эмиттер подключен к высокому уровню, а нагрузка подключена к транзистору со стороны земли.

    Эта схема работает так же хорошо, как и коммутатор на основе NPN, но есть одно огромное отличие: чтобы включить нагрузку, база должна быть низкой. Это может вызвать сложности, особенно если высокое напряжение нагрузки (V CC — 12 В, подключенное к эмиттеру V E на этом рисунке) выше, чем высокое напряжение нашего управляющего входа.Например, эта схема не будет работать, если вы попытаетесь использовать Arduino с напряжением 5 В для выключения двигателя 12 В. В этом случае было бы невозможно выключить выключатель , потому что V B (соединение с управляющим контактом) всегда будет меньше, чем V E .

    Базовые резисторы!

    Вы заметите, что каждая из этих схем использует последовательный резистор между управляющим входом и базой транзистора. Не забудьте добавить этот резистор! Транзистор без резистора на базе похож на светодиод без токоограничивающего резистора.

    Напомним, что в некотором смысле транзистор — это просто пара соединенных между собой диодов. Мы смещаем диод база-эмиттер в прямом направлении, чтобы включить нагрузку. Для включения диоду требуется всего 0,6 В, большее напряжение означает больший ток. Некоторые транзисторы могут быть рассчитаны только на ток, протекающий через них не более 10–100 мА. Если вы подаете ток выше максимального номинала, транзистор может взорваться.

    Последовательный резистор между нашим источником управления и базой ограничивает ток в базе .Узел база-эмиттер может получить свое счастливое падение напряжения 0,6 В, а резистор может снизить оставшееся напряжение. Значение резистора и напряжение на нем определяют ток.

    Резистор должен быть достаточно большим, чтобы эффективно ограничить ток, но достаточно маленьким, чтобы питать базу достаточным током . Обычно достаточно от 1 мА до 10 мА, но чтобы убедиться в этом, проверьте техническое описание транзистора.

    Цифровая логика

    Транзисторы

    можно комбинировать для создания всех наших основных логических вентилей: И, ИЛИ, и НЕ.

    (Примечание: в наши дни полевые МОП-транзисторы с большей вероятностью будут использоваться для создания логических вентилей, чем биполярные транзисторы. Полевые МОП-транзисторы более энергоэффективны, что делает их лучшим выбором.)

    Инвертор

    Вот схема транзистора, которая реализует инвертор , или НЕ вентиль:

    Инвертор на транзисторах.

    Здесь высокое напряжение на базе включает транзистор, который эффективно соединяет коллектор с эмиттером.Поскольку эмиттер напрямую подключен к земле, коллектор тоже будет (хотя он будет немного выше, где-то около V CE (sat) ~ 0,05-0,2 В). С другой стороны, если на входе низкий уровень, транзистор выглядит как разомкнутая цепь, а выход подтянут до VCC

    .

    (На самом деле это основная конфигурация транзистора, называемая общим эмиттером . Подробнее об этом позже.)

    И Ворота

    Вот пара транзисторов, используемых для создания логического элемента И с двумя входами :

    2-входной логический элемент И на транзисторах.

    Если один из транзисторов выключен, то на выходе коллектора второго транзистора будет установлен низкий уровень. Если оба транзистора включены (на обоих базах высокий уровень), то выходной сигнал схемы также высокий.

    OR Выход

    И, наконец, логический элемент ИЛИ с двумя входами :

    Затвор ИЛИ с 2 входами, построенный на транзисторах.

    В этой схеме, если один (или оба) A или B имеют высокий уровень, соответствующий транзистор включается и подтягивает выходной сигнал к высокому уровню.Если оба транзистора выключены, то через резистор выводится низкий уровень.

    Н-образный мост

    H-мост — это транзисторная схема, способная приводить двигатели как по часовой, так и против часовой стрелки . Это невероятно популярная трасса — движущая сила бесчисленных роботов, которые должны уметь двигаться как вперед на , так и на назад.

    По сути, H-мост представляет собой комбинацию четырех транзисторов с двумя входными линиями и двумя выходами:

    Вы можете догадаться, почему это называется H-мостом?

    (Примечание: обычно у хорошо спроектированного H-моста есть нечто большее, включая обратные диоды, базовые резисторы и триггеры Шмидта.)

    Если оба входа имеют одинаковое напряжение, выходы двигателя будут иметь одинаковое напряжение, и двигатель не сможет вращаться. Но если два входа противоположны, двигатель будет вращаться в одном или другом направлении.

    H-мост имеет таблицу истинности, которая выглядит примерно так:

    Вход A Вход B Выход A Выход B Направление двигателя
    0 0 1 1 Остановлено (торможение) 1 0 По часовой стрелке
    1 0 0 1 Против часовой стрелки
    1 1 0 торможение (торможение)

    Осцилляторы

    Генератор — это схема, которая генерирует периодический сигнал, который колеблется между высоким и низким напряжением.Генераторы используются во всевозможных схемах: от простого мигания светодиода до генерации тактового сигнала для управления микроконтроллером. Есть много способов создать схему генератора, включая кварцевые кристаллы, операционные усилители и, конечно же, транзисторы.

    Вот пример колебательного контура, который мы называем нестабильным мультивибратором . Используя обратную связь , мы можем использовать пару транзисторов для создания двух дополняющих осциллирующих сигналов.

    Помимо двух транзисторов, конденсаторы являются настоящим ключом к этой схеме.Колпачки поочередно заряжаются и разряжаются, в результате чего два транзистора поочередно включаются и выключаются.

    Анализ работы этой схемы — отличное исследование работы как конденсаторов, так и транзисторов. Для начала предположим, что C1 полностью заряжен (сохраняется напряжение около V CC ), C2 разряжен, Q1 включен, а Q2 выключен. Вот что происходит после этого:

    • Если Q1 включен, то левая пластина C1 (на схеме) подключена примерно к 0 В. Это позволит C1 разряжаться через коллектор Q1.
    • Пока C1 разряжается, C2 быстро заряжается через резистор меньшего номинала — R4.
    • Как только C1 полностью разрядится, его правая пластина будет подтянута примерно до 0,6 В, что включит Q2.
    • На этом этапе мы поменяли местами состояния: C1 разряжен, C2 заряжен, Q1 выключен, а Q2 включен. Теперь танцуем в другую сторону.
    • Q2 включен, позволяет C2 разряжаться через коллектор Q2.
    • Когда Q1 выключен, C1 может относительно быстро заряжаться через R1.
    • Как только C2 полностью разрядится, Q1 снова включится, и мы вернемся в состояние, в котором мы начали.

    Может быть трудно с головой окунуться. Вы можете найти еще одну отличную демонстрацию этой схемы здесь.

    Выбирая определенные значения для C1, C2, R2 и R3 (и сохраняя R1 и R4 относительно низкими), мы можем установить скорость нашей схемы мультивибратора:

    Итак, при значениях для конденсаторов и резисторов, установленных на 10 мкФ и 47 кОм соответственно, частота нашего генератора будет около 1.5 Гц. Это означает, что каждый светодиод будет мигать примерно 1,5 раза в секунду.


    Как вы, наверное, уже заметили, существует тонн схем, в которых используются транзисторы. Но мы почти не коснулись поверхности. Эти примеры в основном показывают, как транзистор можно использовать в режимах насыщения и отсечки в качестве переключателя, но как насчет усиления? Пришло время увидеть больше примеров!



    ← Предыдущая страница
    Режимы работы

    Как сделать простую принципиальную схему инвертора за 5 минут

    Представьте себе, что через несколько минут вы знаете, что электричество отключится.У тебя нет свечей. У вас есть только фонарик от вашего мобильного телефона. Но вам нужно сэкономить аккумулятор вашего мобильного телефона. Для использования в экстренных случаях. Как ты будешь делать?

    В вашем магазине есть светодиодная лампа 220 В мощностью 5 Вт и аккумулятор 12 В.

    ฺ Но сделать светодиодную лампу яркой только от батареи на 12 В. невозможно.

    Им нужна помощь, чтобы поднять напряжение батареи, достаточное для этой лампочки. Это называется инверторной схемой.

    Они могут преобразовать батарею 12 В постоянного тока в 220 В переменного тока / 120 В переменного тока, чтобы использовать небольшую лампочку или лампу максимальной мощностью 10 Вт.

    Вот как сделать схему инвертора за 5 минут. В 2 простых схемах инвертора ниже. Просто используя только 2 транзистора, 2 резистора и один трансформатор. Это просто?

    Они включают 2 идеи схемы

    1. Принципиальная схема микро-инвертора с использованием TIP41 или 2N6121
    2. Цепь простого инвертора Supper с использованием MJ2955 (транзисторы PNP)

    Принципиальная схема микро-инвертора с использованием TIP41 или 2N0003

    2 силовых транзистора NPN, TIP41 и миниатюрный транзистор, 0.5А. Эта схема может быть отличным выбором.

    Он может преобразовать аккумулятор 12 В в напряжение переменного тока в диапазоне от 180 до 220 В. На выходных частотах от 30 Гц до 65 Гц.

    Вы можете использовать его с бытовой техникой до 10 Вт. Например, маленькие люминесцентные лампы, светодиодные лампы, таймеры и т. Д.

    Светодиодная лампа экономит больше энергии, чем люминесцентная лампа, при той же легкости.

    Схема может вам понравиться. Потому что, собирая схему, вы просто соединяете части вместе только ногой к ноге.

    Завершение этой цепи может занять около 5 минут.

    Примечание: Пожалуйста, прочтите «Тестирование / применение» ниже для реального применения.

    Описание схемы

    В общей схеме инвертора используется генератор для управления трансформатором с силовым транзистором.

    Использование двойных транзисторов — это двухтактное переключение для попеременного включения и выключения. Оба транзистора должны иметь одинаковый коэффициент усиления. Но не надо же.

    Как это работает

    Посмотрите на блок-схему ниже.

    При подаче питания (DC12V) на цепь. Один из транзисторов насыщается (замкнутая цепь) быстрее, чем другой.

    Предположим, что Q1 первым замкнул цепь. Таким образом, ток коллектора Q1 создает магнитное поле в катушке L2. Затем он получает большее базовое напряжение через R1. Итак, Q1 быстро переходит в состояние замкнутой цепи. Кроме того, Q2 быстро размыкает цепь.

    Состояние будет таким, пока сердечник трансформатора не достигнет точки насыщения.Таким образом, ток, протекающий к R1, уменьшается до тех пор, пока не перестанет переводить Q1 в состояние замкнутой цепи. Q1 — это разомкнутая цепь.

    Напротив, в то время как Q1 медленно переходит из состояния замкнутой цепи в состояние разомкнутой цепи. Q2 начнет проводить больше токов. Ток будет протекать через R2, увеличивая ток смещения до Q2. Это позволяет быстро замкнуть Q2.

    Теперь ток батареи будет течь в катушку L1 в обратном направлении. Это заставляет индукцию напряжения иметь противоположную полярность во вторичной обмотке трансформатора.
    Q2 будет проводить ток, пока сердечник трансформатора не достигнет насыщения.

    После этого процесс замкнутого-разомкнутого контура между Q1 и Q2 снова будет таким же. Пока в цепь подается 12 В постоянного тока


    Принципиальная схема микропреобразователя

    Посмотрите на полную схему выше. Разработчик поместил несколько компонентов:

    • C1-конденсатор на первичный трансформатор, чтобы сделать выходное переменное напряжение сглаженным или низким уровнем шума.
    • F1-предохранитель для защиты выхода и цепи при перегрузке.
    • Светодиод 1 показывает, что цепь работает. Используйте резистор серии R3 для ограничения тока до безопасного значения.

    Как сделать инвертор

    Для в проекте используйте несколько компонентов. Итак, мы можем использовать приведенную ниже схему подключения без разводки печатной платы. Я предлагаю следующие техники изготовления.

    Схема подключения этого проекта

    Правильный способ монтажа транзистора

    Посмотрите на рис. Ниже.

    Это правильный способ установки транзистора в радиатор. Используйте слюдяной изолятор между корпусом и корпусом транзистора. Затем используйте пластиковый изолятор. Затем закрепите корпус транзистора шестигранной гайкой и металлическим винтом.


    Монтаж транзистора на радиаторе

    Помните! Не прикасайтесь проводами транзистора к корпусу и не допускайте короткого замыкания между этими выводами.

    Проверить короткое замыкание!
    Мы можем проверить сопротивление, чтобы убедиться в отсутствии электрического замыкания на металлический корпус.

    Установите на цифровом мультиметре (DMM) положение «НЕПРЕРЫВНОСТЬ». Затем коснитесь концом обоих щупов между каждым выводом (B, C и E) транзистора и металлическим корпусом. Он должен молчать и читать OL.

    .


    Проверить короткое замыкание с помощью мультиметра

    Тестирование / применение

    Я выполняю тест, выполняя следующий шаг:

    1. Получите аккумулятор 12 В, стабилизированный источник питания 2,5 Ач или 12 В пост. 2А для тестирования.
    2. Установите шкалу цифрового мультиметра в положение ACV для измерения выхода (розетки).
    3. Примените к этому проекту аккумулятор на 12 В.
    4. Измерьте выходное напряжение. Напряжение должно быть от 220 до 330 В.

    После этого попробуйте использовать этот проект схемы инвертора для нагрузки светодиодной лампы мощностью 3 Вт. Из-за низкого энергопотребления.

    Эта схема имеет выходную мощность от 5 до 10 Вт.

    Как и на видео выше, светодиодная лампа ярко светится 3 часа.Потому что он использует только 0,5 А.

    Другие варианты

    Так как у меня есть предельные компоненты.
    Я собираю детали, включая 2 x TIP41 с радиатором, резисторы 1K на универсальной печатной плате.

    Я использую трансформатор 0,75A, 9V CT 9V.

    Но эта схема может обеспечивать другую частоту и выходной сигнал в зависимости от технических характеристик устройства. Но это неважно. Потому что мы используем нагрузку как светодиодные лампочки.

    Список компонентов

    Полупроводники
    Q1, Q2: TIP41 или 2N6121, транзисторы NPN 40 Вт 45 В 4A
    LED1: Красный светодиод или как вам нужно.
    Резисторы (0,5 Вт +/- 5% углерода)
    R1, R2: 1K
    R3: 4,7 кОм
    Конденсаторы
    C1: майларовый конденсатор 630 В переменного тока 0,1 мкФ
    Разное
    T1: Трансформатор 220 В переменного тока или Первичная катушка 120 В / 10-0-10 В, 750 мА — вторичная катушка
    F1: Предохранитель — 0,1 A
    SW1: Тумблер
    Переменный ток — вилка, слюдяной изолятор, светодиод, пластик, 12 В постоянного тока Батарея, одножильный Провода № 20 AWG, гайка , и винт и т. д.

    Принципиальная схема Super Simple Inverter с использованием MJ2955

    Из предыдущей схемы, если она дает низкую выходную мощность для вас, я тоже.Мы можем изменить некоторые детали.

    На данный момент я сосредоточусь на схемах, в которых используется необходимое оборудование. И только временно.

    В случае добавления мощности более 10 Вт. Для этого требуется трансформатор, который обеспечивает ток более 2 А, а вместо этого изменяет R1 и R2 на 100 Ом 5 ​​Вт.

    Эта схема выглядит как крошечная схема инвертора выше.

    Но я меняю оба транзистора на 2N3055, а использование R1 и R2 составляет 68 Ом 5 ​​Вт.

    Принципиальная схема инвертора от 15 до 20 Вт с использованием 2N3055

    Другие идеи.Проверяю в своем магазине. Есть много MJ2955. Матч пара 2N3055. Но это силовой транзистор PNP.

    Я ими почти не пользовался.

    Таким образом, я установил новую принципиальную схему инвертора. См. Рис. Это так просто. Это два MJ2955, два резистора на 68 Ом и только один трансформатор.

    Видите ли, действительно возможно!

    В данном случае мне не нужна большая мощность и длительное использование. Потому что я использую мощность 10 Вт только на короткое время (примерно 30 минут).

    Затем я ищу все запчасти в своем магазине. У меня много силовых транзисторов MJ2955.

    Итак, я выбрал принципиальную схему инвертора, как на рис. 1. Это так просто. Это два MJ2955, два резистора на 68 Ом и только один трансформатор.
    Видите ли, это действительно возможно!

    Схема инвертора MJ2955

    В данном случае мне не нужна большая мощность и длительное использование. Потому что я использую мощность 10 Вт только на короткое время (примерно 30 минут).

    Оба транзистора и два резистора установлены в режим нестабильного мультивибратора.

    Мне рассказал мой друг, который является гуру в области энергетики. Хотя в схемотехнике не будет конденсаторов. Но он может генерировать частоту. Вторичный трансформатор работает как нагрузка, которая может преобразовывать электрическое напряжение в высокое. Но не уверен, что это 50 Гц. Это дает частоту от 30 Гц до 90 Гц.

    В зависимости от устройства, например, каждый транзистор имеет разные электрические свойства.Уровень напряжения аккумулятора также влияет на частоту.

    Впрочем, если в нагрузке только светодиодные лампочки. Работает без проблем.

    Давайте построим эту схему

    Эта схема очень проста и крошечная по размеру. Я собираю их на радиаторе и подключаю все провода, как показано на видео ниже.

    Примечание:
    Вот правильный способ установки транзистора в радиаторе. Помните, проверьте наличие короткого замыкания, как указано выше.

    Тестирование

    Как и на видео, я использую аккумулятор на 12 В 2.Размер 5Ач в качестве источника. Во-вторых, я измеряю выходное переменное напряжение как 225 вольт. Далее прикладываю к выходу светодиодные лампы. Напряжение ниже 190 вольт и может поддерживать мощность (свет сглаживается).


    Применение этого проекта

    Детали, которые вам понадобятся
    Q1, Q2: MJ2955 или TIP2955 PNP-транзисторы = 2 шт.
    R1, R2: резисторы 68 Ом 2 Вт на 5 Вт = 2 шт.
    T1: 12 В CT Трансформатор 12 В / 220 В или 110 В = 1 шт.
    Если вам нужна выходная мощность 20 Вт, используйте трансформатор на 1 А.
    Радиатор, аккумулятор 12 В и т. Д.

    Недостатком этой схемы является нестабильная частота. Поэтому он не подходит для длительного использования и не должен использоваться с высокоточными нагрузками. Но стоит ли оно того? Это просто и очень дешево.

    Также, Вы можете использовать проект ниже, он отлично выглядит.

    Посмотрите те схемы, которые вам тоже могут понравиться

    ПОЛУЧИТЬ ОБНОВЛЕНИЕ ПО ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЕ

    Я всегда стараюсь сделать Electronics Learning Easy .

    Базовая схема инвертора на транзисторах

    Gadgetronicx> Электроника> Принципиальные и электрические схемы> Инверторные схемы> Базовая схема инвертора на транзисторах

    3 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 20.

    Dollinger, F. et al. Вертикальные органические тонкопленочные транзисторы с анодированной проницаемой базой для очень низкого тока утечки. Adv. Матер. 31 , 17 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 21.

    Lim, K. G. et al. Анодирование для упрощения обработки и эффективного переноса заряда в вертикальных органических полевых транзисторах. Adv. Функц. Матер. 30 , 2001703 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 22.

    Guo, E. et al. Высокопроизводительные транзисторы статической индукции на основе низкомолекулярных органических полупроводников. Adv. Матер. Technol. 5 , 2000361 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 23.

    Lenz, J., del Giudice, F., Geisenhof, FR, Winterer, F. & Weitz, RT Вертикальные органические транзисторы с электролитным затвором демонстрируют непрерывную работу в режиме MA cm −2 и искусственном синаптическое поведение. Нат. Nanotechnol. 14 , 579–585 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 24.

    Perinot, A. & Caironi, M. Доступ к работе в МГц при 2 В с помощью полевых транзисторов на основе полимеров с печатью на пластике. Adv. Sci. 6 , 1801566 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 25.

    Ben-Sasson, A.J. et al. Узорчатый электродный транзистор с вертикальным полевым эффектом, изготовленный с использованием блок-сополимерных наношаблонов. Заявл. Phys. Lett. 95 , 213301 (2009).

    Артикул Google ученый

  • 26.

    Ben-Sasson, A.J. et al. Самосборный вертикальный органический полевой транзистор на основе металлических нанопроволок. ACS Appl. Матер. Интерфейсы 7 , 2149–2152 (2015).

    Артикул Google ученый

  • 27.

    Субеди К. Н., Аль-Шадиди А. и Люссем Б.Стабильность органических проницаемых базовых транзисторов. Заявл. Phys. Lett. 115 , 193301 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 28.

    Kaschura, F., Fischer, A., Kasemann, D., Leo, K. & Lüssem, B. Управляющая морфология: вертикальный органический транзистор с самоструктурированной проницаемой основой, использующий нижний электрод в качестве затравки. слой. Заявл. Phys. Lett. 107 , 033301 (2015).

    Артикул Google ученый

  • 29.

    Kheradmand-Boroujeni, B. et al. Метод измерения слабого сигнала с импульсным смещением, обеспечивающий работу вертикальных органических транзисторов на частоте 40 МГц. Sci. Отчетность 8 , 7643 (2018).

    Артикул Google ученый

  • 30.

    Dollinger, F. et al. Электрически стабильные транзисторы с органической проницаемой базой для дисплеев. Adv. Электрон. Матер. 5 , 1

    6 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 31.

    Lüssem, B. et al. Легированные органические транзисторы. Chem. Ред. 116 , 13714–13751 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 32.

    Guo, E. et al. Вертикальные органические проницаемые транзисторы с двумя базами для логических схем. Нат. Commun. 11 , 4725 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 33.

    Klinger, M. P. et al. Органическая силовая электроника: работа транзистора в режиме кА / см 2 . Sci. Отчетность 7 , 4471 (2017).

    Артикул Google ученый

  • 34.

    Dao, T. T. et al. Управляемое пороговое напряжение в органических дополнительных логических схемах с улавливающим электроны полимером и фотоактивным диэлектрическим слоем затвора. ACS Appl. Матер. Интерфейсы 8 , 18249–18255 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 35.

    Ю, Х., Он, С., Ли, С. Б., Чо, К. и Ким, Дж. Дж. Органические транзисторы с гетеропереходом с отрицательной крутизной и их применение в трехкомпонентных цепях полного колебания. Adv. Матер. 31 , 1808265 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 36.

    Shiwaku, R. et al. Печатные схемы органических инверторов со сверхнизкими рабочими напряжениями. Adv. Электрон. Матер. 3 , 1600557 (2017).

    Артикул Google ученый

  • 37.

    Borchert, J. W. et al. Гибкие низковольтные высокочастотные органические тонкопленочные транзисторы. Sci. Adv. 6 , eaaz5156 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 38.

    Borchert, J. W. et al. Малое контактное сопротивление и высокочастотная работа гибких низковольтных инвертированных компланарных органических транзисторов. Нат. Commun. 10 , 1119 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 39.

    Benwadih, M. et al. Интеграция графеновых чернил в качестве электрода затвора для печатных органических комплементарных тонкопленочных транзисторов. Org. Электрон. 15 , 614–621 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 40.

    Райтери, Д., Ван Лисхаут, П., Ван Рурмунд, А.& Cantatore, E. Логика переключателя уровня с положительной обратной связью для электроники большой площади. IEEE J. Твердотельные схемы 49 , 524–535 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 41.

    Китамура М., Кузумото Ю., Аомори С. и Аракава Ю. Высокочастотный органический дополнительный кольцевой генератор, работающий до 200 кГц. Заявл. Phys. Экспресс 4 , 051601 (2011).

    Артикул Google ученый

  • 42.

    Baeg, K. J. et al. Низковольтные, высокоскоростные гибкие дополнительные полимерные электронные схемы для струйной печати. Org. Электрон. 14 , 1407–1418 (2013).

    Артикул Google ученый

  • 43.

    Ke, T.H. et al. Уменьшение размеров органических дополнительных логических элементов для компактной логики на фольге. Org. Электрон. 15 , 1229–1234 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Схема простого инвертора

    | Circuiteasy

    Вот простая схема инвертора, которую можно сделать с помощью обычного понижающего трансформатора.Используйте трансформатор от 1 до 5 А, 12 В или 9 В в зависимости от требуемой входной и выходной мощности. Согласно формуле мощности, максимальная мощность будет 12 В X 5 А = 60 Вт, а не 100 Вт или 200 Вт инвертора, как говорится на многих веб-сайтах.

    В нашей схеме инвертора используется одна пара транзисторов 2N3055. Этот транзистор NPN широко доступен на рынке. Он используется в инверторах и устройствах с усилителями звука высокой мощности.

    Требуемых деталей:

    а) Трансформатор, 12-0-12, 1-5А

    б) Транзистор 2N3055 термоусадочный

    c) Сопротивление 68 Ом, 5 Вт

    Эта схема отлично подходит для образовательных целей и проста в изготовлении.В качестве предохранительного устройства вы можете включить предохранитель на 6 А при подключении 12 В.

    В рабочем состоянии:

    Для преобразования переменного тока в постоянный оба транзистора и два резистора установлены в режим нестабильного мультивибратора. Ток попеременно течет в каждой половине обмотки первичной катушки. Количество витков вторичной катушки в 10 или 20 раз больше, чем витков первичной обмотки, в зависимости от страны выхода на 110 или 220 В. Согласно формуле трансформатора, отношение витков определяет соотношение напряжений в двух катушках.

    Поскольку вольт на виток пропорционально потоку в машине, то же самое для всей обмотки,

    V1: V2 = T1: T2

    или

    V1 / T1 = V2 / T2

    Этот перевернутый V2 подключен к нагрузке.

    Преимущество:

    а) Легко сделать без печатной платы.

    b) Используются только три компонента.

    Недостаток:

    а) В этой цепи напряжение неточно. Небольшая нагрузка изменяет выходное напряжение.

    b) Неточная выходная частота переменного тока. Это также зависит от индуктивности трансформатора и выходной нагрузки.

    c) Низкая энергоэффективность.

    В повседневной жизни вы не встретите эту схему ни в одном инверторе или аварийном свете.Сегодня используется сложная схема для поддержания постоянной интеллектуальной зарядки аккумулятора, быстрого переключения из режима сети в режим аккумулятора без колебаний, чистой синусоидальной волны, хорошей эффективности, меньшего размера.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *